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          DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來了:頻率、帶寬提升,功耗降低

          • 去年下半年開始,使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機(jī)陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機(jī)的 LPDDR5 并不相同,但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來,那么它今天真的來了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會最初計(jì)劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范,但是很顯然跳票了。兩年后的今天,新規(guī)范正式公布,同時各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進(jìn)行量產(chǎn),不過一開始會用在服務(wù)器上,后來才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標(biāo)準(zhǔn)主要提升了內(nèi)存密度和頻率,其中
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          Intel拍胸脯:DDR5、PCIe 5.0明年見!

          • 因?yàn)榉N種原因,Intel的產(chǎn)品規(guī)劃這兩年調(diào)整非常頻繁,路線圖經(jīng)常出現(xiàn)變動,無論是消費(fèi)級還是企業(yè)級。在近日與投資者溝通時,Intel公關(guān)總監(jiān)Trey Campbell就保證說,將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號Ice Lake-SP的下一代至強(qiáng)服務(wù)器平臺,明年某個時候則會帶來Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構(gòu),并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時不詳(據(jù)說最多38核心),
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          SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范:頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

          • 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。簡單來說,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn),兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進(jìn)一步緩解
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          SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范:頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

          •        盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾?! 『唵蝸碚f,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時序瑟瑟發(fā)抖……)?! 『诵娜萘棵芏确矫?,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB。  其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn),兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
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          Intel、AMD推遲支持:DDR5內(nèi)存明年殺到

          • 據(jù)外媒報(bào)道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會在韓國平澤的新工廠進(jìn)行,三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟,并提高了光刻的準(zhǔn)確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開發(fā)時間。三星估計(jì),使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  內(nèi)存  GDDR5  DDR5  

          中國芯片工廠停擺、DDR5延期?美光辟謠:一切正常

          • 韓媒報(bào)道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報(bào)道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報(bào)道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
          • 關(guān)鍵字: 美光  內(nèi)存  DDR5  

          中國芯片工廠停擺、DDR5延期?美光辟謠:一切正常

          • 韓媒報(bào)道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報(bào)道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報(bào)道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
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          美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片

          • 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片,并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。
          • 關(guān)鍵字: 美光科技  DDR5 DRAM 芯片  

          美光出樣DDR5內(nèi)存:1Znm工藝、性能提升85%

          • 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低,起步頻率至少4800MHz,最高6400MHz。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
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          Intel開始出貨10nm Agilex FPGA:DDR5、PCIe 5.0

          • Intel 10nm工藝雖然有些姍姍來遲,但是布局深廣,包括面向筆記本和服務(wù)器的Ice Lake、3D立體封裝的Lakefield、面向5G基礎(chǔ)設(shè)施的Snow Ridge,還有一款全新的FPGA。
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          海盜船推出首款32G單條內(nèi)存 約人民幣1000元

          • 據(jù)外媒報(bào)道,海盜船已經(jīng)推出第一款32GB單條內(nèi)存,售價149美元起,約合人民幣1000元。
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  海盜船  32GB  

          美光正在為DDR5擴(kuò)大產(chǎn)能 并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)

          • 在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上,美光對其長期未來及對其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心,該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計(jì)劃,并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
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          SK海力士:DDR5內(nèi)存2020年推出,起步5200MHz

          • 近日,SK海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時表示,準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條,頻率起步5200MHz,另外DDR6內(nèi)存也開始策劃了,將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DDR5  

          SK海力士首發(fā)標(biāo)準(zhǔn)DDR5內(nèi)存

          •   SK海力士官方宣布,公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒,且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5?! ?jù)介紹,新內(nèi)存采用SK海力士自家的1Ynm工藝制造,電壓是標(biāo)準(zhǔn)的1.1V,相比于DDR4 1.2V可節(jié)省30%的功耗,同時工作頻率高達(dá)5200MHz,相比于DDR4 3200MHz快了足有60%,帶寬也高達(dá)41.6GB/s,可以每秒傳輸11部全高清電影。SK海力士計(jì)劃2020年起量產(chǎn)這款新型DDR5內(nèi)存顆粒?! ∈姓{(diào)機(jī)構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示,DDR5內(nèi)存需求將在20
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DDR5  

          DDR5內(nèi)存芯片:美光在2019新策略

          •   隨著科技的發(fā)展,DIY行業(yè)又一次迎來了春天,各類產(chǎn)品層出不窮,而美光成為內(nèi)存的老牌廠商,為無數(shù)玩家提供縱橫游戲的尖端裝備,近日,內(nèi)部有消息稱,美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品,并計(jì)劃在2019年底量產(chǎn)?! ∽鳛镈DR4內(nèi)存的繼任者,DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。近日,美光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細(xì)規(guī)格。  從美光公布的文件來看,DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步,最高可達(dá)單條32GB,I/O帶寬能達(dá)到3.2-6.4Gbps,同時電壓1.1V,內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍?! ?/li>
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