16納米文章進(jìn)入16納米技術(shù)社區(qū)

臺(tái)積16納米試產(chǎn)海思處理器明年7月量產(chǎn)

臺(tái)積電昨(12)日宣布，完成16納米主流制程FinFET+(鰭式場(chǎng)效晶體管強(qiáng)化版)全球首顆網(wǎng)通芯片及手機(jī)應(yīng)用處理器試產(chǎn)，預(yù)定本月完成所有可靠性試驗(yàn)，明年7
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臺(tái)積電16納米工藝縮小與三星差距麒麟950仍難逃厄運(yùn)？

　　臺(tái)積電于上周五宣布，期待已久的16nm工藝正式開(kāi)始量產(chǎn)，并且終于縮小了與三星、英特爾在半導(dǎo)體工藝上的差距。預(yù)計(jì)，蘋果A9處理器將成為首批臺(tái)積電16nm工藝的產(chǎn)品，Nvdia、聯(lián)發(fā)科和華為的產(chǎn)品可能要今年晚些時(shí)候才能問(wèn)世。　　臺(tái)積電還公布了其最新工藝的客戶名單，例如，NVIDIA、LG、聯(lián)發(fā)科、飛思卡爾、Avago等產(chǎn)品，不過(guò)令人驚訝的是，蘋果并沒(méi)有出現(xiàn)在這份名單中。因?yàn)?，日前蘋果要求三星和臺(tái)積電給A9處理器降價(jià)，三星已經(jīng)妥協(xié)，而臺(tái)積電則堅(jiān)持不做讓步，這可能導(dǎo)致蘋果進(jìn)一步削減其訂單量，二者的關(guān)系也會(huì)
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臺(tái)積16納米下季量產(chǎn) 份額沖

　　臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音昨(16)日表示，物聯(lián)網(wǎng)及云端大數(shù)據(jù)運(yùn)算相關(guān)晶片，是驅(qū)動(dòng)臺(tái)積電下波成長(zhǎng)動(dòng)能。　　臺(tái)積電去年拿下全球晶圓代工過(guò)半市占，伴隨16奈米下季開(kāi)始量產(chǎn)，市占率將再向上提升，明年即使只列計(jì)16奈米產(chǎn)能，也將穩(wěn)居全球晶圓代工龍頭。　　劉德音強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電的16奈米制程，因電晶體的架構(gòu)，遠(yuǎn)比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的14奈米效能還快10%，臺(tái)積電非常有信心16奈米會(huì)贏得客戶采用，預(yù)估今年第3季開(kāi)始量產(chǎn)，單季營(yíng)收占比會(huì)比去年量產(chǎn)20奈米時(shí)增幅還快，明年是臺(tái)積電穩(wěn)坐全球晶圓龍頭的主力制程。　　至于10奈米
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臺(tái)積電InFO封測(cè)延后一年搭配16納米奪蘋果大單

　　臺(tái)積電內(nèi)部全力醞釀在16納米制程搶回蘋果(Apple)處理器芯片訂單，決定將規(guī)劃許久的InFO(Integrated Fan-out)封測(cè)計(jì)劃全面延后一年上線，寄望2016年搭配16納米制程，全面拿回蘋果下世代A10處理器芯片訂單。然部分IC設(shè)計(jì)客戶認(rèn)為，InFO成本仍過(guò)高，恐難與傳統(tǒng)芯片尺寸覆晶封裝(FC CSP)技術(shù)匹敵，力促臺(tái)積電再度端出Cost-down版本，避免市場(chǎng)叫好不叫座。不過(guò)，相關(guān)消息仍有待臺(tái)積電進(jìn)一步證實(shí)。　　臺(tái)積電封測(cè)計(jì)劃原本布局3D IC技術(shù)，先嘗試推出2.5D封測(cè)技術(shù)CoW
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臺(tái)積最快后年供16納米InFO封裝

　　臺(tái)積電宣布斥資8500萬(wàn)美元(相當(dāng)26億臺(tái)幣)買下高通龍?zhí)稄S、擬跨足高階封測(cè)域。對(duì)此，港系外資出具報(bào)告指出，臺(tái)積應(yīng)會(huì)將這座新廠做為發(fā)展InFO(Integrated fan-out)晶圓級(jí)尺寸封裝(Wafer-level packaging)的基地。　　且若良率改善順暢，臺(tái)積預(yù)計(jì)最快2016年就可望提供16納米制程的InFO封裝服務(wù)。臺(tái)積股價(jià)因短線漲多壓抑，今小跌0.5元。　　該港系外資分析，相較于其它先進(jìn)封裝解決方案，InFO可提供更佳的效能表現(xiàn)，以及更低的價(jià)格與功耗。因此格外適用于行動(dòng)裝置
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臺(tái)積電完成16納米手機(jī)芯片能耗降低50%

　　臺(tái)積電宣告完成16納米手機(jī)芯片，16納米制程處理器將會(huì)在明年正式應(yīng)用，華為已經(jīng)成為首批客戶之一。　　 ? 　　臺(tái)積電完成16納米手機(jī)芯片能耗降低50%(圖片來(lái)自Bing) 　　據(jù)悉，16FF+的制造工藝本月經(jīng)歷了質(zhì)量與可靠性測(cè)試，可支持ARM Cortex-A57核心運(yùn)行至2.3GHz主頻，在運(yùn)行日常任務(wù)時(shí)A57核心與A53核心功耗僅為75mW。與前代20納米產(chǎn)品相比，速度提升40%，能耗降低50%。　　臺(tái)積電聯(lián)席CEO魏哲家(音譯)透露，將于2015年第二季度或第三季度
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臺(tái)積16納米搶快創(chuàng)紀(jì)錄

　　臺(tái)積電甫于今年第2季完成20納米量產(chǎn)，依臺(tái)積電昨(12)日宣布16納米FinFET+制程明年7月量產(chǎn)的時(shí)間進(jìn)程推算，創(chuàng)下全球晶圓代工業(yè)在一年內(nèi)就完成一項(xiàng)新制程量產(chǎn)的新紀(jì)錄，也增強(qiáng)臺(tái)積電在未來(lái)二年內(nèi)在10納米超越英特爾的信心。　　臺(tái)積電能締造這項(xiàng)驚人的成績(jī)，除了董事長(zhǎng)張忠謀親自率領(lǐng)「夜鷹計(jì)畫」成員，日以繼夜拚進(jìn)度之外，先前臺(tái)積電甘愿冒先切入20納米制程、再導(dǎo)入16納米，可能落后三星直接導(dǎo)入14納米制程的風(fēng)險(xiǎn)，等到獲得20納米量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)之后，大量復(fù)制至16納米制程、縮短學(xué)習(xí)曲線，更是關(guān)鍵。　　臺(tái)積電
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臺(tái)積電以16nm制程取得壓倒性勝利

　　日前，全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的ARM架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)芯片成果產(chǎn)出，這是由臺(tái)積電幫助海思半導(dǎo)體雙方合作后的成果。根據(jù)設(shè)備廠透露，這個(gè)成果表明了臺(tái)積電的16納米技術(shù)在面對(duì)英特爾以及三星的強(qiáng)力壓力下，已取得壓倒性的勝利。　　此外，臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn)，目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾，屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾，將讓臺(tái)積電稱冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。　　臺(tái)積電的這項(xiàng)成就，是昨天出席臺(tái)積電高雄氣爆感恩與祝福餐會(huì)的半導(dǎo)體設(shè)備廠
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14/16納米FinFET制程

　　行動(dòng)裝置如智慧型手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)于半導(dǎo)體晶片的需求走到超低功耗，制程技術(shù)從28奈米制程，到20奈米制程，將于2015年進(jìn)入第一代3D設(shè)計(jì)架構(gòu)的FinFET制程，也就是14/16奈米世代。　　臺(tái)積電2015年下半即將量產(chǎn)16奈米世代，英特爾、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries將是14奈米制程世代，英特爾早一些量產(chǎn)，之后是三星，GlobalFoundries制程技術(shù)將屬于三星陣營(yíng)。　　臺(tái)積電因?yàn)闉榇罂蛻籼O果生產(chǎn)20奈米制程晶片，因此16奈
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海思量產(chǎn)，臺(tái)積16納米超前三星英特爾

　　臺(tái)積電最近助海思半導(dǎo)體成功產(chǎn)出全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的安謀(ARM)架構(gòu)網(wǎng)通處理器，設(shè)備廠透露，這項(xiàng)成就宣告臺(tái)積電16納米在面臨三星及英特爾進(jìn)逼下，已取得壓倒性勝利。　　此外，臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn)，目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾，屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾，將讓臺(tái)積電稱冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。　　臺(tái)積電的這項(xiàng)成就，是昨天出席臺(tái)積電高雄氣爆感恩與祝福餐會(huì)的半導(dǎo)體設(shè)備廠所透露，針對(duì)臺(tái)積電宣布全球首顆16納米產(chǎn)
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臺(tái)積電資本支出要砸910億

　　臺(tái)積電沖刺20/16納米先進(jìn)制程，同時(shí)建置先進(jìn)封測(cè)并提升多種特殊制程產(chǎn)能，昨(12)日董事會(huì)大手筆核準(zhǔn)910.3億元資本支出預(yù)算，加速搶食智能行動(dòng)裝置以及物網(wǎng)聯(lián)商機(jī)。　　臺(tái)積電表示，今年資本支出預(yù)估約95億到100億美元(約新臺(tái)幣2,850億至3,000億元)，昨天董事會(huì)核準(zhǔn)的910.3億元，主要用于擴(kuò)充先進(jìn)程所需的潔凈室、廠房、設(shè)備，以及第4季研發(fā)預(yù)算與經(jīng)常性資本支出預(yù)算，并轉(zhuǎn)置部分邏輯制程產(chǎn)能作為多種特殊制程產(chǎn)能。　　臺(tái)積電稍早于法說(shuō)會(huì)表示，明年資本支出仍將高于今年的95億到100
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三星搶單臺(tái)積16納米失先機(jī)

　　臺(tái)積電16納米制程遭遇強(qiáng)敵三星以14納米搶下大客戶高通部分訂單，讓臺(tái)積電明年在16納米市占恐低于勁敵;臺(tái)積電內(nèi)部承認(rèn)，這只是小亂流，預(yù)估2016年將搶回市占，重拾主導(dǎo)權(quán)，并于2017年拉開(kāi)差距。　　張忠謀對(duì)自家技術(shù)維持領(lǐng)先非常有信心，他說(shuō)，28納米制程是驅(qū)動(dòng)臺(tái)積電過(guò)去三年來(lái)業(yè)績(jī)成長(zhǎng)主要?jiǎng)幽?20納米及16納米制程技術(shù)，將是帶動(dòng)公司未來(lái)三年業(yè)績(jī)成長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α? 　　臺(tái)積電昨天法說(shuō)會(huì)中，法人大多聚焦，臺(tái)積電16納米市占未來(lái)是否如20納米，維持全球領(lǐng)先趨勢(shì)。　　面對(duì)法人追問(wèn)，明年16納
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臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者大動(dòng)作加碼投資產(chǎn)生虹吸效應(yīng)

　　據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)消息，晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電，以及封測(cè)雙雄日月光、矽品近期都大動(dòng)作加碼調(diào)高資本支出，并擴(kuò)編人力，透露景氣強(qiáng)勁復(fù)蘇之余，也代表臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者在全球產(chǎn)業(yè)地位重要性愈來(lái)愈高。　　據(jù)，在臺(tái)積電大幅提高資本支出、研發(fā)能量且擴(kuò)大產(chǎn)能建置下，已掀起全球半導(dǎo)體業(yè)一股強(qiáng)大的虹吸效應(yīng)。除了既有的無(wú)晶圓廠IC設(shè)計(jì)公司提高對(duì)臺(tái)制造及后段封測(cè)依賴，連英特爾、德儀、瑞薩、富士通、英飛凌等歐美整合元件大廠(IDM)也加速釋單到臺(tái)灣。　　半導(dǎo)體設(shè)備廠指出，臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)在火車頭臺(tái)積電的帶動(dòng)之下，已經(jīng)建構(gòu)成為
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臺(tái)灣半導(dǎo)體廠下重本筑起高墻

　　晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電，以及封測(cè)雙雄日月光、矽品近期都大動(dòng)作加碼調(diào)高資本支出，并擴(kuò)編人力，透露景氣強(qiáng)勁復(fù)蘇之余，也代表臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者在全球產(chǎn)業(yè)地位重要性愈來(lái)愈高，已筑起同業(yè)難以跨越的高墻。　　在臺(tái)積電大幅提高資本支出、研發(fā)能量且擴(kuò)大產(chǎn)能建置下，已掀起全球半導(dǎo)體業(yè)一股強(qiáng)大的虹吸效應(yīng)。除了既有的無(wú)晶圓廠IC設(shè)計(jì)公司提高對(duì)臺(tái)制造及后段封測(cè)依賴，連英特爾、德儀、瑞薩、富士通、英飛凌等歐美整合元件大廠(IDM)也加速釋單到臺(tái)灣。　　半導(dǎo)體設(shè)備廠指出，臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)在火車頭臺(tái)積電的帶動(dòng)之下，已經(jīng)建構(gòu)成為完整的
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臺(tái)積電、創(chuàng)意攜手16納米制程報(bào)佳音

　　制程技術(shù)又上新臺(tái)階。16nm！各種高速網(wǎng)路架構(gòu)與伺服器或?qū)⑹紫仁芤妗?/li>
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