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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 14納米

          傳Nvidia也變“芯” 擁抱三星14納米制程

          •   臺(tái)積電再掉單?韓媒報(bào)導(dǎo),蘋(píng)果、高通之外,繪圖晶片巨擘Nvidia也看上三星電子的14奈米FinFET制程,將從臺(tái)積電轉(zhuǎn)單三星。   韓媒3日?qǐng)?bào)導(dǎo),Nvidia轉(zhuǎn)單三星,可提前一季推出次世代制程晶片。Meritz Securities分析師Park Yu-ak表示,今年全球廠商可能會(huì)全力降低成本,以抵銷應(yīng)用處理器價(jià)格下滑的損失。預(yù)料三星系統(tǒng)半導(dǎo)體部門(mén)今年第二季會(huì)向蘋(píng)果、高通、Nvidia出貨。   與此同時(shí),三星拓展記憶體業(yè)務(wù),3日宣稱量產(chǎn)業(yè)界首見(jiàn)的ePoP(embedded package on
          • 關(guān)鍵字: Nvidia  三星  14納米  

          格羅方德喊冤!強(qiáng)調(diào)14納米技術(shù)良率、量產(chǎn)進(jìn)度都OK

          •   Semiwatch長(zhǎng)期觀察半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的分析師Robert Maire先前傳出,臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手格羅方德半導(dǎo)體( GlobalFoundries Inc.)已要求供應(yīng)商將14 奈米半導(dǎo)體設(shè)備運(yùn)送倉(cāng)庫(kù)暫存、而非直接在晶圓廠進(jìn)行安裝,因此引發(fā)格羅方德可能面臨良率問(wèn)題等疑慮。Summit Research分析師Srini Sundarajan 30日也發(fā)表研究報(bào)告,確認(rèn)格羅方德將設(shè)備暫送倉(cāng)庫(kù)存放的說(shuō)法。   不過(guò),格羅方德發(fā)言人Jason Gorss 30日隨后特地對(duì)barron`s發(fā)布電子郵件聲明稿表示
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  格羅方德  14納米  

          三星擬以14納米FinFET制程 守住蘋(píng)果、進(jìn)攻臺(tái)積電

          •   三星電子(Samsung Electronics)在稍早傳出開(kāi)始量產(chǎn)采用14納米FinFET制程技術(shù)的A9芯片,這對(duì)于三星來(lái)說(shuō),在搶佔(zhàn)先進(jìn)微細(xì)制程市場(chǎng)以及與蘋(píng)果(Apple)合作關(guān)系上,可以說(shuō)是一箭雙雕。   據(jù)ET News報(bào)導(dǎo),三星美國(guó)奧斯汀廠傳出已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)采用14納米FinFET技術(shù)的蘋(píng)果A9。雖然美國(guó)奧斯汀廠以及韓國(guó)器興廠均擁有FinFET制程的產(chǎn)線,但由于為量產(chǎn)的第一階段,因此先由奧斯汀廠打頭陣。   此外分析指出,由于顧及次世代芯片性能資安以及供應(yīng)等問(wèn)題,奧斯汀廠是在蘋(píng)果的要求下首先
          • 關(guān)鍵字: 三星  FinFET  14納米  

          三星披露:開(kāi)始14納米芯片合約生產(chǎn)

          •   三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)及LSI系統(tǒng)業(yè)務(wù)部門(mén)總裁金奇南(Kim Ki-nam)表示,14納米FinFET芯片工廠已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn),不過(guò),他并未透露這家工廠的客戶。   三星這家14納米制程工廠主要是為了拉攏臺(tái)積電的客戶。   三星為蘋(píng)果生產(chǎn)的首批14納米芯片很可能由這兩家工廠制造,有傳言稱,蘋(píng)果已經(jīng)開(kāi)始下單生產(chǎn)S1系統(tǒng)芯片,S1芯片將用于蘋(píng)果智能手表。而業(yè)內(nèi)最大的“應(yīng)用處理器”(AP)巨頭高通也已經(jīng)和三星簽訂協(xié)議,準(zhǔn)備生產(chǎn)下一代應(yīng)用處理器。高通應(yīng)用處理器有望出現(xiàn)在AMD新一代的GPU
          • 關(guān)鍵字: 三星  14納米  高通  

          臺(tái)積急起直追 差距將縮小

          •   三星證實(shí)14納米制程已進(jìn)入生產(chǎn)階段,左右與臺(tái)積電16納米的市占落差,業(yè)界認(rèn)為,臺(tái)積電已全力追趕,明年雖然還是會(huì)落后三星,但雙方差距將會(huì)縮小。   三星首度出現(xiàn)在臺(tái)積電的雷達(dá)屏幕上,靠的就是14納米制程,并讓臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀坦言,明年16納米市占率將輸給三星。   業(yè)界認(rèn)為,三星的14納米制程月產(chǎn)能已有2.5萬(wàn)片,臺(tái)積電則要等到明年6月底前,才能備足5萬(wàn)片的16納米FinFET+產(chǎn)能,在產(chǎn)能落差下,明年上半年蘋(píng)果A9處理器訂單確實(shí)可能略低于三星。   不過(guò),業(yè)界認(rèn)為,三星搶下的A9訂單,應(yīng)該是先
          • 關(guān)鍵字: 三星  臺(tái)積電  14納米  

          杠臺(tái)積 英特爾14納米搶先出貨

          •   臺(tái)積電正與英特爾、三星展開(kāi)14/16納米競(jìng)賽,英特爾資深副總裁Kirk Skaugen 4日指出,采用14納米生產(chǎn)的首款Broadwell架構(gòu)處理器「Core M」已出貨百萬(wàn)計(jì),14納米是該公司歷史上最快切入的產(chǎn)品;明年也會(huì)出現(xiàn)更多無(wú)線化的終端產(chǎn)品。   全球三大晶圓制造廠明年進(jìn)入14/16納米之爭(zhēng),由于英特爾以14納米生產(chǎn)的Core M處理器客戶端產(chǎn)品將在年底上市,三星以14納米為高通生產(chǎn)的手機(jī)芯片也預(yù)計(jì)明年上半年量產(chǎn),一度落后的臺(tái)積電急追,已傳出16納米可能提前在明年第2季量產(chǎn)。   英特爾在
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  臺(tái)積電  14納米  

          英特爾推全球首款14納米芯片 10月開(kāi)始量產(chǎn)

          •   2014年IDF期間,英特爾重點(diǎn)介紹了全球首款14納米可以商用的芯片?酷睿?M處理器,并且透露了這個(gè)產(chǎn)品發(fā)布的時(shí)間節(jié)點(diǎn):基于這個(gè)芯片的產(chǎn)品將于下個(gè)月正式量產(chǎn)。關(guān)于這個(gè)新產(chǎn)品,有這些新聞點(diǎn)可以和大家分享:   1,功耗。盡管英特爾產(chǎn)品性能強(qiáng)勁,但業(yè)界一直在質(zhì)疑英特爾產(chǎn)品的功耗。這次發(fā)布的新處理器產(chǎn)品,功耗僅4.5瓦,是英特爾歷史上效能最高的酷睿處理器。   英特爾數(shù)據(jù)顯示,與上一代產(chǎn)品相比,由于功耗已降低至4.5W,在執(zhí)行有效工作負(fù)載的情況下,可將電池的續(xù)航時(shí)間延長(zhǎng)達(dá)20%(1.
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  14納米  

          三星迎接FinFET時(shí)代 11月量產(chǎn)14納米AP樣品

          •   三星電子(SamsungElectronics)將于11月推出先進(jìn)代工制程14納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)樣品,而此次應(yīng)用14納米制程的應(yīng)用處理器(AP)試制品,也傳出將先提供給高通(Qualcomm)、蘋(píng)果(Apple)、超微(AMD)等主要客戶。   據(jù)韓媒Newstomato報(bào)導(dǎo),三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部計(jì)畫(huà)將于年內(nèi)開(kāi)始量產(chǎn)14納米、20納米晶圓代工產(chǎn)品。擴(kuò)大產(chǎn)能(Rampup)時(shí)機(jī)??雖仍未決定,但業(yè)界分析,三星電子在與高通、蘋(píng)果簽訂最終晶圓代工合約后,有可能將于2015年上半擴(kuò)大
          • 關(guān)鍵字: 三星  14納米  

          英特爾公布最新微架構(gòu)及14納米制程的技術(shù)細(xì)節(jié)

          •   英特爾今天公布了最新微架構(gòu)的細(xì)節(jié),該微架構(gòu)使用英特爾業(yè)界領(lǐng)先的14納米制程工藝進(jìn)行了優(yōu)化。新的微架構(gòu)和14納米制程技術(shù)相結(jié)合,將以高性能、低功耗的特性支持一系列計(jì)算需求和產(chǎn)品,涵蓋了從云計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施,到個(gè)人及移動(dòng)計(jì)算。   新聞要點(diǎn):   英特爾披露了英特爾®酷睿™ M處理器的微架構(gòu)細(xì)節(jié),這是利用英特爾14納米技術(shù)制造的第一款產(chǎn)品。   新的微架構(gòu)和制程的結(jié)合將帶來(lái)新一輪外觀和體驗(yàn)上的創(chuàng)新,產(chǎn)品會(huì)更加輕薄、噪音更低。   相比上一代處理器
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  酷睿  14納米  

          GLOBALFOUNDRIES年底驗(yàn)證14納米工藝明年量產(chǎn)

          •   現(xiàn)任GLOBALFOUNDRIES高級(jí)副總裁暨新加坡分公司總經(jīng)理洪啟財(cái)日前接受記者獨(dú)家專訪時(shí)表示,通過(guò)與韓國(guó)三星公司的技術(shù)合作,GLOBALFOUNDRIES的14納米工藝產(chǎn)線將在今年年底完成驗(yàn)證工作,2015年將在Fab8廠順利進(jìn)入量產(chǎn)階段,量產(chǎn)規(guī)??蓮淖畛醯拿吭?萬(wàn)片增長(zhǎng)到6萬(wàn)片。 ??????? ?????? 現(xiàn)任GLOBALFOUNDRIES高級(jí)副總裁暨新加坡分
          • 關(guān)鍵字: GLOBALFOUNDRIES  14納米  SoC  

          整體16/14納米FinFET設(shè)備訂單恐延一季

          •   Needham & Co.半導(dǎo)體設(shè)備分析師Edwin Mok 27日針對(duì)晶圓代工領(lǐng)域提出了透徹分析,認(rèn)為相關(guān)的半導(dǎo)體設(shè)備訂單有望在今(2014)年下半年攀高,但16/14奈米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)訂單卻將遞延一季。   barron`s.com報(bào)導(dǎo),Mok發(fā)表研究報(bào)告指出,據(jù)了解晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries;GF)正在提高紐約州Malta廠的20奈米制程產(chǎn)能,而三星電子(Samsung)也正在逐漸增加Austin廠的設(shè)備,這似乎支持了近來(lái)傳出的高通(Qualco
          • 關(guān)鍵字: FinFET  14納米  

          三星攜手GLOBALFOUNDRIES開(kāi)發(fā)14nm工藝

          •   根據(jù)為期多年的協(xié)議,GLOBALFOUNDRIES將授權(quán)三星的14納米FinFET器件, 和三星同步使用自己在美國(guó)和韓國(guó)的晶圓廠制造和生產(chǎn)14nm。這是在晶圓業(yè)第一個(gè)能從20納米真實(shí)面積縮放的14納米FinFET技術(shù),而這術(shù)平臺(tái)已經(jīng)獲得了牽引作為高容量,低功耗的SoC設(shè)計(jì)中的首選。隨著GLOBALFOUNDRIES和三星攜手合作,無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體客戶將享有更多的選擇和靈活性,因?yàn)楣?yīng)將來(lái)自多個(gè)世界源地。與此同時(shí),無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體客戶也能維持在流動(dòng)性和IT基礎(chǔ)設(shè)施的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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          英特爾三星14納米來(lái)勢(shì)洶洶 臺(tái)積電迎戰(zhàn)

          •   全球半導(dǎo)體大廠臺(tái)積電、英特爾(Intel)及三星電子(SamsungElectronics)在10納米級(jí)多重閘極3D架構(gòu)的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng),三星和英特爾為確保14納米FinFET技術(shù)領(lǐng)先,紛準(zhǔn)備投入量產(chǎn),臺(tái)積電則致力于16納米FinFET技術(shù)發(fā)展。半導(dǎo)體業(yè)者透露,面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手14納米進(jìn)逼,臺(tái)積電亦布下天羅地網(wǎng)迎戰(zhàn),傳出內(nèi)部針對(duì)16納米制程規(guī)劃3個(gè)版本,且第二版本可能直接在2014年底進(jìn)行試產(chǎn),近期已開(kāi)始說(shuō)服客戶導(dǎo)入。   三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部已完成14納米FinFE
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          14納米:“六仙”過(guò)海 各顯神通

          •   摩爾定律即將敲響終止的音符,業(yè)界對(duì)于半導(dǎo)體業(yè)的前景也產(chǎn)生了各種看法,其中從大的方面,包括從工藝來(lái)看,在14nm之后如何往下走,包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的進(jìn)程等。顯然時(shí)至今日尚沒(méi)有非常清楚的路線圖,但是硅基半導(dǎo)體之后采用什么材料仍值得人們期待。   英特爾:繼續(xù)執(zhí)行“Tick-Tock”發(fā)展策略   英特爾預(yù)計(jì)2014年導(dǎo)入14nm制程量產(chǎn),2015年導(dǎo)入10nm制程,并計(jì)劃于2017年達(dá)到7nm。   據(jù)英特爾已經(jīng)公布的工藝路線圖顯示,在201
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          英特爾揭開(kāi)14納米至強(qiáng)與凌動(dòng)服務(wù)器芯片神秘面紗

          •   英特爾目前仍然牢牢把持著數(shù)據(jù)中心,至少是數(shù)據(jù)中心內(nèi)的大部分服務(wù)器,自然希望在保持現(xiàn)狀之外在網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)等毗鄰領(lǐng)域占據(jù)統(tǒng)治地位。有鑒于此,芯片巨頭舉辦了為期一天的記者與分析師招待會(huì)。同時(shí)參加的還有公司數(shù)據(jù)中心與連接系統(tǒng)部門(mén)的所有高層,共同就未來(lái)數(shù)年的數(shù)據(jù)中心發(fā)展戰(zhàn)略做出說(shuō)明。   作為會(huì)議的一部分,英特爾公司披露了針對(duì)低功耗服務(wù)器的芯片路線圖,外加服務(wù)器與存儲(chǔ)類凌動(dòng)芯片產(chǎn)品,代號(hào)分別為“Avoton”與“Rangeley”。   “我們清
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          14納米介紹

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