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          英特爾推進全新架構(gòu),面向數(shù)據(jù)中心、HPC-AI和客戶端計算

          •   英特爾推出兩大x86 CPU內(nèi)核、兩大數(shù)據(jù)中心SoC、兩款獨立GPU,以及變革性的客戶端多核性能混合架構(gòu)  本文作者:Raja M.Koduri英特爾公司高級副總裁兼加速計算系統(tǒng)和圖形事業(yè)部總經(jīng)理  架構(gòu)是硬件和軟件的“煉金術(shù)”。它融合特定計算引擎所需的先進晶體管,通過領(lǐng)先的封裝技術(shù)將它們連接,集成高帶寬和低功耗緩存,在封裝中為混合計算集群配備高容量、高帶寬內(nèi)存和低時延、可擴展互連,并確保所有軟件無縫地加速。披露面向新產(chǎn)品的架構(gòu)創(chuàng)新,是英特爾架構(gòu)師在每年架構(gòu)日上的期許,今年舉辦的第三屆英特爾架構(gòu)日令人
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  架構(gòu)日  CPU  SoC  GPU  IPU    

          基于逐次最鄰近插值的動力電池電壓模擬方法*

          • 動力電池模擬系統(tǒng)是新能源汽車測試平臺等工業(yè)領(lǐng)域的重要裝備,而電池模型是該系統(tǒng)能否精確模擬電池特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。為兼顧數(shù)據(jù)容量和給定電壓的精確性,提出逐次最鄰近插值算法應(yīng)用于電池模型數(shù)據(jù)查表,該方法根據(jù)動力電池在電池電荷狀態(tài)(State of Charge,SOC)初始段、平穩(wěn)段和末尾段的輸出特性,建立了三個不同分辨率的模型子表,并借鑒最鄰近插值算法的計算量小和容易實現(xiàn)的優(yōu)點,采用對模型表逐次迭代分區(qū),進而逼近實際SOC和采樣電流對應(yīng)的電池模型給定電壓值,達到細化電池模型表分辨率效果。討論了迭代次數(shù)選擇對算法
          • 關(guān)鍵字: 查表  最鄰近插值算法  動力電池  SOC  給定電壓  202102  

          2nm工藝要上線?臺積電工廠環(huán)評被卡

          • 芯研所消息,臺積電的2nm芯片工藝計劃上線,但是由于環(huán)評專案小組的初審,建廠計劃未能放行,還需要等8月31日之前補正后再審核。在全球先進工藝量產(chǎn)上,臺積電一枝獨秀,5nm、3nm工藝已經(jīng)領(lǐng)先,再下一代工藝就是2nm了,會啟用全新GAA晶體管,技術(shù)升級很大,光是工廠建設(shè)就要200億美元。臺積電不過臺積電的2nm工廠建設(shè)計劃現(xiàn)在遇到了阻力。消息稱,新竹科學(xué)園區(qū)擬展開寶山用地第二期擴建計劃,環(huán)保部門于25日下午召開環(huán)評專案小組第三次初審會議,水、電以及廢棄物清理等議題受到關(guān)注,專案小組歷經(jīng)逾三小時審議后,最終仍
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          可穿戴設(shè)備SoC的動向與Nordic解決方案

          • 1? ?可穿戴設(shè)備SoC的動向Nordic Semiconductor看到市場對公司無線藍牙5 (BLE) 系統(tǒng)級芯片(SoC)產(chǎn)品的需求激增,尤其是在可穿戴運動產(chǎn)品領(lǐng)域。隨著消費者對于產(chǎn)品功能和電池使用壽命越來越挑剔,使用具有充足的處理能力的高功效SoC 變得越來越重要。此外,還有一種趨勢是增加更多的醫(yī)療級傳感器來測量血氧飽和度(SPO2)、血壓、心電圖(EKG)等,這對SoC 提出了更高的處理性能要求。具有超低功耗LTE-M 和NB-IoT 網(wǎng)絡(luò)的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)的推出,開始推動可穿戴設(shè)
          • 關(guān)鍵字: SoC  可穿戴  202105  

          輕松有趣地提高安全性:SoC組件協(xié)助人們保持健康

          • 我們需要透過智慧的預(yù)防措施來恢復(fù)正常生活。當(dāng)人們必須估量并遵守1.5至2公尺的強制社交距離,很難想象購物、學(xué)習(xí)或工作如何變得輕松起來。在忘記保持安全社交距離時略帶驚恐地跳開,這已經(jīng)見怪不怪。盡管存在著所有的預(yù)防措施,我們?nèi)砸M快恢復(fù)常態(tài)的生活:企業(yè)需要再次提高產(chǎn)量,商店迫切需要營業(yè),兒童和青少年需要上學(xué),以及安排各項休閑活動。但我們還缺乏一個有效、通用和能快速實施這個衛(wèi)生理念的方法。為此,政府發(fā)起了圍繞「距離/衛(wèi)生/日常戴口罩」的運動,目前該運動為遏制新的感染提供了行動綱要,例如受惠于現(xiàn)代科技,企業(yè)和公共
          • 關(guān)鍵字: SoC  可穿戴  物聯(lián)網(wǎng)  

          歐盟半導(dǎo)體“不再幼稚”:10年內(nèi)產(chǎn)能翻倍、搞定2nm工藝

          • 半導(dǎo)體技術(shù)的重要性已經(jīng)無需多提,現(xiàn)在美國、中國、日本、韓國等國家和地區(qū)都在大力投資先進半導(dǎo)體工藝,不希望自己被卡脖子,歐盟現(xiàn)在也清醒了,希望搞定2nm工藝。據(jù)報道,歐盟市場專員蒂埃里·布雷頓(Thierry Breton)日前在采訪中表示,歐盟需要恢復(fù)以前的市場份額,以滿足行業(yè)的需求。他還提到,多年來歐盟在半導(dǎo)體制造業(yè)中的份額下降了,因為該地區(qū)過于幼稚、過于相信全球化。歐盟委員會制定的計劃中,希望2030年將芯片產(chǎn)量翻倍,市場份額提升到20%,為此歐盟正在爭取歐洲地區(qū)先進芯片制造商的支持,目前至少有22個
          • 關(guān)鍵字: 2nm  半導(dǎo)體制造  

          里程碑!IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片

          • 藍色巨人出手就是王炸?! ?月6日消息,IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片?! 『诵闹笜?biāo)方面,IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百萬顆晶體管)為333.33,幾乎是臺積電5nm的兩倍,也比外界預(yù)估臺積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高?! ?nm晶圓近照  換言之,在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi),就能容納500億顆晶體管?! ⊥瑫r,IBM表示,在同樣的電力消耗下,其性能比當(dāng)前7nm高出45%,輸出同樣性能則減少75%的功耗?!   嶋H上,I
          • 關(guān)鍵字: IBM  2nm  EUV  

          臺積電最新進展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世

          • 全球最大的晶圓代工廠,擁有近500個客戶,這就是他們的獨特之處。一方面,公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務(wù);另一方面,就容量和技術(shù)而言,他們必須領(lǐng)先于其他任何人;就產(chǎn)能而言,臺積電(TSMC)是不接受任何挑戰(zhàn),而且未來幾年也不會臺積電今年300億美元的資本預(yù)算中,約有80%將用于擴展先進技術(shù)的產(chǎn)能,例如3nm,4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認為,到今年年底,先進節(jié)點上的大部分資金將用于將臺積電的N5產(chǎn)能擴大,擴大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個晶圓啟動(WSP
          • 關(guān)鍵字: 2nm  3nm  晶圓  代工  

          全球沖刺2nm,臺積電和中芯國際卻發(fā)展成熟工藝,這是為何?

          • 前兩天,臺媒報道稱臺積電將投資187億人民幣在南京廠建置月產(chǎn)4萬片的28nm產(chǎn)能,據(jù)悉,該計劃將于不久后正式啟動,新產(chǎn)能預(yù)計在2022年下半年開始逐步產(chǎn)出,并于2023年實現(xiàn)月產(chǎn)4萬片的目標(biāo)。當(dāng)臺積電傳來擴增28nm產(chǎn)能的消息時,大部分人對此感到非常驚訝,在更多人眼中,臺積電作為全球工藝最先進的芯片制造商,在全球都在沖刺2nm工藝的時候,它也應(yīng)該大力投資3nm、2nm,甚至是更加先進的工藝,而卻不曾想臺積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實上,投資28nm工藝只是臺積電的計劃之一,而其從始至終
          • 關(guān)鍵字: 2nm  臺積電  中芯國際  

          臺積電2nm工藝進入研發(fā)階段:升級GAA晶體管、改進EUV效率

          • 做為全球最大最先進的晶圓代工廠,臺積電在7nm、5nm節(jié)點上領(lǐng)先三星等對手,明年面還會量產(chǎn)3nm工藝,接下來則是2nm工藝。臺積電計劃未來三年投資1000億美元,其中先進工藝花費的資金最多,2nm工藝也是前所未有的新工藝,臺積電去年稱2nm工藝取得了重大進展,進度比預(yù)期的要好。實際上臺積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張,此前只是技術(shù)探索階段,尋找到了可行的技術(shù)路徑?,F(xiàn)在2nm工藝才算是進入了研發(fā)階段,重點轉(zhuǎn)向了測試載具設(shè)計、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據(jù)臺積電的說法,2nm工藝節(jié)點上,他們也會放棄FinFE
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  2nm  

          臺積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā),傳聞3nm芯片訂單勢頭強勁

          • 近期臺積電(TSMC)和蘋果更緊密和高效的合作,使得研發(fā)上取得了多項突破。  目前手機開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片,即將推出的A15 Bionic預(yù)計將使用更先進的N5P節(jié)點工藝制造,預(yù)計蘋果將在2021年占據(jù)臺積電80%的5nm產(chǎn)能。不過臺積電很快將向3nm工藝推進,并且進一步到2nm工藝,這都只是時間問題?!   ?jù)Wccftech報道,為了更好地達成這些目標(biāo),臺積電和蘋果已聯(lián)手推動芯片的開發(fā)工作,將硅片發(fā)展推向極限。臺積電和蘋果都為了同一個目標(biāo)而努力,不過受益者可能不只是蘋果,還有英特爾。臺
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          加快早期設(shè)計探索和驗證,縮短上市時間

          • 芯片級驗證的挑戰(zhàn)鑒于先進工藝設(shè)計的規(guī)模和復(fù)雜性,而且各方為 搶先將產(chǎn)品推向市場而不斷競爭,片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計團隊沒有時間等到所有芯片模塊都全 部完成后才開始組裝芯片。因此,SoC 設(shè)計人員 通常會在模塊開發(fā)的同時開始芯片集成工作,以 便在設(shè)計周期的早期捕獲并糾正任何布線違規(guī), 從而幫助縮短至關(guān)重要的上市時間。錯誤在早期 階段更容易修復(fù),而且對版圖沒有重大影響,設(shè) 計人員在此階段消除錯誤,可以減少實現(xiàn)流片所 需的設(shè)計規(guī)則檢查 (DRC) 迭代次數(shù)(圖 1)。但是,早期階段芯片級物理驗證面臨許多挑 戰(zhàn)
          • 關(guān)鍵字: 芯片  soc  設(shè)計人員  

          利用更高效的 LVS 調(diào)試提高生產(chǎn)率

          • 簡介版圖與電路圖比較 (LVS) 驗證是片上系統(tǒng) (SOC) 設(shè)計周期中集成電路 (IC) 驗證必不可少的組 成部分,但鑒于當(dāng)今高密度且層次化的版圖、不斷提高的電路復(fù)雜性以及錯綜復(fù)雜的晶圓 代工廠規(guī)則,運行 LVS 可能是一項耗時且資源密集的工作。全芯片 LVS 運行不僅會將設(shè)計版 圖與電路圖網(wǎng)表進行比較,而且通常還包含會增加 LVS 運行時間的其他驗證,例如電氣規(guī)則 檢查 (ERC) 和短路隔離。根據(jù)設(shè)計的復(fù)雜性,調(diào)試這些設(shè)計的 LVS 結(jié)果可能同樣具挑戰(zhàn)性且耗時,進而影響總周轉(zhuǎn)時 間 (TAT) 和計
          • 關(guān)鍵字: LVS  SOC  IC設(shè)計  Mentor  

          出貨量破億!聯(lián)發(fā)科第一次登頂智能手機SoC

          • 市調(diào)機構(gòu)CounterPoint今天公布了2020年第三季度全球智能手機SoC芯片市場統(tǒng)計報告,聯(lián)發(fā)科意外超越高通而登頂,這也是“發(fā)哥”第一次拿到第一。2019年第三季度的時候,聯(lián)發(fā)科的份額為26%,落后高通5個百分點,但是現(xiàn)在,聯(lián)發(fā)科來到了對手水平,拿下31%的市場,高通則滑落至29%。CounterPoint分析認為,在中國、印度千元機市場上的強勁表現(xiàn),是聯(lián)發(fā)科最大的資本,當(dāng)季搭載聯(lián)發(fā)科芯片的智能手機出貨量也突破了1億部。不過,高通在5G領(lǐng)域仍然無敵,39% 5G手機都基于高通平臺。第三季度,17%的
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          谷歌自研5nm SoC被曝已流片:效仿蘋果 打造全生態(tài)體驗

          • 此前蘋果發(fā)布了基于ARM機構(gòu)的自研芯片M1,其性能表現(xiàn)十分出色,并且對于蘋果打造全生態(tài)用戶體驗的計劃又進了一步。谷歌作為安卓生態(tài)的領(lǐng)導(dǎo)者,也有意效仿蘋果打通PC、平板、手機的終端壁壘,打造全生態(tài)體驗。  來自Axios的最新報道稱,谷歌代號Whitechapel的SoC芯片已于近期流片成功。據(jù)了解,這顆芯片基于三星5nmLPE工藝,8核ARM架構(gòu),除了CPU、GPU等,還集成了谷歌的TPU神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速單元?!   ≈档靡惶岬氖牵活w芯片從流片到商用大概需要1年左右時間,因此還需要消費者耐心等待?! 〈送?,
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          2nm soc介紹

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