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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d芯片

          混合鍵合在3D芯片中發(fā)揮著重要作用

          • 上周,IEEE電子元件與技術(shù)會議(ECTC)的研究人員推動了一項對尖端處理器和存儲器至關(guān)重要的技術(shù)。該技術(shù)被稱為混合鍵合,將兩個或多個芯片堆疊在同一封裝中,使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲器中的晶體管數(shù)量,盡管曾經(jīng)定義摩爾定律的傳統(tǒng)晶體管收縮速度普遍放緩。來自主要芯片制造商和大學的研究小組展示了各種艱苦奮斗的改進,包括應用材料公司、Imec、英特爾和索尼在內(nèi)的一些研究小組顯示的結(jié)果可能導致3D堆疊芯片之間的連接密度達到創(chuàng)紀錄的密度,即在一平方毫米的硅中約有700萬個鏈接。Imec設法在每2微米放置一次的
          • 關(guān)鍵字: 混合鍵合  3D芯片  

          默克:3D芯片是摩爾定律物理極限的最佳解答

          •   隨著半導體先進制程持續(xù)往5奈米、3奈米逼近的同時,摩爾定律也正逐漸走向物理極限。制程的微縮不只越來越困難,耗用的時間也越來越長,成本也越走越高。這使得半導體也必須從材料端與封裝端來打破制程技術(shù)的限制,并達到技術(shù)上的突破。也由于臺灣的半導體實力在全世界有目共睹,這使得默克決定在臺灣高雄成立其亞洲地區(qū)集成電路材料應用研究與開發(fā)中心。   默克研發(fā)中心的重點領(lǐng)域,包括用于薄膜制程的CVD/ALD材料,和用于后段封裝連接和黏晶的導電膠。默克對此研發(fā)中心的投資超過280萬歐元(約1億新臺幣),此研發(fā)中心同時與
          • 關(guān)鍵字: 3D芯片  摩爾定律  

          3D集成系統(tǒng)的測試自動化

          • 封裝技術(shù)的進步推動了三維(3D)集成系統(tǒng)的發(fā)展。3D集成系統(tǒng)可能對基于標準封裝集成技術(shù)系統(tǒng)的性能、電源、功能密度和外形尺寸帶來顯著改善。雖然這些高度集成系統(tǒng)的設計和測試要求仍在不斷變化,但很顯然先進的測試自
          • 關(guān)鍵字: 3D芯片    測試    堆疊  

          3D芯片設計趨于成熟 半導體未來走向整合開發(fā)

          •   電子系統(tǒng)層級(ESL)和高階合成(HLS)方案試圖以硬體取代軟件。法新社在過去,由于軟件內(nèi)容不多、產(chǎn)品制備不容易延滯,開發(fā)業(yè)者會先設計硬體,再完成軟件設計。時至今日,軟件內(nèi)容大增,軟件設計逐漸比硬體占更多時間與成本,且是產(chǎn)品功能重要實現(xiàn)關(guān)鍵。   軟件功能受到重視之甚,使得硬體開始被視為支援軟件最佳化之平臺?,F(xiàn)在許多開發(fā)業(yè)者會先設計軟件,并依據(jù)成本、功耗、存儲器容量、體積等軟件效能限制,去建造支援該軟件的硬體設計。   軟、硬體不只是技術(shù)層面需要顧及,還牽涉到公司結(jié)構(gòu)問題,傳統(tǒng)公司部門分化根深蒂固
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3D芯片  

          美光轉(zhuǎn)向3D芯片 40億美元擴建工廠

          •   傳統(tǒng)的平面閃存在16/15nm工藝之后面臨瓶頸,廠商開始轉(zhuǎn)向3D閃存,這其中三星動作最快,去年就已經(jīng)開始量產(chǎn)第二代V-NAND閃存了,850 Pro及850 Evo硬盤也上市了。東芝/閃迪系也在跟進,在日本擴建Fab 2工廠準備3D閃存生產(chǎn),Intel/美光系去年底也公開了他們的3D NAND閃存,現(xiàn)在也準備量產(chǎn)了。日前美光宣布投資40億美元擴建新加坡的Fab 10晶圓廠,明年底開始量產(chǎn)第二代3D NAND閃存。    ?   美光斥資40億美元升級Fab 10X晶圓廠生產(chǎn)3D N
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D芯片   

          腦科學屆的革命:3D芯片精確控制腦神經(jīng)

          •   用光精確地控制神經(jīng)元可以在腦科學研究和腦疾病治療方面掀起一場革命。   光遺傳學把光敏基因和光源結(jié)合在一起,用來選擇性地打開或關(guān)閉大腦。光遺傳學已經(jīng)成為有希望的研究工具和潛在療法。不過,這一技術(shù)大部分時候只把光打到某個點上,而腦部活動經(jīng)常包括不同區(qū)域以復雜的順序被激活。一個新的設備可以讓光遺傳學變成三維技術(shù),把光的模式發(fā)送到腦部不同坐標的神經(jīng)元上。   “在接下來的幾年里,會出現(xiàn)大量的類似設備,”布朗大學納米光學和神經(jīng)工程實驗室(Nanophotonics and Neur
          • 關(guān)鍵字: 3D芯片  腦神經(jīng)  

          三星將3D芯片制造技術(shù)授權(quán)給GlobalFoundries

          •   4月18日消息,據(jù)路透社報道,三星電子周五表示,公司已將最新的芯片制造技術(shù)授權(quán)給美國制造商GlobalFoundries。此舉旨在幫助后者改善生產(chǎn)力,以提高其在面對像蘋果這樣的大訂單時與臺積電的競爭力。   GlobalFoundries是全球第二大合同芯片制造商。而根據(jù)周五公布的聲明,該公司如今已從三星獲得了3D芯片制造工藝的授權(quán),或稱為FinFET。   三星已計劃在今年第四季度展開14納米工藝的FinFET量產(chǎn)。公司希望不斷提高產(chǎn)能,以滿足當前日趨增加的市場需求。   3D晶體管比傳統(tǒng)平面
          • 關(guān)鍵字: GlobalFoundries  3D芯片  

          3D芯片時代將至 光學檢測設備應用空間擴大

          •   美商陸得斯科技(RudolphTechnologies,Inc.)指出,到了3D晶片時代,矽鉆孔(TSV)、微凸塊(microbumping)等半導體制程技術(shù)越趨復雜,每一道程式的精密控制均開出新的檢測需求,預料光學檢測設備扮演角色依舊吃重,甚至將自表面量測等現(xiàn)行主流用途,開展出更大應用空間。   光學檢測作為制程式控制制(processcontrol)的重要環(huán)節(jié),無論是在半導體前段抑或后段制程,都扮演著決定成品可靠度的重要關(guān)鍵。隨著3D晶片時代箭在弦上,不僅晶片尺寸縮微,制程也更加精密,自動光
          • 關(guān)鍵字: 3D芯片  光學檢測  

          3D芯片封測準備就緒但成本需降低

          •   來自全球11個國家、超過200位的半導體封裝技術(shù)專家,近日齊聚一堂探討能有助于維持半導體技術(shù)創(chuàng)新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術(shù);專家們的結(jié)論是, 3D晶片堆疊技術(shù)已經(jīng)準備就緒,但有需要再進一步降低成本。   由美國喬治亞理工大學(Georgia Tech)封裝研究中心(Packaging Research Center,PRC)所主辦的第三屆年度中介層技術(shù)研討會上,來自Amkor、日月光(ASE)等半導體封裝大廠的專家明確指出,他們已經(jīng)準備好為以中介層基礎的設計進行封裝與測試;此
          • 關(guān)鍵字: 3D芯片  封測  

          3D芯片封測準備就緒但成本需降低

          •   來自全球11個國家、超過200位的半導體封裝技術(shù)專家,近日齊聚一堂探討能有助于維持半導體技術(shù)創(chuàng)新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術(shù);專家們的結(jié)論是,3D晶片堆疊技術(shù)已經(jīng)準備就緒,但有需要再進一步降低成本。   由美國喬治亞理工大學(GeorgiaTech)封裝研究中心(PackagingResearchCenter,PRC)所主辦的第三屆年度中介層技術(shù)研討會上,來自Amkor、日月光(ASE)等半導體封裝大廠的專家明確指出,他們已經(jīng)準備好為以中介層基礎的設計進行封裝與測試;此外晶圓代
          • 關(guān)鍵字: 3D芯片  封測  

          各芯片廠積極研發(fā) 臺積電日月光笑看3D芯片量產(chǎn)

          •   臺積電、日月光、矽品等大廠積極架構(gòu)2.5D及3DIC封測產(chǎn)能,一般預料明年將進入3DIC量產(chǎn)元年,啟動高階生產(chǎn)線及3DIC設備商機,國內(nèi)主要設備供應商弘塑、辛耘及萬潤等業(yè)績吃香。   設備廠表示,3DIC可以改善存儲器產(chǎn)品的性能表現(xiàn)與可靠度,并可協(xié)助減低成本與縮小產(chǎn)品尺寸,現(xiàn)今全球包括臺積電、日月光、矽品、意法、三星、爾必達、美光、格羅方德、IBM、英特爾等多家公司都已陸續(xù)投入3DIC的研發(fā)與生產(chǎn)。   日月光集團研發(fā)中心總經(jīng)理唐和明透露,目前3DIC從設計工具、制造、封裝測試等所有流程的
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3D芯片  

          先進3D芯片堆疊的精細節(jié)距微凸點互連

          • 本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(μbump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點連 ...
          • 關(guān)鍵字: 3D芯片  堆疊  距微凸點  

          NVIDIA首席科學家談3D芯片、中國崛起

          •   GTC2012大會上,曾擔任斯坦福大學計算機科學系主任的NVIDIA首席科學家BillDally在接受EETimes采訪時談到了3D整合電路,技術(shù)層面上中國的崛起以及美國研發(fā)投資的現(xiàn)狀。   關(guān)于3D芯片方面,Dally稱GPU的未來存在著整合若干塊3D堆疊顯存的一條道路,這種設計比較有潛力發(fā)揮出更高的帶寬效果,同時整體功耗更低。此前開發(fā)出HyperMemoryCube的美光實際上已經(jīng)與NVIDIA商議過這一點,但Dally表示由于NVIDIA只想要自己獨立設計芯片,而美光提出的要求帶有在價值鏈上攫
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動之家  3D芯片  

          多維設計技術(shù)力促3D芯片

          • 您可能聽說過這樣的宣傳:隨著目前還是平面結(jié)構(gòu)的裸片向多層結(jié)構(gòu)的過渡,半導體制造基礎在今后幾年內(nèi)將發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。為了使這種多層結(jié)構(gòu)具有可制造性,全球主要半導體組織作出了近10年的不懈努力,從明年開始三維(
          • 關(guān)鍵字: 多維  3D芯片  設計技術(shù)    

          3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀

          • 盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高,但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實用,而且這項技術(shù)的實際發(fā)展速度也相對緩慢,目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
          • 關(guān)鍵字: 3D芯片  堆疊    
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          3d芯片介紹

            世界上第一款3D芯片工藝已經(jīng)準備獲取牌照,該工藝來自于無晶圓半導體設計公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制邏輯上使用了1.28億個垂直晶體管用作內(nèi)存位單元。該芯片的設計在國家Nanofab中心(韓國大田)和斯坦福Nanofab(美國加州)進行。BeSang公司稱,該工藝由25個專利所保護,將允許Flash、DRAM以及SRAM放置在邏輯電路、微處理器以及片上系統(tǒng)上 [ 查看詳細 ]

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