EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
1β dram
1β dram 文章 進(jìn)入1β dram技術(shù)社區(qū)
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
- 11 月 6 日消息，天風(fēng)證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報(bào)道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進(jìn) CPU 封裝。雖此事近來(lái)成為焦點(diǎn)，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
- 關(guān)鍵字： 郭明錤 英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來(lái)計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過(guò)改進(jìn)制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 存儲(chǔ)技術(shù) DRAM MRAM 3D堆疊
HBM對(duì)DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升
- TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)處高成長(zhǎng)階段，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，營(yíng)收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。TrendForce指出，HBM市場(chǎng)仍處于高成長(zhǎng)階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級(jí)下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動(dòng)HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺(tái)將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM TrendForce
三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計(jì)算
- 三星電子今日宣布，已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲(chǔ)器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應(yīng)用程序的理想選擇之一。三星半導(dǎo)體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲(chǔ)解決方案的各個(gè)領(lǐng)域，例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站，這將進(jìn)一步擴(kuò)展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機(jī)和自動(dòng)駕駛等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域之外的應(yīng)用范圍。三星電子存儲(chǔ)器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁裴永哲（Bae YongCh
- 關(guān)鍵字： 三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能計(jì)算
TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔
- 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫，中國(guó)大陸地區(qū)的智能型手機(jī)，出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過(guò)高的情形，筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買，市場(chǎng)持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30％。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來(lái)走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場(chǎng)正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
- 關(guān)鍵字： TrendForce 內(nèi)存 DRAM
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM
- 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
- 關(guān)鍵字： SK海力士 第六代 10納米級(jí) DDR5 DRAM
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價(jià)將上調(diào)
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收成長(zhǎng)，2024年第二季整體DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)229億美元，季增24.8%。價(jià)格方面，合約價(jià)于第二季維持上漲，第三季因國(guó)際形勢(shì)等因素，預(yù)估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價(jià)漲幅將高于先前預(yù)期。觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷售單價(jià)方面，三大廠延續(xù)第一季合約價(jià)上漲情勢(shì)，加上臺(tái)灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
- 關(guān)鍵字： imec High-NA EUV DRAM
外媒：三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM
- 8月7日消息，隨著移動(dòng)設(shè)備功能的不斷增強(qiáng)，對(duì)內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報(bào)道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級(jí)別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項(xiàng)，專為低功耗RAM市場(chǎng)設(shè)計(jì)，主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機(jī)。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計(jì)，這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過(guò)優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
- 關(guān)鍵字： 三星 手機(jī)芯片 LPDDR5X DRAM
HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢(shì)可期
- 近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的DRAM價(jià)格漲勢(shì)停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報(bào)價(jià)漲勢(shì)。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對(duì)一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨，可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢(shì)。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對(duì)價(jià)格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過(guò)輝達(dá)（NVIDIA）認(rèn)證，輝達(dá)GB200將于2025年放量，其
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM 美光
圓滿收官！紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力
- 圓滿收官！紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力2024年7月8日至10日，西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱：紫光國(guó)芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國(guó)芯聚焦人工智能、高性能計(jì)算、汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等重點(diǎn)領(lǐng)域，為客戶提供全方面的存儲(chǔ)產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)重點(diǎn)展示了DRAM存儲(chǔ)系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
- 關(guān)鍵字： 紫光國(guó)芯 慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL
服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價(jià)格第三季漲幅達(dá)8-13%
- 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價(jià)格漲幅達(dá)8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補(bǔ)庫(kù)存意愿漸趨保守，供應(yīng)商及買方端的庫(kù)存水平未有顯著變化。觀察第三季，智能手機(jī)及CSPs仍具補(bǔ)庫(kù)存的空間，且將進(jìn)入生產(chǎn)旺季，因此預(yù)計(jì)智能手機(jī)
- 關(guān)鍵字： 服務(wù)器 DRAM TrendForce
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%
- 6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過(guò)一半（即561個(gè)）為良
- 關(guān)鍵字： SK海力士 3D DRAM
云端CSPs將擴(kuò)大邊緣AI發(fā)展，帶動(dòng)2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達(dá)7%
- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢觀察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商，將仍為采購(gòu)高階主打訓(xùn)練用AI server的主力客群，以作為L(zhǎng)LM及AI建模基礎(chǔ)。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓(xùn)練用server基礎(chǔ)設(shè)施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發(fā)展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI server，促其企業(yè)客戶在制造、金融、醫(yī)療、商務(wù)等各領(lǐng)域應(yīng)用落地。此外，因AI PC或NB在計(jì)算機(jī)設(shè)備基本架構(gòu)組成與
- 關(guān)鍵字： 云端 CSPs 邊緣AI DRAM TrendForce
1β dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條1β dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)1β dram的理解，并與今后在此搜索1β dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)1β dram的理解，并與今后在此搜索1β dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
1β dram相關(guān)帖子
1β dram資料下載
1β dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473