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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 32gb ddr5

          Server DDR5 RDIMM傳PMIC問題,供給受限跌幅將收斂

          • 服務(wù)器新平臺Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa機種量產(chǎn)在即,但近期市場上傳出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性問題,目前DRAM原廠與PMIC廠商均已著手處理。TrendForce集邦咨詢認為,該情況將產(chǎn)生兩種影響,首先,由于僅MPS(芯源系統(tǒng))供應(yīng)的PMIC無狀況,DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重。其次,目前原廠DDR5 Server DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程,短期內(nèi)供給量難免受此事件影響,故預(yù)估第二季DDR5 Server DRAM
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          存儲產(chǎn)品價格大跳水:三星將減產(chǎn) DDR4,轉(zhuǎn)移到 DDR5 / LPDDR5 解決供過于求問題

          • IT之家 4 月 10 日消息,在芯片低迷導(dǎo)致存儲產(chǎn)品價格大跳水的背景下,三星電子第一季度業(yè)績營業(yè)利潤暴跌 95.8%,終于頂不住壓力宣布減產(chǎn)。這是自 1998 年金融危機以來,三星時隔 25 年首次制定正式減產(chǎn)方案。據(jù)韓國《中央日報》援引業(yè)內(nèi)人士消息,三星的減產(chǎn)計劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產(chǎn)品,位于華城市的內(nèi)存產(chǎn)品線產(chǎn)量將削減 3 至 6 個月。消息人士表示,雖然產(chǎn)能有所增加(通過技術(shù)性減產(chǎn)),但與去年 2 月和 3 月的同期相比,晶圓總投入已經(jīng)減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
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          美光科技宣布DDR5服務(wù)器內(nèi)存已獲驗證

          • 近日,美光科技宣布,其用于數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器上得到全面驗證。據(jù)介紹,美光DDR5提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍,這對于推動當(dāng)今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長至關(guān)重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個處理器的更多計算能力,從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負載受益,與前幾代相比,它在 Critical-jOPS(每秒 Java 操作數(shù))基準(zhǔn)測試中的性能
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          美光:DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品已在第四代英特爾至強可擴展處理器中完成驗證

          • IT之家 1 月 17 日消息,美光昨日宣布,公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。據(jù)介紹,美光 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實現(xiàn)了翻番。升級到 DDR5 將帶來更高的帶寬,有助于充分釋放每臺處理器的計算能力,從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到,美光數(shù)據(jù)顯示,SPECjbb 在關(guān)鍵 jOPS(每秒 Java 運行次數(shù))的基準(zhǔn)測試中,性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內(nèi)存帶寬和更強的性
          • 關(guān)鍵字: DDR5  美光  

          美光DDR5為第四代英特爾至強可擴展處理器家族帶來更強的性能和可靠性

          • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾?至強?可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。美光 DDR5?所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實現(xiàn)了翻番,為當(dāng)今數(shù)據(jù)中心快速增長的處理器內(nèi)核提供更強賦能。升級到 DDR5?將帶來更高的帶寬,有助于充分釋放每臺處理器的計算能力,從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強??可擴展處理器強強聯(lián)手,可為各
          • 關(guān)鍵字: 美光  DDR5  英特爾至強  

          SK 海力士開發(fā) 1anm DDR5 DRAM,兼容第四代英特爾至強可擴展處理器

          • IT之家 1 月 13 日消息,SK 海力士宣布,公司研發(fā)的第四代 10 納米級(1a)DDR5 服務(wù)器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務(wù)器處理器(代號為 Sapphire Rapids)兼容認證。SK 海力士表示,采用 EUV(極紫外線)技術(shù)的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務(wù)器處理器可支持的存儲器認證。將通過目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應(yīng)對增長趨勢的服務(wù)器市場,盡早克服存儲器半導(dǎo)體的低迷市況。新一代服務(wù)器用 CPU 上
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DDR5  

          三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

          • 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米(nm)級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責(zé)人Jooyoung Lee表示:"三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效,我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運營的基礎(chǔ)。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算
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          美光與AMD宣布全新技術(shù)合作

          • 12月19日,美光宣布,與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室,以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM(霄龍)處理器均已出貨。長期以來,超級計算機承擔(dān)著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作,以解決人類世界的難題,如天氣和氣候預(yù)測;地震建模;化學(xué)、物理和生物分析等。隨著計算機架構(gòu)的進步,此類工作負載往往托管在超大型“可橫向擴展”的高性能服務(wù)器集群中。這些服務(wù)器集群需要集合最強大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲
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          美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準(zhǔn)測試:內(nèi)存帶寬翻倍

          • IT之家 12 月 19 日消息,據(jù)美光發(fā)布,美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室,以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間,在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM (霄龍)處理器均已出貨,官方對其進行了一些常見的高性能計算(HPC)工作負載基準(zhǔn)測試。長期以來,超級計算機承擔(dān)著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行 TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作,以解決人類世界的難題,如天氣和氣
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          美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器,提升高性能計算工作負載

          • 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺提供一流的用戶體驗。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室,以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間,在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM (霄龍)處理器均已出貨,我們對其進行了一些常見的高性能計算(HPC)工作負載基準(zhǔn)測試。 長期以來,超級計算機承擔(dān)著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作,以解決人類世界的難題,如天氣和氣候預(yù)測;地震建模;化學(xué)、物理和生
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          SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存:超越DDR5-4800 80%!

          • SK海力士宣布,已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存, 起步速率就可以達到8Gbps,相比于標(biāo)準(zhǔn)的DDR5-4800快了多達80% ,也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀(jì)錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā),面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”,多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù),通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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          56核+8通道DDR5內(nèi)存 Intel確認發(fā)燒級CPU王者歸來

          • 還記得2018年Intel推出的至強W-3175X處理器嗎?當(dāng)年這是Intel為了跟AMD競爭專業(yè)市場,將服務(wù)器版至強下放到了工作站,滿血28核56線程,還是唯一解鎖超頻的至強,售價超過2萬元。這款處理器在2021年就退役了,這兩年Intel的發(fā)燒級HEDT平臺也沒了動靜,至強W的繼任者也沒了音信,一度傳聞被取消,但是Intlel現(xiàn)在親自出面,證實了新一代工作站處理器要來了。他們的官推來看,Intel稱新一代的工作站處理器非常快,暗示性能強大,甚至需要用戶重新規(guī)劃下去接咖啡的時間了,因為工作等待時間會更短
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          瀾起科技:DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加

          • IT之家 12 月 5 日消息,根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動記錄,瀾起科技在接受機構(gòu)調(diào)研時表示,隨著 DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升,2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長,從而推動互連類芯片產(chǎn)品線業(yè)務(wù)的增長。據(jù)介紹,內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關(guān)。行業(yè)對內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的,為滿足內(nèi)存容量的增長需求,主要通過兩種方式來實現(xiàn),一是提升內(nèi)存顆粒密度,二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時期內(nèi)存顆粒密度提升放緩,則內(nèi)存容量增
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          DDR5加速滲透,封測龍頭帶來新消息

          • 近日,封測龍頭長電科技宣布,高性能動態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域?qū)Υ鎯ο到y(tǒng)性能的要求不斷提升,DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品,DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢,給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性,市場前景廣闊。反映到芯片成品制造環(huán)節(jié),包括DDR5在內(nèi)的存儲芯片效能不斷提升,對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時延,以及更短互連等要求。為此,長電科技通過各種先進的2.5D/3D封裝技術(shù),實現(xiàn)同尺寸
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          美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺出貨

          • 2022 年 11 月 18 日——中國上?!獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? (霄龍) 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU,其單個CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸,美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬,從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯(lián)合,使
          • 關(guān)鍵字: 美光  DDR5  AMD EPYC 處理器  
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