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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 2nm soc

          里程碑!IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片

          • 藍色巨人出手就是王炸。  5月6日消息,IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片?! 『诵闹笜朔矫?,IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百萬顆晶體管)為333.33,幾乎是臺積電5nm的兩倍,也比外界預估臺積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高?! ?nm晶圓近照  換言之,在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內,就能容納500億顆晶體管?! ⊥瑫r,IBM表示,在同樣的電力消耗下,其性能比當前7nm高出45%,輸出同樣性能則減少75%的功耗。    實際上,I
          • 關鍵字: IBM  2nm  EUV  

          臺積電最新進展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世

          • 全球最大的晶圓代工廠,擁有近500個客戶,這就是他們的獨特之處。一方面,公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務;另一方面,就容量和技術而言,他們必須領先于其他任何人;就產能而言,臺積電(TSMC)是不接受任何挑戰(zhàn),而且未來幾年也不會臺積電今年300億美元的資本預算中,約有80%將用于擴展先進技術的產能,例如3nm,4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認為,到今年年底,先進節(jié)點上的大部分資金將用于將臺積電的N5產能擴大,擴大后的產能將提到至每月110,000?120,000個晶圓啟動(WSP
          • 關鍵字: 2nm  3nm  晶圓  代工  

          全球沖刺2nm,臺積電和中芯國際卻發(fā)展成熟工藝,這是為何?

          • 前兩天,臺媒報道稱臺積電將投資187億人民幣在南京廠建置月產4萬片的28nm產能,據(jù)悉,該計劃將于不久后正式啟動,新產能預計在2022年下半年開始逐步產出,并于2023年實現(xiàn)月產4萬片的目標。當臺積電傳來擴增28nm產能的消息時,大部分人對此感到非常驚訝,在更多人眼中,臺積電作為全球工藝最先進的芯片制造商,在全球都在沖刺2nm工藝的時候,它也應該大力投資3nm、2nm,甚至是更加先進的工藝,而卻不曾想臺積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實上,投資28nm工藝只是臺積電的計劃之一,而其從始至終
          • 關鍵字: 2nm  臺積電  中芯國際  

          臺積電2nm工藝進入研發(fā)階段:升級GAA晶體管、改進EUV效率

          • 做為全球最大最先進的晶圓代工廠,臺積電在7nm、5nm節(jié)點上領先三星等對手,明年面還會量產3nm工藝,接下來則是2nm工藝。臺積電計劃未來三年投資1000億美元,其中先進工藝花費的資金最多,2nm工藝也是前所未有的新工藝,臺積電去年稱2nm工藝取得了重大進展,進度比預期的要好。實際上臺積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張,此前只是技術探索階段,尋找到了可行的技術路徑?,F(xiàn)在2nm工藝才算是進入了研發(fā)階段,重點轉向了測試載具設計、光罩制作及硅試產等方向。根據(jù)臺積電的說法,2nm工藝節(jié)點上,他們也會放棄FinFE
          • 關鍵字: 臺積電  2nm  

          臺積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā),傳聞3nm芯片訂單勢頭強勁

          • 近期臺積電(TSMC)和蘋果更緊密和高效的合作,使得研發(fā)上取得了多項突破?! ∧壳笆謾C開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片,即將推出的A15 Bionic預計將使用更先進的N5P節(jié)點工藝制造,預計蘋果將在2021年占據(jù)臺積電80%的5nm產能。不過臺積電很快將向3nm工藝推進,并且進一步到2nm工藝,這都只是時間問題?!   ?jù)Wccftech報道,為了更好地達成這些目標,臺積電和蘋果已聯(lián)手推動芯片的開發(fā)工作,將硅片發(fā)展推向極限。臺積電和蘋果都為了同一個目標而努力,不過受益者可能不只是蘋果,還有英特爾。臺
          • 關鍵字: 臺積電  蘋果  2nm  3nm  

          加快早期設計探索和驗證,縮短上市時間

          • 芯片級驗證的挑戰(zhàn)鑒于先進工藝設計的規(guī)模和復雜性,而且各方為 搶先將產品推向市場而不斷競爭,片上系統(tǒng) (SoC) 設計團隊沒有時間等到所有芯片模塊都全 部完成后才開始組裝芯片。因此,SoC 設計人員 通常會在模塊開發(fā)的同時開始芯片集成工作,以 便在設計周期的早期捕獲并糾正任何布線違規(guī), 從而幫助縮短至關重要的上市時間。錯誤在早期 階段更容易修復,而且對版圖沒有重大影響,設 計人員在此階段消除錯誤,可以減少實現(xiàn)流片所 需的設計規(guī)則檢查 (DRC) 迭代次數(shù)(圖 1)。但是,早期階段芯片級物理驗證面臨許多挑 戰(zhàn)
          • 關鍵字: 芯片  soc  設計人員  

          利用更高效的 LVS 調試提高生產率

          • 簡介版圖與電路圖比較 (LVS) 驗證是片上系統(tǒng) (SOC) 設計周期中集成電路 (IC) 驗證必不可少的組 成部分,但鑒于當今高密度且層次化的版圖、不斷提高的電路復雜性以及錯綜復雜的晶圓 代工廠規(guī)則,運行 LVS 可能是一項耗時且資源密集的工作。全芯片 LVS 運行不僅會將設計版 圖與電路圖網(wǎng)表進行比較,而且通常還包含會增加 LVS 運行時間的其他驗證,例如電氣規(guī)則 檢查 (ERC) 和短路隔離。根據(jù)設計的復雜性,調試這些設計的 LVS 結果可能同樣具挑戰(zhàn)性且耗時,進而影響總周轉時 間 (TAT) 和計
          • 關鍵字: LVS  SOC  IC設計  Mentor  

          出貨量破億!聯(lián)發(fā)科第一次登頂智能手機SoC

          • 市調機構CounterPoint今天公布了2020年第三季度全球智能手機SoC芯片市場統(tǒng)計報告,聯(lián)發(fā)科意外超越高通而登頂,這也是“發(fā)哥”第一次拿到第一。2019年第三季度的時候,聯(lián)發(fā)科的份額為26%,落后高通5個百分點,但是現(xiàn)在,聯(lián)發(fā)科來到了對手水平,拿下31%的市場,高通則滑落至29%。CounterPoint分析認為,在中國、印度千元機市場上的強勁表現(xiàn),是聯(lián)發(fā)科最大的資本,當季搭載聯(lián)發(fā)科芯片的智能手機出貨量也突破了1億部。不過,高通在5G領域仍然無敵,39% 5G手機都基于高通平臺。第三季度,17%的
          • 關鍵字: 聯(lián)發(fā)科  智能手機  SoC  

          谷歌自研5nm SoC被曝已流片:效仿蘋果 打造全生態(tài)體驗

          • 此前蘋果發(fā)布了基于ARM機構的自研芯片M1,其性能表現(xiàn)十分出色,并且對于蘋果打造全生態(tài)用戶體驗的計劃又進了一步。谷歌作為安卓生態(tài)的領導者,也有意效仿蘋果打通PC、平板、手機的終端壁壘,打造全生態(tài)體驗?! 碜訟xios的最新報道稱,谷歌代號Whitechapel的SoC芯片已于近期流片成功。據(jù)了解,這顆芯片基于三星5nmLPE工藝,8核ARM架構,除了CPU、GPU等,還集成了谷歌的TPU神經網(wǎng)絡加速單元?!   ≈档靡惶岬氖?,一顆芯片從流片到商用大概需要1年左右時間,因此還需要消費者耐心等待?! 〈送?,
          • 關鍵字: 谷歌  5nm  SoC  

          臺積電2nm工藝重大突破!2023年投入試產

          • 這幾年,天字一號代工廠臺積電在新工藝進展上簡直是開掛一般的存在,7nm工藝全面普及,5nm工藝一路領先,3nm工藝近在眼前,2nm工藝也進展神速。根據(jù)最新報道,臺積電已經在2nm工藝上取得一項重大的內部突破,雖未披露細節(jié),但是據(jù)此樂觀預計,2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產,2024年就能步入量產階段。臺積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距,同時延續(xù)摩爾定律,繼續(xù)挺進1nm工藝的研發(fā)。臺積電預計,蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。2nm工藝上,臺積
          • 關鍵字: 臺積電  2nm  

          臺積電:2nm芯片研發(fā)重大突破,1nm也沒問題

          • 一、臺積電:第一家官宣2nm工藝,研發(fā)進度超前據(jù)臺灣經濟日報報道,臺積電2nm工藝取得重大突破,研發(fā)進度超前,業(yè)界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到90%。據(jù)臺媒透露,有別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管(FinFET)架構,臺積電2nm改采全新的多橋通道場效晶體管(MBCFET)架構,研發(fā)進度超前。據(jù)悉,臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團隊,尋找可行路徑進行開發(fā)??剂砍杀尽⒃O備相容、技術成熟及效能表現(xiàn)等多項條件,2nm采以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎的MBCFET架構,解決FinFET因制程微
          • 關鍵字: 臺積電  2nm  

          臺積電2024年將量產突破性的2nm工藝晶體管

          • 9 月 25 日消息 據(jù) wccftech 報道,臺灣半導體制造公司(TSMC)在 2nm 半導體制造節(jié)點的研發(fā)方面取得了重要突破:臺積電有望在 2023 年中期進入 2nm 工藝的試生產階段,并于一年后開始批量生產。目前,臺積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝,該工藝將用于為 iPhone 12 等設備構建處理器。臺積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設計。該設計被稱為多橋溝道場效應(MBCFET)晶體管,它是對先前 FinFET 設計的補充。臺積電第一次作出將 MBCFET 設計用于其晶體管而不
          • 關鍵字: 臺積電  2nm  

          臺積電2nm工藝2023年風險試產良率或達90%

          • 據(jù)臺灣經濟日報報道,臺積電2nm工藝取得重大突破,研發(fā)進度超前,業(yè)界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到90%。供應鏈透露,有別于3nm和5nm采用鰭式場效應晶體管(FinFET),臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構。據(jù)悉,臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團隊,尋找可行路徑進行開發(fā)。考量成本、設備相容、技術成熟及效能表現(xiàn)等多項條件,2nm采以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎的MBCFET架構,解決FinFET因制程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題。極紫外光(EUV)微顯
          • 關鍵字: 臺積電  2nm  

          首款5nm 5G Soc!麒麟9000來襲:Mate 40 Pro首發(fā)

          •   蘋果iPad Air 4首發(fā)A14仿生芯片,成為業(yè)界一款搭載5nm處理器的平板設備。不出意外,iPhone 12系列也將使用蘋果A14仿生芯片,預計在10月份亮相?! ∨ciPhone 12同期亮相的預計還有華為Mate 40系列,它將首發(fā)麒麟9000芯片。  9月17日消息,據(jù)外媒報道,華為Mate 40 Pro首發(fā)商用的麒麟9000芯片將是業(yè)界第一款5nm 5G Soc,與蘋果A14仿生芯片不同,麒麟9000直
          • 關鍵字: 5G  Soc  麒麟9000  

          國產視覺應用新平臺 瓴盛科技AIoT SoC芯片破繭而出

          • 作為視頻監(jiān)控的應用和生產大國,中國的視頻監(jiān)控應用誕生了多家重要的國際領先企業(yè),比如??怠⒋笕A等,不過受制于美國的科技管控,兩家企業(yè)均曾被列入美國實體名單,這就讓國內諸多AI和視覺應用的系統(tǒng)方案級企業(yè)不得不考慮更多的硬件選擇,從而更好的將中國的視覺智能應用產業(yè)做大做強。在這樣的前提下,瓴盛科技的JA310的發(fā)布就有了更多不尋常的戰(zhàn)略意義。 8月28日,“2020 AIoT高峰論壇暨瓴盛‘芯視覺’產品發(fā)布會”在成都市雙流區(qū)隆重召開,省市區(qū)相關領導、瓴盛科技股東方、行業(yè)客戶、生態(tài)合作伙伴和媒體記者等超過300位
          • 關鍵字: 瓴盛科技  AIoT  SoC  
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