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韓國海力士在無錫成功“擴容” 規(guī)模國內(nèi)最大
- 繼韓國海力士十二英寸封裝測試項目落戶無錫，其在無錫的銷售中心日前也正式簽約。海力士無錫工廠新任董事權(quán)五哲日前透露，十二英寸后工序項目明年初將建設(shè)完畢，屆時，該集團將真正實現(xiàn)在無錫的一體化生產(chǎn)，成為中國最大的半導體生產(chǎn)基地。 海力士半導體是世界第二大DRAM制造商，也在全球半導體公司中名列前茅。無錫工廠是其在海外唯一的生產(chǎn)基地，承擔了韓國總部百分之五十的DRAM生產(chǎn)量，占全世界DRAM市場的百分之十。 權(quán)五哲稱，金融危機下，國際內(nèi)存需求量逆勢上升，該公司目前內(nèi)存價格較年初已上漲二倍。明年實現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM 封裝測試 DDR3
茂德、TMC、爾必達 金三角定調(diào)
- 茂德與臺灣存儲器公司(TMC)、爾必達(Elpida)三角關(guān)系逐漸撥云見日，茂德將以中科12寸廠為爾必達代工標準型DRAM產(chǎn)品，從65納米制程技術(shù)開始，值得注意的是，茂德與海力士(Hynix)合作關(guān)系并未結(jié)束，為此三角關(guān)系埋下伏筆。此外，茂德中科12寸廠亦將作為TMC工程開發(fā)基地，茂德將提供12寸廠機臺和人才，作為TMC開發(fā)DRAM技術(shù)平臺，這亦破除市場質(zhì)疑TMC沒有廠房、但要做DRAM技術(shù)開發(fā)的疑慮。 存儲器業(yè)者透露，茂德與海力士2008年底達成共識，將技轉(zhuǎn)54納米制程DRAM技術(shù)，但轉(zhuǎn)換至5
- 關(guān)鍵字： 茂德 DRAM 65納米
德國總理暗示將對本國半導體業(yè)提供資助
- 德國總理默克爾15日在柏林的一次演講中暗示，政府可能對本國半導體企業(yè)提供財政資助，以幫助這些企業(yè)更好地與美國公司競爭。 默克爾在演講中比較了德國英飛凌、奇夢達與美國英特爾的情況，并認為英特爾獲得了美國政府經(jīng)濟刺激計劃的慷慨支持。她表示，對歐洲僅剩的幾家半導體生產(chǎn)商，政府可能需要對其提供資助。 數(shù)據(jù)顯示，受經(jīng)濟衰退影響，DRAM價格過去一年下跌58%。德國半導體企業(yè)深受打擊，奇夢達已經(jīng)于今年1月23日申請破產(chǎn)保護。 據(jù)悉，由于德國9月27日將迎來全國大選，總理默克爾和其挑戰(zhàn)者副總理兼外
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 DRAM 半導體
三星DRAM藏伏筆 臺廠忐忑難安
- 過去一向扮演DRAM市場領(lǐng)頭羊的三星電子(Samsung Electronics)，在近期這波合約價上漲過程中，卻表現(xiàn)異常的沈默，存儲器業(yè)者表示，三星不僅不愿意跟進調(diào)漲，甚至業(yè)界不斷傳出三星有意不讓1Gb容量DDR2價格上漲超過1.5美元、甚至1.3美元，似乎不想讓原本奄奄一息的臺廠，再度有喘息機會，加上DRAM產(chǎn)業(yè)前景仍不明確，終端需求回籠跡象還不明顯，但卻已傳出多家DRAM廠開始低調(diào)增加投片量，希望能趕上2009年下半PC市場傳統(tǒng)旺季，這不僅讓整體DRAM市場彌漫著相當詭異氣氛，亦讓臺DRAM廠對
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 晶圓 DDR2
DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開啟內(nèi)存科技新大門
- 據(jù)港臺媒體報道，美國國家標準和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究，希望能為內(nèi)存科技打開新的大門。這項技術(shù)雖然相當創(chuàng)新，但其實去年已經(jīng)先由惠普對外展示它靈活的形式，讓外界為之驚艷。 根據(jù)《CENT》報導，NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成，是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIS
- 關(guān)鍵字： 惠普 DRAM 內(nèi)存 軟性憶阻器
向山寨科技學習什么
- 《山寨科技創(chuàng)了什么新》一文(本刊5月5日號總第267期)發(fā)表以后，讀者的熱情反應(yīng)與分歧的意見，讓遠在大洋彼岸的我始料未及。在本文中，我試圖再次整理山寨中的創(chuàng)新因素，讓居廟堂之高者明白，創(chuàng)新不必非來自于高高在上的微軟、諾基亞或者默克，也不必像當年搞“兩彈一星”那樣舉全國之力傾斜投入，關(guān)鍵在于利用市場全球化、技術(shù)開放化的強大推手，在國際價值產(chǎn)業(yè)鏈上配置資源。 中國要走的自主知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新道路上，山寨科技的摸索已經(jīng)為我們探明了前進的路徑： 研發(fā)模式：螞蟻雄兵的模塊化開發(fā)強
- 關(guān)鍵字： TI DRAM 手機
NAND Flash買氣急凍 通路庫存塞車
- NAND Flash經(jīng)歷2個月價格狂飆后，近期市場買氣一夕轉(zhuǎn)淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價時，通路商一度擔心會缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費者需求不振，導致中間通路商手上庫存整個塞住，并造成16Gb產(chǎn)品現(xiàn)貨價跌破4美元心理關(guān)卡，合約價漲勢亦熄火，模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應(yīng)在營收表現(xiàn)上。 模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場
- 關(guān)鍵字： 蘋果 DRAM NAND
存儲器業(yè)或已過景氣谷底 但前景仍未見光明
- 存儲器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後，看來似乎已經(jīng)落底，但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。 更慘的是，部分分析師認為近期存儲器芯片價格上漲，讓迫切需要進行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻，使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度擁擠狀態(tài)，易于受到周期性景氣榮枯的沖擊。 “除了產(chǎn)業(yè)龍頭三星電子之外，其他動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)業(yè)者都必需想出對策以保留現(xiàn)金及繼續(xù)存活。”富邦投顧研究部協(xié)理李克揚表示。 長期來看，部分業(yè)者很難獨自走出活路。 臺灣政府今年稍早成立臺灣存儲器公司(TM
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 存儲器
美媒：內(nèi)存大廠美光 準備進軍LED與太陽能領(lǐng)域
- 根據(jù)《埃達荷政治家報》網(wǎng)站報導，DRAM大廠Micron Technology正對外尋求資金以擴展 LED制造業(yè)務(wù)，且同時考慮生產(chǎn)太陽能板。 美國埃達荷州政府看好Micron的未來表現(xiàn)，亦積極向美國能源部申請，由該州能源資源局撥款500萬美元。 由于DRAM業(yè)務(wù)虧損連連，Micron索性裁員并關(guān)閉部份產(chǎn)線，連閃存部門也分拆出去與 Intel(英特爾) 共組合資企業(yè)IM Flash Technologies LLC。 有意改變營運重心的Micron，逐漸將眼光放在技術(shù)水準類似，獲利卻更
- 關(guān)鍵字： Micron DRAM LED
海力士、LG、三星和Silicon Image建立下一代內(nèi)存接口技術(shù)規(guī)范
- 海力士半導體公司(Hynix Semiconductor, Inc.，other-otc:HXSCF)、LG Electronics (KRX:066570)、三星電子株式會社(other-otc:SSNLF) 和Silicon Image公司日前宣布組成一個行業(yè)聯(lián)盟，推廣串行端口內(nèi)存技術(shù)(SPMT?)在市場的應(yīng)用，努力使之成為行業(yè)標準。作為首個針對動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的內(nèi)存規(guī)范，SPMT將首先把目光對準手機市場，推動產(chǎn)生能夠運行數(shù)據(jù)高度密集的富媒體應(yīng)用、同時電池壽命更長的新一代移動設(shè)備。
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM 串行端口
Gartner：Q1內(nèi)存銷售同比降41% 三星表現(xiàn)最好
- 據(jù)市場研究公司Gartner本周一發(fā)表的初步統(tǒng)計數(shù)字顯示，全球DRAM內(nèi)存行業(yè)今年第一季度繼續(xù)萎縮，銷售收入下降到了8年以來的最低的并且繼續(xù)增加虧損。 Gartner稱，今年第一季度全球DRAM內(nèi)存行業(yè)的銷售收入是35.7億美元，同比下降了41%，是2001年第四季度以來銷售收入最低的。第一季度的數(shù)字還顯示比去年第四季度43.8億美元的銷售收入減少了18%。 DRAM內(nèi)存行業(yè)的下降是從兩年前開始的，過多地建設(shè)工廠導致了內(nèi)存芯片過剩。全球經(jīng)濟衰退減少了內(nèi)存芯片向PC的銷售進一步損害了DRAM
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 內(nèi)存
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