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1α dram 文章 進(jìn)入1α dram技術(shù)社區(qū)
力晶：大陸DRAM做不起來(lái) 5G時(shí)代存儲(chǔ)器會(huì)長(zhǎng)缺
- 力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長(zhǎng)黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來(lái)用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來(lái)扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲(chǔ)器，包括紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計(jì)進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會(huì)放緩，配合韓國(guó)2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來(lái)DRAM是長(zhǎng)期缺貨的走勢(shì)! 黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒(méi)有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對(duì)10納米晶圓代工和NAND F
- 關(guān)鍵字： DRAM 5G
三星制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖 15納米是制程微縮極限
- 三星電子為了鞏固存儲(chǔ)器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國(guó)業(yè)者追上。 韓媒 etnews 18 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標(biāo)最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 三星從 20 納米制程(28→25&rar
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍(lán)圖、15nm是制程微縮極限？
- 三星電子為了鞏固存儲(chǔ)器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國(guó)業(yè)者追上。 韓媒etnews 18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組，目標(biāo)最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 三星從20納米制程(28→25→20)，轉(zhuǎn)進(jìn)10納米制程(18&rarr
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DDR4將首度超越DDR3 2017年占整體DRAM58%
- 第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷售額中的占比不斷成長(zhǎng)。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲(chǔ)器靠攏，預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會(huì)揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過(guò)去6年DDR3占比持續(xù)維持第
- 關(guān)鍵字： DDR4 DRAM
機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來(lái)，隨著 NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過(guò)，這種上漲趨勢(shì)將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國(guó)廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過(guò)去的漲勢(shì)，開始出現(xiàn)下跌的情況。 Gart
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
IC Insights :DRAM價(jià)格下半年要下滑
- IC Insights 對(duì)DRAM后市提出示警，預(yù)期下半年隨著供給增加，產(chǎn)品價(jià)格恐將下滑，DRAM 市場(chǎng)無(wú)可避免將展開周期性修正。 IC Insighta 指出，DRAM 價(jià)格自 2016 年中以來(lái)快速走高，據(jù)統(tǒng)計(jì)，DRAM 平均售價(jià)已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達(dá)至 54%。 在產(chǎn)品價(jià)格大漲帶動(dòng)下，IC Insights 預(yù)估，今年 DRAM 產(chǎn)值可望達(dá) 573 億美元規(guī)模，將較去年成長(zhǎng)達(dá) 39%。 IC Insight
- 關(guān)鍵字： DRAM
高啟全：長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入
- 臺(tái)灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團(tuán)操盤存儲(chǔ)器大計(jì)劃超過(guò)1年，日前晉升長(zhǎng)江存儲(chǔ)的執(zhí)行董事、代行董事長(zhǎng)，接受DIGITIMES獨(dú)家專訪公開未來(lái)規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會(huì)在技術(shù)開發(fā)具競(jìng)爭(zhēng)力后才開始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時(shí)間會(huì)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)有利! 長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃存儲(chǔ)器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長(zhǎng)江存儲(chǔ)的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
- 關(guān)鍵字： 長(zhǎng)江存儲(chǔ) DRAM
集邦咨詢：美光圍堵，無(wú)礙中國(guó)DRAM研發(fā)進(jìn)程
- 近日，有媒體報(bào)道美國(guó)存儲(chǔ)器大廠在臺(tái)灣地區(qū)采取司法手段其防止技術(shù)遭遇泄露，目標(biāo)是前華亞科及前瑞晶關(guān)鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談?！ ∈袌?chǎng)更是傳出，美光這一行動(dòng)已經(jīng)波及聯(lián)電與大陸廠商晉華的合作事宜，導(dǎo)致后者出資在聯(lián)電臺(tái)灣南科廠設(shè)置的試產(chǎn)線停產(chǎn)。 不過(guò)，4月5日，聯(lián)電方面對(duì)外表示，確實(shí)有員工收到了訴訟通知，但只是個(gè)人行為，與公司無(wú)關(guān)。此外，聯(lián)電還表示，目前DRAM仍處制程技術(shù)開發(fā)階段，尚無(wú)試產(chǎn)線，并無(wú)外傳試產(chǎn)線暫停的情況，其DRAM技術(shù)的研發(fā)計(jì)劃也將持續(xù)不變?！ 「鶕?jù)集邦咨詢觀察，近年來(lái)，中國(guó)
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
IC Insights：存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景好，DRAM、NAND報(bào)價(jià)調(diào)升兩倍
- DRAM、NAND 快閃存儲(chǔ)器價(jià)格漲不停，促使半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) IC Insights 將今年全球芯片成長(zhǎng)預(yù)估調(diào)升兩倍。 IC Insights 最新預(yù)期 2017 年全球芯片產(chǎn)值將成長(zhǎng) 11%，兩倍高于原先估計(jì)的 5%。IC Insights 解釋原因?yàn)?DRAM、NAND 快閃存儲(chǔ)器展望明顯上修。 IC Insights 現(xiàn)在預(yù)期今年 DRAM 銷售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲(chǔ)器有望成長(zhǎng) 25%，隨著報(bào)價(jià)走揚(yáng)，未來(lái)兩者都還有進(jìn)一步上修的可能。 IC Insights 指出
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
2015年大陸貢獻(xiàn)全球IC需求29%,供給僅4%
- 2013年，中國(guó)從海外進(jìn)口了2,330億美元的半導(dǎo)體，進(jìn)口金額首度超越石油，也促成了中國(guó)「半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現(xiàn)，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導(dǎo)體的進(jìn)口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻(xiàn)了全球29%的半導(dǎo)體需求量，但中國(guó)能自己供應(yīng)的比重僅有4%。 中國(guó)政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長(zhǎng)。 相較于海外的購(gòu)并工作不斷的受到干擾，中國(guó)顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言，我們可以用「自建工廠」，發(fā)展3D Flash，也同步發(fā)展材料設(shè)備業(yè)等幾個(gè)字
- 關(guān)鍵字： IC DRAM
三星美光1xnm DRAM 接連出狀況，市場(chǎng)供貨吃緊仍沒(méi)改善
- 自 2016 年中開始，DRAM 內(nèi)存供貨不足，造成市場(chǎng)價(jià)格全面上漲的情況，如今又要多加一個(gè)變量。 那就是 DRAM 內(nèi)存的市場(chǎng)龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號(hào)的 18 奈米制程的內(nèi)存模塊，并且再重新出貨給客戶之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬(wàn)臺(tái)的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上，不僅是三星出現(xiàn)這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內(nèi)存模塊都有類似的情形發(fā)生，如此也為 2017 年
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
紫光國(guó)芯第四代DRAM存儲(chǔ)器成功通過(guò)科技成果評(píng)價(jià)
- 2017年3月22日，受工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所委托，北京中企慧聯(lián)科技發(fā)展中心在北京主持召開由紫光國(guó)芯股份有限公司/西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲(chǔ)器”科技成果評(píng)價(jià)會(huì)。 北京中企慧聯(lián)評(píng)價(jià)機(jī)構(gòu)嚴(yán)格按照《科技成果評(píng)價(jià)試點(diǎn)暫行辦法》的有關(guān)規(guī)定和要求，秉承客觀、公正、獨(dú)立的原則，聘請(qǐng)同行專家對(duì)該項(xiàng)科技成果進(jìn)行了評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)委員會(huì)聽取了項(xiàng)目完成單位的技術(shù)總結(jié)報(bào)告，對(duì)評(píng)價(jià)資料進(jìn)行了審查，經(jīng)嚴(yán)格質(zhì)詢和充分討論形成了評(píng)價(jià)意見。 &nb
- 關(guān)鍵字： 紫光國(guó)芯 DRAM
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