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IEK:DRAM去年單價上漲55%,今年再漲32%
- 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)引用市調機構調查報告指出，去年全球DRAM價量飆揚，產(chǎn)值年增達約77%、達725億美元，平均銷售單價上漲55%;今年預估還是供不應求，雖然漲幅力道不如去年大，但在主要供貨商仍有節(jié)制增產(chǎn)下， 預估今年平均銷售單價仍會漲逾32%，年產(chǎn)值估約年增23%、達近900億美元，為歷年來新高。 IEK看好今年內(nèi)存仍將會是價量齊揚的一年，主因人工智能將從云端運算往下落到邊緣運算，預估到2022年，將會有高達75%的數(shù)據(jù)處理工作不在云端數(shù)據(jù)中心完成， 而是透過靠近用戶的邊緣運
- 關鍵字： DRAM
海力士：去年第四季DRAM平均價格漲9%
- 全球第二大內(nèi)存芯片廠韓國SK海力士受惠DRAM價格大漲，以及市況持續(xù)暢旺，去年第4季獲利創(chuàng)單季新高，看好今年服務器內(nèi)存需求持續(xù)強勁。 市調機構集邦則預期，盡管智能手機銷售不如預期，恐導致本季移動內(nèi)存合約價漲幅收斂為3%，但第2季將重啟拉貨動能，價格仍會續(xù)漲。 SK海力士昨天舉行發(fā)布會并公布去年財報，去年第4季獲利和去年全年獲利都創(chuàng)新高。 該公司分析，去年第4季獲利創(chuàng)高，主因DRAM芯片出貨季增3%，平均價格漲9%;NAND芯片出貨增16%，均價漲4%。 SK海力士預估，2018年DRAM芯
- 關鍵字： 海力士 DRAM
紫光國芯:DRAM芯片設計技術處于世界先進水平
- 紫光國芯周一在全景網(wǎng)投資者互動平臺上回答投資者提問時介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓，有利于更低的功耗。 同時，關于公司在國內(nèi)業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設計技術處于世界先進水平，國內(nèi)稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場份額不大。 針對投資者關于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢問，紫光國芯作出上述回應。 1月26日紫光國芯在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲
- 關鍵字： 紫光國芯 DRAM
2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情
- 2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產(chǎn)業(yè)由悲轉喜。 DRAM無新增產(chǎn)能 首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就
- 關鍵字： DRAM NAND
南亞科：DRAM上半年還會漲
- 南亞科總經(jīng)理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM價格持續(xù)看漲，但漲幅會收斂些，下半年則仍待觀察三星、 SK海力士二大韓廠實際增產(chǎn)內(nèi)容才能做明確分析。 目前來看，韓國二大廠都表明將依市場需求增產(chǎn)，分析DRAM產(chǎn)業(yè)到明年都可維持健康穩(wěn)定。 李培瑛表示，服務器和標準型DRAM今年市場需求持續(xù)強勁，南亞科內(nèi)部預估，今年DRAM位需求增幅約20%至25%，搭配云端數(shù)據(jù)中心對服務器DRAM需求同步暢旺，以及高端手機搭載DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奧運來臨，刺激電視與機頂盒等需求，帶動利基型D
- 關鍵字： 南亞科 DRAM
IC Insights:DRAM今年價格將開始下滑
- 研調機構IC Insights發(fā)布最新報告指出，DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創(chuàng)下歷史新高峰，預估達到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據(jù)歷史經(jīng)驗來看，DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來，可能經(jīng)歷長期間的景氣向下格局，因隨著DRAM產(chǎn)能增加，今年價格將開始下滑，跌勢更恐達2年之久。 回顧2017年，受惠于數(shù)據(jù)中心需求，帶動服務器DRAM明顯升溫，同時智能手機與其他移動裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長，2017年DRAM價格報價一路上揚
- 關鍵字： DRAM
兩大新技術加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機
- 搶攻DRAM市場商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場表現(xiàn)強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預計將成為至今半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
- 關鍵字： 三星 DRAM
兩大新技術加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機
- 搶攻DRAM市場商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場表現(xiàn)強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預計將成為至今半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
- 關鍵字： DRAM DDR4
明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內(nèi)存明年市況恐將不同調，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。 內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。 另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
- 關鍵字： DRAM NAND
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