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          DRAM廠商的太陽(yáng)能戰(zhàn)略

          • 在DRAM產(chǎn)業(yè)遭受單價(jià)和庫(kù)存的雙重打擊下,DRAM供應(yīng)商們正在積極調(diào)整經(jīng)營(yíng)策略,應(yīng)對(duì)這一危機(jī)。就在5月5號(hào),內(nèi)存供貨商奇夢(mèng)達(dá)宣布和德國(guó)的太陽(yáng)能公司CentroSolar集團(tuán)合資建立和營(yíng)運(yùn)一座太陽(yáng)能電池制造廠,生產(chǎn)以硅材料為主的太陽(yáng)能電池。CentroSolar將占有49%的股權(quán),奇夢(mèng)達(dá)全資子公司奇夢(mèng)達(dá)Solar GmbH持有另外51%的股權(quán)。并且與位于江西省新余市的江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司達(dá)成了硅片供應(yīng)的協(xié)議。 擁有硅晶圓生產(chǎn)線并且布局太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的DRAM芯片公司,奇夢(mèng)達(dá)并非第一家。臺(tái)
          • 關(guān)鍵字: 奇夢(mèng)達(dá) DRAM 太陽(yáng)能電池  

          財(cái)報(bào)分析存儲(chǔ)器疲軟拖累全局產(chǎn)業(yè)整合愈加頻繁

          •       存儲(chǔ)器市場(chǎng)的持續(xù)低迷,使半導(dǎo)體整體市場(chǎng)表現(xiàn)受到拖累。而業(yè)內(nèi)公司紛紛祭出產(chǎn)業(yè)整合的法寶,或斷尾求生,或抱團(tuán)取暖。總之,當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)再次走出低谷之后,我們又將看到許多陌生的面孔。        最近,全球各大半導(dǎo)體公司陸續(xù)公布了2008年第一季度的財(cái)報(bào),通過(guò)比較各公司的業(yè)績(jī)表現(xiàn)可以看出:存儲(chǔ)器市場(chǎng)在今年第一季度繼續(xù)了去年的頹勢(shì),受此影響,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)整體表現(xiàn)欠佳;為了在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)主動(dòng),很多企業(yè)強(qiáng)調(diào)專注于自身最
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  半導(dǎo)體  DRAM  

          芯片設(shè)備業(yè)有望迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)周期

          •   《商業(yè)周刊》文章指出,經(jīng)過(guò)一年時(shí)間的磨難和快速衰退,半導(dǎo)體廠商們有望在2009年迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)周期。   當(dāng)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士正在為美國(guó)經(jīng)濟(jì)是否已經(jīng)陷入衰退而爭(zhēng)論不休時(shí),半導(dǎo)體設(shè)備廠商們?cè)缇徒?jīng)歷了衰退浪潮的侵襲。標(biāo)準(zhǔn)普爾分析師Angelo Zino表示:“芯片設(shè)備產(chǎn)業(yè)擁有繁榮周期,它早在一年前就已經(jīng)進(jìn)入衰退期,2008年的情況也不太樂觀。”   Zino說(shuō),預(yù)計(jì)今年的半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額將繼續(xù)下滑,主要是因?yàn)閮?nèi)存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲軟。他說(shuō):“我們
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND閃存  

          三星DRAM銷售世界排第一

          •   5月9日消息,周四,韓國(guó)的一份產(chǎn)業(yè)報(bào)告顯示,韓國(guó)三星電子公司今年第一季度的DRAM銷售排名世界第一。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道, 市場(chǎng)研究公司iSuppli表示,三星電子今年1至3月份的DRAM銷售總額為18.1億美元,在同期的全球范圍內(nèi)DRAM銷售總額中占據(jù)30.2%。   該報(bào)告稱,這是三星電子的DRAM銷售額連續(xù)第二個(gè)季度占全球市場(chǎng)30%以上的份額。報(bào)告表示,三星電子極好地應(yīng)對(duì)了最近DRAM價(jià)格大幅下跌的不利情況。   此外,韓國(guó)Hynix半導(dǎo)體公司以11.3億美元的銷
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          功耗文化決定設(shè)計(jì)取向

          •   功耗,人們?cè)诓煌恼Z(yǔ)境下討論這一問(wèn)題:一方面,惜電如金,一方面更加廣泛地利用電能;一方面降低功耗,一方面冷卻用電設(shè)備……由此,降低功耗更是設(shè)計(jì)取向問(wèn)題。   電子行業(yè)的確有兩種功耗文化。在近日美國(guó)舊金山舉辦的eSummit2008上,Qimonda(奇夢(mèng)達(dá))公司的高級(jí)市場(chǎng)行銷總監(jiān)Tom Till認(rèn)為,應(yīng)用對(duì)功耗的要求存在著相互矛盾的地方,設(shè)計(jì)者就是在這樣的環(huán)境下來(lái)研究功耗-性能模型的。一種是盡量降低功耗和相應(yīng)的成本,當(dāng)然性能上也降低。另一種是電池供電的情形,即目前的&
          • 關(guān)鍵字: 功耗  奇夢(mèng)達(dá)  DRAM  

          全球DRAM產(chǎn)業(yè)分分合合 結(jié)盟變化顯示激烈競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)態(tài)

          •   日本大廠(Elpida)與德國(guó)DRAM大廠(Qimonda)24日宣布,已簽訂共同開發(fā)技術(shù)合作意向書,攜手開發(fā)新世代DRAM技術(shù),不僅宣告溝槽式記憶體陣營(yíng)將成為過(guò)去式,奇夢(mèng)達(dá)也將與力晶化敵為友,與爾必達(dá)站在同一陣線力抗業(yè)界龍頭韓國(guó)三星電子。   這是繼上月初臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科技宣布將與奇夢(mèng)達(dá)終止合作,轉(zhuǎn)投美商美光(Micron)陣營(yíng)后,全球DRAM業(yè)又一次勢(shì)力大重組。根據(jù)DRAM市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAMeXchange)調(diào)查,奇夢(mèng)達(dá)與爾必達(dá)去年全球市占率排名分居第三、四名,兩家結(jié)盟后市占率25.6
          • 關(guān)鍵字: DRAM  奇夢(mèng)達(dá)  爾必達(dá)  

          全球半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織委員會(huì)會(huì)議在上海舉行 推動(dòng)存儲(chǔ)工業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)制定

          •   隨著筆記本電腦、手機(jī)等移動(dòng)終端以及家用數(shù)碼產(chǎn)品的大規(guī)模增長(zhǎng),器的移動(dòng)性和能耗問(wèn)題已廣泛受到業(yè)界關(guān)注。日前,(全球半導(dǎo)體組織)委員會(huì)會(huì)議在上海舉行,推動(dòng)存儲(chǔ)工業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)制定。   在過(guò)去五年內(nèi),JEDEC曾與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)組織合作,促進(jìn)中國(guó)及世界的半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。例如中國(guó)電子標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)(CESA),中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(CSIA)與中國(guó)電子標(biāo)準(zhǔn)研究所(CESI)等。   我國(guó)企業(yè)已占JEDEC會(huì)員數(shù)的20%,而且數(shù)目還在增長(zhǎng)。JEDEC本次會(huì)議主要研究了DDR3 SDRAM(第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)
          • 關(guān)鍵字: SDRAM  DRAM  

          存儲(chǔ)器兼并大戰(zhàn)開始打響

          •   ?目前全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)因供過(guò)于求及價(jià)格下降過(guò)快,已經(jīng)到了不可收拾的地步。目前唯一的辦法,是讓一家或幾家首先壓縮產(chǎn)能,來(lái)緩和供需矛盾,促使存儲(chǔ)器價(jià)格的回升。因此業(yè)界共識(shí),全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的兼并重組在即。???? ? ????全球存儲(chǔ)器業(yè)的震蕩在業(yè)界習(xí)以為常,中間最大的變化有兩次。一次是上世紀(jì)80年代日本依靠嚴(yán)格的質(zhì)量管理等,利用計(jì)算機(jī)中存儲(chǔ)器的爆炸性應(yīng)用市場(chǎng),一舉超過(guò)美國(guó)成為全球最大的芯片制造地區(qū),市場(chǎng)占
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  三星  DRAM  

          恒憶?(NUMONYX)強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍存儲(chǔ)器市場(chǎng)

          •   2008年4月1日,中國(guó) – 恒憶™(Numonyx B.V)公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲(chǔ)器,并利用新型相變移位存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù),為存儲(chǔ)器市場(chǎng)開發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲(chǔ)器解決方案。新公司憑借其雄厚實(shí)力和技術(shù)專長(zhǎng),在成立之初就成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先廠商,專注于存儲(chǔ)器開發(fā)制造業(yè)務(wù),為手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費(fèi)電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。 恒憶™將從非易失性存儲(chǔ)器
          • 關(guān)鍵字: RAM  NOR  NAND  DRAM  MP3  

          FPGA到高速DRAM的接口設(shè)計(jì)(04-100)

          •   FPGA做為系統(tǒng)的核心元件正在更多的用于網(wǎng)絡(luò)、通信、存儲(chǔ)和高性能計(jì)算應(yīng)用中,在這些應(yīng)用中都需要復(fù)雜的數(shù)據(jù)處理。   所以,現(xiàn)在FPGA支持高速、外部存儲(chǔ)器接口是必須遵循的?,F(xiàn)在的FPGA具有直接接口各種高速存儲(chǔ)器件的專門特性。本文集中描述高速DRAM到FPGA的接口設(shè)計(jì)。   設(shè)計(jì)高速外部存儲(chǔ)器接口不是一件簡(jiǎn)單的任務(wù)。例如,同步DRAM已發(fā)展成高性能、高密度存儲(chǔ)器并正在用于主機(jī)中。最新的DRAM存儲(chǔ)器—DDR SDRAM,DDR2和RLDRAM II支持頻率范圍達(dá)到133MHz(260
          • 關(guān)鍵字: Altera  FPGA  DRAM  

          Gartner下調(diào)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)率至3.4%

          •   據(jù)報(bào)道,在芯片需求走軟價(jià)格下跌的情況下,市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner下修全球IC產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)率至先前預(yù)測(cè)值的二分之一。   去年12月,Gartner曾預(yù)估全球2008年IC市場(chǎng)將有6.2%的增長(zhǎng);但是在最新的預(yù)估中,修正至3.4%。   根據(jù)Gartner分析,2009-2012年IC市場(chǎng)增長(zhǎng)幅度分別為9.4%、6.5%、0.7%、5.3%。   然而,什么原因使2008年的預(yù)估表現(xiàn)下降?Gartner表示,市場(chǎng)中有許多不樂觀的跡象,首當(dāng)其沖的就是美國(guó)經(jīng)濟(jì)的疲軟甚至衰退。  
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計(jì)

          • 分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E,介紹了采用兩種不同的RAM結(jié)構(gòu),通過(guò)CPLD來(lái)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)大容量FIFO的方法。
          • 關(guān)鍵字: SRAM  DRAM  FIFO  大容量    

          芯片價(jià)格下滑 現(xiàn)代半導(dǎo)體Q4虧損5億美元

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球第二大儲(chǔ)存芯片制造商韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體周五公布去年四季度財(cái)務(wù)報(bào)告稱,由于芯片價(jià)格下降,公司在超過(guò)四年的時(shí)間里首次出現(xiàn)虧損。   現(xiàn)代半導(dǎo)體表示,在12月31日結(jié)束的第四季度,公司虧損了4650億韓元(約合4.928億美元),這是自2003年第二季度以來(lái)現(xiàn)代半導(dǎo)體首次出現(xiàn)的虧損。而2006年同期公司盈利1萬(wàn)億韓元。   由于使用在計(jì)算機(jī)上的DRAM儲(chǔ)存芯片和使用在數(shù)碼相機(jī)上的NAND閃存芯片價(jià)格下滑,四季度現(xiàn)代半導(dǎo)體的銷售收入從2006年同期的2.61萬(wàn)億韓元下降了29%為1.85萬(wàn)
          • 關(guān)鍵字: 儲(chǔ)存 芯片 DRAM   

          奇夢(mèng)達(dá);消費(fèi)電子將取代PC成內(nèi)存主要推動(dòng)

          •   內(nèi)存廠商奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)上一季度的銷售額出現(xiàn)了大幅下滑。在該公司的年度股東會(huì)議上,奇夢(mèng)達(dá)的首席執(zhí)行官羅建華對(duì)未來(lái)發(fā)表了謹(jǐn)慎樂觀的預(yù)測(cè),并稱消費(fèi)電子將取代PC市場(chǎng)成為行業(yè)的主要推動(dòng)力。   在向股東的發(fā)言中,羅建華表示,在過(guò)去一年中主流內(nèi)存芯片(DRAM)產(chǎn)品的平均售價(jià)下跌將近80%,這是奇夢(mèng)達(dá)銷售大幅減少的最主要原因。單在12月份的這個(gè)季度里,價(jià)格就下跌超過(guò)四成?!斑@是內(nèi)存芯片行業(yè)歷史上最嚴(yán)重的一次價(jià)格滑坡,”羅建華說(shuō)。   根據(jù)羅建華的分析,價(jià)格急劇下降的原因是供
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存 奇夢(mèng)達(dá) DRAM   

          全球DRAM廠虧損持續(xù)擴(kuò)大

          • 盡管DRAM價(jià)格暫止血,但全球DRAM廠虧損黑洞卻持續(xù)擴(kuò)大,為搶救當(dāng)前重大危機(jī),包括國(guó)際大廠及臺(tái)系DRAM廠紛紛被迫出招應(yīng)對(duì),其中,全球第3大DRAM廠奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)旗下位于亞太唯一自建12英寸廠,目前已確定將暫停機(jī)器設(shè)備移入;至于同樣面臨極大壓力的臺(tái)廠,則傳出茂德決定在中科12英寸廠歲修時(shí)程將破天荒長(zhǎng)達(dá)10天。臺(tái)DRAM廠坦言,目前全球DRAM產(chǎn)業(yè)鏈的庫(kù)存非常夠用,盡管拉長(zhǎng)歲修時(shí)程對(duì)整體供需幫助不大,卻凸顯各DRAM廠面對(duì)虧損擴(kuò)大壓力,紛紛展開應(yīng)變措施。 現(xiàn)階段對(duì)于DRAM廠而言,投資建廠
          • 關(guān)鍵字: DRAM 半導(dǎo)體 Qimonda  
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