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?摩爾定律 文章 進(jìn)入?摩爾定律技術(shù)社區(qū)
下一代5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制？
- Imec 開(kāi)發(fā)下一代 5nm 2D 通道 FET 架構(gòu)，證實(shí)采用 2D 非等向性材料可讓摩爾定律延續(xù)到超越 5nm 節(jié)點(diǎn)… 根據(jù)比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec指出，設(shè)計(jì)人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore's Law)擴(kuò)展到超越5納米(nm)節(jié)點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 Imec開(kāi)發(fā)的下一代5nm 2D通道
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半導(dǎo)體耦合多量子點(diǎn)量子比特器件研究取得重要進(jìn)展
- 在不遠(yuǎn)的將來(lái)，摩爾定律所預(yù)示的微電子器件的尺寸將微縮到一系列物理極限，這一技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)科研人員利用納米技術(shù)尋求一個(gè)完全基于量子效應(yīng)的信息處理方案。經(jīng)過(guò)近二十年的發(fā)展，半導(dǎo)體量子點(diǎn)自旋比特固態(tài)器件以其可調(diào)控性和可擴(kuò)展性成為最具應(yīng)用潛力的固態(tài)量子計(jì)算方案之一，目前已成為以凝聚態(tài)物理為背景，融合了凝聚態(tài)理論、量子物理、納米加工技術(shù)、納米電子學(xué)、低溫技術(shù)、半導(dǎo)體器件工藝等多個(gè)研究方向的前沿交叉研究領(lǐng)域。 近日，北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院、固態(tài)量子器件北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室“千人計(jì)劃”教授
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摩爾定律能“活”到2025年以后 中國(guó)半導(dǎo)體趕超有望
- 在摩爾定律依然延續(xù)的今天，中國(guó)IC制造工藝與世界先進(jìn)工藝如何縮小，這是不得不思考的問(wèn)題。IMEC中國(guó)區(qū)總裁丁輝文近日指出，半導(dǎo)體工藝尺寸的縮小和摩爾定律仍能持續(xù)發(fā)展到2025年以后，中國(guó)半導(dǎo)體若能善用國(guó)際和國(guó)內(nèi)資源，有機(jī)會(huì)在各領(lǐng)域趕超世界先進(jìn)水平。 多元化應(yīng)用需要多元化半導(dǎo)體技術(shù) 丁輝文認(rèn)為，講摩爾定律，其實(shí)首先是應(yīng)用推動(dòng)了芯片的成長(zhǎng)，而在應(yīng)用當(dāng)中，主要是IoT、移動(dòng)通訊、云端服務(wù)這三大應(yīng)用市場(chǎng)。這三大應(yīng)用對(duì)半導(dǎo)體器件有不同的要求：一是IoT應(yīng)用，功耗在1mW到100mW;二是移動(dòng)通訊部分
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模擬技術(shù)的困境
- 在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來(lái)處理對(duì)它們不利的過(guò)程。但這個(gè)現(xiàn)象可能正在改變。 我們生活在一個(gè)模擬世界中，但數(shù)字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)。混合信號(hào)解決方案過(guò)去包含大量模擬數(shù)據(jù)，只需要少量的數(shù)字信號(hào)處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統(tǒng)應(yīng)用中，在系統(tǒng)中第一次產(chǎn)生了模數(shù)轉(zhuǎn)換過(guò)程?！ ∧M技術(shù)衰落有幾個(gè)原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數(shù)字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數(shù)字電路。但這對(duì)模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
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延續(xù)摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵
- 臺(tái)積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開(kāi)始導(dǎo)入EUV微影技術(shù)，以做為5奈米全面采用EUV的先期準(zhǔn)備。 盡管目前EUV設(shè)備曝光速度仍不如期待且價(jià)格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比，EUV的投資對(duì)解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問(wèn)題仍是相對(duì)有力的解決方案。 每一季的臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)上，張忠謀董事長(zhǎng)或是共同執(zhí)行長(zhǎng)對(duì)于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會(huì)對(duì)臺(tái)下觀眾做一專(zhuān)門(mén)的報(bào)告，法人代表對(duì)于EUV的導(dǎo)入時(shí)程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對(duì)于臺(tái)積電未來(lái)發(fā)展甚至
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摩爾定律之后 存儲(chǔ)器發(fā)展要靠大數(shù)據(jù)、AI？
- 半導(dǎo)體供應(yīng)鏈存儲(chǔ)器缺貨絕對(duì)是橫貫2017年的主調(diào)，但除了量變，大數(shù)據(jù)中心、AI深度學(xué)習(xí)運(yùn)算帶來(lái)對(duì)CPU與AI處理器的運(yùn)算速度、存儲(chǔ)容量高門(mén)檻要求，也正在改變整個(gè)存儲(chǔ)器乃至于運(yùn)算基礎(chǔ)核心架構(gòu)。 在近日一場(chǎng)GSA存儲(chǔ)器高峰論壇上，半導(dǎo)體與數(shù)據(jù)平臺(tái)、服務(wù)器領(lǐng)域與會(huì)人士對(duì)上述議題展開(kāi)熱議。 西數(shù)(Western Digital)董事長(zhǎng)兼COO Mike Cordano提到，未來(lái)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍然機(jī)會(huì)巨大，占整個(gè)IC行業(yè)的三分之一份額，其中DRAM約600億美元、NAND Flash約480億美元、微
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3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過(guò)3DNAND Flash制程，無(wú)論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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壯哉！“中國(guó)造”光量子計(jì)算機(jī)誕生
- 計(jì)算機(jī)作為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一，隨著摩爾定律邁向終結(jié)，性能提升面臨瓶頸。后摩爾定律時(shí)代，我們又要通過(guò)什么途徑提高運(yùn)算速度呢?答案是量子計(jì)算。量子計(jì)算機(jī)具有強(qiáng)大的計(jì)算能力，可以解決傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)難以或者不能解決的問(wèn)題。 就在今天，科技界迎來(lái)了一則重磅消息：世界上第一臺(tái)超越早期經(jīng)典計(jì)算機(jī)的光量子計(jì)算機(jī)誕生。中國(guó)科學(xué)院5月3日在上海舉行新聞發(fā)布會(huì)，對(duì)外發(fā)布了這一消息，這個(gè)“世界首臺(tái)”是貨真價(jià)實(shí)的“中國(guó)造”，屬中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)潘建偉教授及其同事陸朝陽(yáng)、
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