<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 1α dram

          美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

          • 近日,在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中,美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產(chǎn)品創(chuàng)新,涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲創(chuàng)新產(chǎn)品,并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過內(nèi)存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動洞察的愿景,從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新,突出了內(nèi)存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟背后,有一
          • 關(guān)鍵字: 美光  176層NAND  1α DRAM   

          美光專家對1α節(jié)點DRAM的解答

          • 2021 年1 月,美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點的DRAM產(chǎn)品,是目前世界上最為先進的DRAM 技術(shù),在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此,《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點技術(shù)1α 節(jié)點DRAM 相當(dāng)于10 nm 的第四代,其最小特征尺寸(通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距)在(10~19) nm之間。要做到這一點,需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
          • 關(guān)鍵字: 202104  DRAM  

          2021年DRAM與NAND增長快,美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)

          • 近日,美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機會,該公司舉辦了線上媒體溝通會,執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預(yù)測,以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年,全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計增長可達12%,整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中,內(nèi)存與存儲預(yù)計增長可達19%,增度遠超整
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          美光科技:DRAM芯片供應(yīng)緊張將持續(xù)數(shù)年,NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定

          • 存儲芯片大廠美光(Micron)執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示,2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退,今年顯現(xiàn)明顯復(fù)蘇,并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品,一種是DRAM(動態(tài)隨機存儲器),用于緩存,另一種是NAND Flash(閃存),用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領(lǐng)域,韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱,預(yù)期今
          • 關(guān)鍵字: 美光科技  DRAM  NAND  

          受華為斷供影響,DRAM 十月份價格暴跌 9%

          • 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日報道,今年十月份,DRAM 和 NAND 價格遭遇集體暴跌。分析師認為,這是由于美國對華為的制裁所致,這加劇了存儲芯片市場價格的下跌。據(jù)市場研究公司 DRAM Exchange 上個月 30 日的統(tǒng)計,截至 10 月底,PC DRAM(DDR4 8Gb)的固定交易價格為 2.85 美元,相比 9 月份的交易價格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個月保持平穩(wěn)的情況形成了對比,就 NAND 閃存而言,128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲(MLC)
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

          完全漲不動:內(nèi)存價格繼續(xù)觸底

          • 根據(jù)IC Insights的分析報告,DRAM內(nèi)存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢。簡單回顧下,內(nèi)存跌價大致是從2018下半年開始,2019年12月均價一度跌至3.9美元。盡管今年上半年,由于新冠肺炎的原因,在家辦公、遠程學(xué)習(xí)等推動了PC等設(shè)備的需求增長,內(nèi)存價格有所小幅反彈,但持續(xù)的時間并不長。6月份DRAM均價是3.7美元,7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說,三四季度是DRAM價格大幅飆升的旺季,可今年的情況大家都懂,無論是廠商還是個人消費者,其季節(jié)性的購買行為也被擾亂了。另外,盡管5G智能
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

          SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

          • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn),此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品,尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。         圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DDR5  DRAM  

          "爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤了?將轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片?

          • 擱淺2年多的成都格芯廠,在今年5月正式宣布停業(yè)4個多月之后,終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司(以下簡稱“高真科技”),并有望轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。根據(jù)企查查的資料顯示,高真科技成立于2020年9月28日,注冊資本51.091億元人民幣。經(jīng)營范圍包括:“銷售:電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機械設(shè)備、計算機、軟硬件及其輔助設(shè)備;存儲器及相關(guān)產(chǎn)品、電子信息的技術(shù)開發(fā);電子元器件制造;集成電路制造;軟件開發(fā);質(zhì)檢技術(shù)服務(wù)(不含進出口商品檢驗鑒定、認證機構(gòu)、民用核安全設(shè)備無損檢驗、
          • 關(guān)鍵字: 格芯成都  DRAM  

          HBM2E 和GDDR6: AI內(nèi)存解決方案

          • 前言人工智能/機器學(xué)習(xí)(AI/ML)改變了一切,影響著每個行業(yè)并觸動著每個人的生 活。人工智能正在推動從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年,人工智能訓(xùn)練集增長了30萬倍,每3.43個月翻一番,這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實現(xiàn)的改進,摩爾定律在任何情況下都在放緩,這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進。從2012年至今,訓(xùn)練能力增長了30萬倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點領(lǐng)域之一。以先進的駕駛員輔助系
          • 關(guān)鍵字: ADAS  ML  DRAM  內(nèi)存  

          三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線開始量產(chǎn)

          • 實現(xiàn)DRAM量產(chǎn)后,預(yù)計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動設(shè)備市場,下一步進軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線正式開工,首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV(Extreme Ultraviolet,極紫外光刻)制程的16Gb(吉字節(jié))LPDDR5移動DRAM,開創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線的建筑面積達12.89萬平方米(
          • 關(guān)鍵字: EUV10  納米級  LPDDR5  DRAM  

          三星宣布其全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)線開始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM

          • 三星今日宣布,其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光(EUV)技術(shù)的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造,擁有當(dāng)下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個新的門檻,克服了先進節(jié)點下DRAM擴展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米,相當(dāng)于約16個足球場,是迄今為止全
          • 關(guān)鍵字: 三星  LPDDR5  DRAM  

          第四代低功耗動態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應(yīng)用解決方案

          • 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術(shù),展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術(shù)與人工智能( AI)的發(fā)展,車載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導(dǎo)航系統(tǒng),發(fā)展到現(xiàn)在的深度學(xué)習(xí)與車聯(lián)網(wǎng)( V2X),并朝著無人駕駛的目標(biāo)前進。而實現(xiàn)此目標(biāo)的關(guān)鍵因素正是半導(dǎo)體。目前,先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)是車載通訊中最普遍的應(yīng)用之一,它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護,以達到無人駕駛的最終目標(biāo)。因此,越來越多的半導(dǎo)體產(chǎn)商與車輛制造
          • 關(guān)鍵字: ADAS  NOR  DRAM  AI  V2X  EM  

          KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

          • 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力,能夠檢測出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷,從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間(包括那些依賴于極端紫外線(EUV)光刻技術(shù)的芯片)。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架,針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術(shù),可提供高分辨率,高速檢測功能,這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示:“利用單一的高能量電子
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          SK海力士開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

          • 7月2日,SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度,通過1,024個I/Os(Inputs/Outputs, 輸入/輸出)能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清(FHD)電影(每部3.7GB),是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接,其容量達到了16GB,是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

          SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

          • SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。           圖1. SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度,通過1,024個I/Os(Inputs/Outputs,  輸入/輸出)能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清(FHD)電影(每部3.
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  超高速  DRAM  HBM2E  
          共1831條 11/123 |‹ « 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 » ›|

          1α dram 介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條1α dram !
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對1α dram 的理解,并與今后在此搜索1α dram 的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();