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DRAM十月價格持續(xù)下跌；ETT現(xiàn)貨價急漲12%
- 上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見的急漲局面，DDR2512MbeTT價格收在1.17美元，漲幅約11.9%;相較之下，品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢，上漲至1.37美元，幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2eTT的強勁漲勢，是因為eTT主要的供貨商進行70nm轉(zhuǎn)進，供給量減少，部份買主逢低買進拉抬買氣，進而帶動價格上揚，因此這波價格上揚主要是短期市場操作結(jié)果，而非市場終端需求帶動;此外，這波投機性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒，并沒有
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DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清
- 現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價格持續(xù)小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 十月份合約市場相當(dāng)清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認(rèn)為，倘若預(yù)期十一
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1美元失守！臺DRAM廠難逃虧損百億
- 全球DRAM現(xiàn)貨價16日正式跌破1美元重要心理關(guān)卡，以目前現(xiàn)貨報價及DRAM廠每月產(chǎn)能狀況推估，臺DRAM廠力晶、茂德及南科3雄每月合計將蒙受約1億美元損失，且未來虧損數(shù)字恐持續(xù)擴大，若2007年底前DRAM現(xiàn)貨價無法翻揚，初步估計臺DRAM3雄從現(xiàn)在起到2007年底前總共將虧掉新臺幣100億元以上，其中，以力晶處境最為不利。
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今年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支將達(dá)437億美元
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱，全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支增長速度正在減緩，這種低迷的狀況預(yù)計將持續(xù)到2008年第一季度。2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支總額將達(dá)到437億美元，比2006年增長4.1%。2008年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開始預(yù)計將比2007年增長0.3%。 Gartner分析師稱，2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支的增長將影響到2008年的增長。2008年半導(dǎo)體大型設(shè)備的開支將勉強實現(xiàn)正增長，晶圓加工設(shè)備的開支將出現(xiàn)小幅度的負(fù)增長。后端設(shè)備市場的前景仍是正增長。 Gar
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索尼與奇夢達(dá)組建合資公司 開發(fā)DRAM儲存芯片
- 地時間本周二，日本索尼和德國芯片制造商奇夢達(dá)宣布，它們計劃建立一個芯片設(shè)計合資機構(gòu)，開發(fā)消費電子和游戲機使用的DRAM儲存芯片。 兩公司在一份聯(lián)合聲明中稱，新的合資機構(gòu)稱為 Qreatic Design，計劃在今年年前在東京成立，在由雙方30名專家組成的芯片設(shè)計合資公司中，兩公司將各自擁有50%的股份。合資公司主要開發(fā)高性能、低能量消耗、嵌入式的、明確用于消費電子產(chǎn)品的DRAM芯片。 奇夢達(dá)是全球最大的DRAM儲存芯片制造商之一，盡管索尼內(nèi)部擁有它自己的芯片設(shè)計
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集邦：9月下旬DRAM合約價格預(yù)計下滑10%
- DRAM現(xiàn)貨市場需求不佳，整體報價呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達(dá)7.8%，價格下跌至1.54美元。其余顆粒報價皆呈現(xiàn)微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度，使得價格持續(xù)緩跌。然而當(dāng)DDR2eTT價格跌破5月低點后，部分分銷商及模塊廠開始備貨，使得現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈，間接帶動了些許買氣。而合約市場方面，由于現(xiàn)貨價格快速下跌，加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫存水位，因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動作。
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DRAM價格跌至新低 分析師稱還可能進一步下滑
- 據(jù)國外媒體報道，所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內(nèi)存價格猛跌，行業(yè)分析師預(yù)測，DRAM價格還將進一步下降。 使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價格已比兩周前下跌了12.5%，周二時跌至1.75美元，創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運營一家對內(nèi)存芯片進行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。 這條重大新聞將對用戶產(chǎn)生三個重大影響：第一，DRAM價格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
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ST推出最新的DRAM內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)專用溫度傳感器
- 高性能模擬器件和混合信號產(chǎn)品的主導(dǎo)廠商之一的意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM)今天推出兩款高精度專用數(shù)字溫度傳感器芯片，新產(chǎn)品完全符合個人計算機雙列直插內(nèi)存模塊（DIMM）的溫度監(jiān)測標(biāo)準(zhǔn)JEDEC JC42.4的規(guī)定。 計算機等系統(tǒng)內(nèi)的雙速率DDR2和DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度比上一代標(biāo)準(zhǔn)更快，但是內(nèi)存過熱的風(fēng)險也隨之增加。溫度傳感器可以監(jiān)視內(nèi)存溫度，為中央處理器調(diào)整數(shù)據(jù)流量和采取防過熱措施提供依據(jù)，因此溫度傳感器在系統(tǒng)設(shè)計中變得更為重要。 STTS424是一個獨立使用的數(shù)字溫度傳感器芯片，而STTS
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DRAM市場重現(xiàn)謹(jǐn)慎樂觀氣氛 下半年將出現(xiàn)反彈
- 2001年DRAM市場價格崩潰以來，經(jīng)歷了市場惡化最嚴(yán)重的半年后，2007年下半年DRAM市場開始重現(xiàn)謹(jǐn)慎樂觀氣氛，預(yù)計2007年下半年銷售價格將一路走高。下半年的樂觀因素包括返校帶來的銷售高峰，以及季節(jié)性假日需求來臨，其它具體原因還包括：2007年P(guān)C出貨量預(yù)計增長12%，內(nèi)存平均容量為1.4GB，比2006年的平均800MB內(nèi)存增長75%。2007年第2季度，預(yù)計每臺電腦平均內(nèi)存容量為1.3GB，2007年第3季度預(yù)計達(dá)到1.4GB，2007年第4季度發(fā)展到1.6GB。一些DRAM供應(yīng)商相信，到200
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DRAM和NAND閃存價格上漲幅度開始回落
- 閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲，不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計第三季度價格將輕微上漲，同時出貨量也大幅提升了。同時，NAND目前價格也呈現(xiàn)上升趨勢，這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。 DRAM報價一片漲聲 根據(jù)內(nèi)存交易機構(gòu)DRAMeXchange（集邦電子）的數(shù)據(jù)，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上，不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”
- 根據(jù)iSuppli公司的正式消息，NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的，并且這種狀況可能進一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地，供應(yīng)商們就不會抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個整體將在今年第一季度遭遇運營損失，該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟學(xué)101法則 需求對降價呈現(xiàn)彈性的響應(yīng)，市況惡劣的主要原因在于NAND供
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DRAM現(xiàn)貨市場價格下跌 廠商釋出庫存
- 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)所發(fā)表的最新內(nèi)存市場報告指出，上周DRAM現(xiàn)貨報價受到三星停電事件影響而短暫走高，但后續(xù)追價力道不強，使得部份庫存較多的分銷商反手殺出手中的庫存。集邦表示，DDR2 eTT報價在上周五(10號)再度跌破2美元關(guān)卡到1.93美元。 集邦表示，時序進入傳統(tǒng)PC銷售旺季，但DRAM現(xiàn)貨市場終端需求始終沒有明顯放大，尤其往年七月份是中國大陸地區(qū)的銷售旺季，但如今需求也顯得十分冷清。盡管現(xiàn)貨市場需求已較上個月回溫，但仍不足以刺激現(xiàn)貨市場價格。 至于合約市場部分，八月
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海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi存儲技術(shù)授權(quán)
- 海力士已經(jīng)同意在其動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來替代多個晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀(jì)70年代初發(fā)明DRAM來，基本DRAM位單元實現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場的機會。為確保這項優(yōu)勢，兩家公司已經(jīng)投入相當(dāng)大的工程資源共同開發(fā)該項目。 Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內(nèi)存技術(shù)而應(yīng)用于邏輯芯片，如移動芯片組、微處
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DRAM價格回暖 芯片廠商股價大幅上漲
- 從國外媒體處獲悉：當(dāng)?shù)貢r間本周四，由于計算機內(nèi)存芯片價格大幅上漲，包括韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體在內(nèi)的主要亞洲芯片生產(chǎn)商股價均呈現(xiàn)不同程度的上漲。 根據(jù)DRAMeXchange公布的數(shù)據(jù)顯示，本周三512MB DDR2內(nèi)存的現(xiàn)貨價格上漲17%，這同時也是疲軟的內(nèi)存市場近期出現(xiàn)的罕見的價格反彈現(xiàn)象。由于產(chǎn)量增加再加上市場需求低于預(yù)期，今年DRAM芯片價格大幅下滑，各大內(nèi)存芯片廠商也因此受到不同程度影響。 業(yè)內(nèi)分析人士指出，本周三內(nèi)存現(xiàn)貨價格反彈可能也只是暫時現(xiàn)象，但同時也堅定
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