閃存 文章 進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)
TrendForce：預(yù)計(jì) Q4 NAND Flash 合約價(jià)將下調(diào) 3% 至 8%
- IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價(jià)于第三季率先下跌，預(yù)期第四季跌幅將擴(kuò)大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預(yù)期，采購策略更加保守。TrendForce 預(yù)估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價(jià)將出現(xiàn)季減 3% 至
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第八代BiCS FLASH厲害在哪里？
- 第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn)，意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當(dāng)下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備提供了更多潛在可能。技
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閃存大廠鎧俠IPO又進(jìn)一步
- 近日，媒體報(bào)道鎧俠已申請于今年10月在東京交易所進(jìn)行IPO。鎧俠預(yù)計(jì)籌資規(guī)模將達(dá)到5億美元，如若IPO順利進(jìn)行，那么其有望成為2024年日本最大規(guī)模的IPO。知情人士透露，鎧俠可能在接下來的幾周內(nèi)啟動其IPO流程，至于IPO的具體細(xì)節(jié)仍在討論之中，可能會根據(jù)市場環(huán)境的變化而有所調(diào)整。該公司的估值預(yù)計(jì)將超過1.5萬億日元（合103億美元）。資料顯示，鎧俠于2018年6月從日本東芝集團(tuán)獨(dú)立出來，2020年鎧俠獲準(zhǔn)在東京證券交易所上市，不過后來該公司以市場前景不明朗為由推遲上市。
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消息稱三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)
- IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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Omdia：2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍
- IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場分析機(jī)構(gòu) Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認(rèn)為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升 1.24 倍，達(dá) 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
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美光：預(yù)計(jì)臺灣地區(qū)地震對本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個(gè)位數(shù)百分比影響
- IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會 SEC 遞交 8-K 重大事項(xiàng)公告，預(yù)計(jì)本月初的臺灣地區(qū)地震對其二季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成“中等個(gè)位數(shù)百分比”的影響。美光在臺灣地區(qū)設(shè)有桃園和臺中兩座生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報(bào)告，地震導(dǎo)致當(dāng)時(shí)桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報(bào)廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設(shè)施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長期 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí)，美光尚未在震后全面恢復(fù) DRAM 生產(chǎn)，但得
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2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長 24.5%：三星增長 44.8% 居首位
- IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布市場研究報(bào)告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲，預(yù)估環(huán)比會繼續(xù)增長兩成。三星第四季營收以三星（Samsung）增長幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機(jī)需求均大幅增長。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷售價(jià)格環(huán)比增加 12%，帶動營收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團(tuán)SK 集團(tuán)（SK Group）受惠于價(jià)
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西部數(shù)據(jù)發(fā)布公告：今年年底前完成閃存和硬盤業(yè)務(wù)分拆
- IT之家 3 月 6 日消息，西部數(shù)據(jù)近日發(fā)布公告，宣布分拆硬盤和閃存業(yè)務(wù)上取得了重大進(jìn)展，并會按期在 2024 年年底前完成分拆，并公布了分拆之后亮相業(yè)務(wù)的主要負(fù)責(zé)人。圖源：西部數(shù)據(jù)IT之家于 2023 年 10 月報(bào)道，西部數(shù)據(jù)由于鎧俠合并未果，宣布分拆為兩家獨(dú)立上市公司，專注于硬盤和閃存市場。西部數(shù)據(jù)表示分拆兩項(xiàng)業(yè)務(wù)，能更好地執(zhí)行創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā)，利用獨(dú)特的增長機(jī)會，擴(kuò)大各自的市場領(lǐng)導(dǎo)地位，并通過不同的資本結(jié)構(gòu)更有效地運(yùn)營。西部數(shù)據(jù)在新聞稿中表示，本次拆分已取得重大進(jìn)展，包括全球法律實(shí)體
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日本東芝正式退市
- 據(jù)日媒報(bào)道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結(jié)束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財(cái)團(tuán)正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱，該財(cái)團(tuán)將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領(lǐng)域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導(dǎo)體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
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集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長 18%
- IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)集邦咨詢公布的最新報(bào)告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計(jì)營收 134.8 億美元，環(huán)比增長 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，讓各原廠營收皆有所增長。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠漲價(jià)態(tài)度明確，預(yù)估第四季 DRAM 合約價(jià)上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長幅度有限。三家主流廠商情況細(xì)分到各家品牌，三大原廠營收皆有所成長
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三季度全球 DRAM 銷售額達(dá) 132.4 億美元，連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長
- 11 月 30 日消息，據(jù)外媒報(bào)道，從去年下半年開始，受消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動下，DRAM 這一類存儲產(chǎn)品的價(jià)格已在回升，銷售額環(huán)比也在增加。研究機(jī)構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達(dá)到了 132.4 億美元，環(huán)比增長 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長，也就意味著主要廠商的銷售額，環(huán)
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存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代
- IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場的持續(xù)強(qiáng)勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價(jià)格預(yù)計(jì)上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計(jì)上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報(bào)道，2024 年手機(jī)的一個(gè)明顯變化是
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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