1α dram 文章 進入1α dram技術社區(qū)
三星計劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價 漲幅約10%
- 全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關電子委托制造廠，計劃調(diào)漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢可望延續(xù)至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。 存儲器業(yè)者強調(diào)，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務器用DRAM需求強勁，加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構，帶動DRAM需求增加，但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，使平均銷售單價居高不下，
- 關鍵字： 三星 DRAM
三大內(nèi)存罕見同時缺貨,三星DRAM再漲10%
- DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長漲勢。 內(nèi)存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會排擠，很少看到兩大內(nèi)存同漲。 這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預期且價格上漲，主要來自數(shù)據(jù)中心、移動設備及計算機三大領域應用需求強，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
- 關鍵字： 三星 DRAM
2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高
- 隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長，調(diào)研機構IC Insights預估，2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來，最佳年增紀錄。亦為2000年以來，第5度IC市場規(guī)模年增幅度達到雙位數(shù)百分比。 2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%，NAND Flash年增35%。不過該機構亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素，是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
- 關鍵字： IC DRAM
半導體行業(yè)競爭激烈 國內(nèi)半導體還需渡過哪些難關
- 過去兩年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應用的火熱發(fā)展，全球半導體產(chǎn)業(yè)迎來了新一輪熱潮。中國半導體制造設備也因此成為全球增速最快的市場，且下游需求良好，前景可期。 通盤來看，全球前十大半導體廠，有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。 國外對于中國半導體發(fā)展采取的措施 眾所周知，半導體行業(yè)的技術主要是來自于美日韓半導體廠商的，他們在半導體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載，技術成熟，專利頗多，而對于中國近年內(nèi)半導體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施，
- 關鍵字： 半導體 DRAM
DRAM 第三季度合約價持續(xù)攀高，七月漲幅約 4.6%
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示，DRAM價格從去年下半年起漲至2017年上半年，依然維持強勁上漲力道，今年第一季的PC DRAM合約均價來到24美元，漲幅逼近四成;第二季均價亦來到27美元，亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價持續(xù)上揚約4.6%，預估下半年價格將會維持小幅上漲態(tài)勢。 旺季需求與七月華亞科氣體事件，DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，時序進入下半年，DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進入傳統(tǒng)旺季，原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場更
- 關鍵字： DRAM
ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年
- IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。 不過因為原廠紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當高。 近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
- 關鍵字： DRAM NAND
SK海力士今年投資規(guī)模上看62億美元 致力于技術提升
- 以往半導體產(chǎn)業(yè)的競爭要素在產(chǎn)能擴大與降低成本，但制程愈趨于先進，研發(fā)難度提高，投資規(guī)模擴大不保證能帶來對等獲利。面對產(chǎn)業(yè)環(huán)境改變，SK海力士(SK Hynix)期盼借由技術創(chuàng)新開拓全球市場。 據(jù)韓媒每日經(jīng)濟報導，SK海力士計劃在2017年下半提高10納米級DRAM生產(chǎn)比例，并持續(xù)增加14納米NAND Flash產(chǎn)量，以取得更具優(yōu)勢的成本競爭力，提高事業(yè)獲利性。 SK海力士將持續(xù)以大規(guī)模研發(fā)投資提高技術競爭力。 資通訊技術發(fā)達帶動存儲器需求成長，移動裝置用DRAM及NAND Flash
- 關鍵字： SK海力士 DRAM
1α dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條1α dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對1α dram的理解，并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對1α dram的理解，并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
1α dram相關帖子
1α dram資料下載
1α dram專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473