3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

Stifel：3D NAND技術(shù)看起來(lái)很美好但成本會(huì)持續(xù)多年居高不下

　　近年來(lái)，固態(tài)硬盤似乎已經(jīng)成為了計(jì)算機(jī)的標(biāo)配。而隨著SSD的普及，人們對(duì)于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲(chǔ)空間，制造商們正在想著3D NAND技術(shù)前進(jìn)。與傳統(tǒng)的平面式(2D)設(shè)計(jì)相比，垂直(3D)堆疊能夠帶來(lái)更顯著的容量提升。但是最近，一家名為Stifel的市場(chǎng)研究公司卻發(fā)現(xiàn)：為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，制造商們正在砸下大筆投資，而這種成本壓力卻無(wú)法在多年的生產(chǎn)和銷售后減退多少。　　 ? 　　影響利潤(rùn)的一個(gè)主要原因是，3D NAND芯片的生產(chǎn)，比以往要復(fù)雜得
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Gartner:2014年全球營(yíng)收前10大半導(dǎo)體廠商

　　國(guó)際研究暨顧問機(jī)構(gòu) Gartner 最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果顯示， 2014年全球半導(dǎo)體營(yíng)收總金額達(dá)3,403億美元，較2013年的3,154億美元增加7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合計(jì)之營(yíng)收成長(zhǎng)11.7%，高于業(yè)界整體成長(zhǎng)率。前25大半導(dǎo)體廠占整體市場(chǎng)營(yíng)收72.4%，亦高于2013年的69.9%。　　Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“2014年各類元件皆呈正成長(zhǎng)，不似2013年時(shí)，特殊應(yīng)用積體電路(ASIC)、離散元件(discrete)與微組件(microcompone
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半導(dǎo)體去年成長(zhǎng) DRAM逾3成最猛

　　研究機(jī)構(gòu)Gartner公布最新半導(dǎo)體統(tǒng)計(jì)，去年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收金額達(dá)3403億美元，較2013年3154億美元增加7.9%，以記憶體連續(xù)2年最高，表現(xiàn)最好，其中DRAM去年成長(zhǎng)32%，創(chuàng)下歷史新高。　　Gartner統(tǒng)計(jì)，去年半導(dǎo)體營(yíng)收前3名仍是英特爾、三星與高通，分別為523億美元、347億美元與192.9億美元，市占率為15.4%、10.2%與5.7%;前10名名單都與前年一樣，僅有名次小幅變動(dòng)。　　英特爾三星高通前3名　　經(jīng)過連2年衰退后，英特爾因個(gè)人電腦生產(chǎn)復(fù)蘇而重回成長(zhǎng)，年?duì)I收增
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM

威剛3月營(yíng)收跳增51％，Q2 DRAM需求估回溫

　　記憶體模組大廠威剛(3260)公布3月營(yíng)收為20.72億元，比2月谷底跳增51%。今年第一季合并營(yíng)收為54.52億元，年減24.62%，公司預(yù)期通路庫(kù)存到底，第二季DRAM需求將逐步回溫。　　威剛表示，由于PC淡季持續(xù)，DRAM比重仍與2月相當(dāng)，維持在38%左右;固態(tài)硬碟(SSD)出貨量及銷售金額再創(chuàng)新高，月營(yíng)收貢獻(xiàn)達(dá)25%，累計(jì)今年第一季SSD營(yíng)業(yè)額已近全公司營(yíng)業(yè)額25%，年增率并超越50%。　　威剛今年第一季產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面，DRAM由去年同期的55%降至41%，SSD比重則倍增為非DRAM產(chǎn)
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韓企去年全球DRAM市占率創(chuàng)新高

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS Technology發(fā)布的資料顯示，三星電子和SK海力士去年全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)的市占率總和達(dá)67.7%，是自2001年開始對(duì)DRAM市占率進(jìn)行全面統(tǒng)計(jì)以來(lái)的最高韓企市占率。　　其中，三星電子的市占率為40.4%，高踞首位;SK海力士占27.4%，居次。美國(guó)企業(yè)美光(Micron)半導(dǎo)體的市占率為24.6%，位列第三。　　目前，全球DRAM市場(chǎng)形成三星電子、SK海力士和美光半導(dǎo)體鼎足而三的局面，三家公司的市占率場(chǎng)總和超過九成。
關(guān)鍵字：三星 DRAM

世界半導(dǎo)體市場(chǎng)有望反彈，增速放緩

　　自上世紀(jì)50年代末集成電路問世以來(lái)，應(yīng)用不斷擴(kuò)張，在電子產(chǎn)品中的含量日益提高，市場(chǎng)也隨之接連增長(zhǎng)，上世紀(jì)80年代是世界集成電路市場(chǎng)增長(zhǎng)最快的十年，年均增長(zhǎng)率創(chuàng)歷史最高，接近17%，1989年達(dá)428億美元(見圖1)。這時(shí)期正是IBM的PC上市并獲得大發(fā)展的時(shí)代，對(duì)產(chǎn)品所用MPU，特別是DRAM需求十分殷切。迨至90年代，Intel和AMD在MPU方面開展了激烈的競(jìng)爭(zhēng)以提高其功效，與此同時(shí)微軟公司也每二三年發(fā)布一套新的操作系統(tǒng)，從而大大促進(jìn)了DRAM的應(yīng)用，以便使PC系統(tǒng)能有效地工作，這一時(shí)代的世界集成
關(guān)鍵字： DRAM 集成電路半導(dǎo)體 MPU 201504

3D Systems與UNYQ結(jié)盟：推進(jìn)3D打印假肢外殼

　　UNYQ是一家很有趣的3D打印公司，他們的主要業(yè)務(wù)是為殘疾人的假肢提供3D打印的精美外殼或其他配飾。天工社早先曾經(jīng)報(bào)道過這家公司。UNYQ是在2014年剛剛成立的，如今已經(jīng)在西班牙塞維利亞和美國(guó)舊金山設(shè)立了精品工作室。　　該公司目前提供30款限量版假肢外殼，當(dāng)然，所有的都是3D打印的。UNYQ稱設(shè)計(jì)師和工匠們會(huì)在這些款式的基礎(chǔ)上，與客戶一起創(chuàng)造獨(dú)一無(wú)二、只適合其本人規(guī)格指標(biāo)和個(gè)人風(fēng)格的產(chǎn)品。　　如今UNYQ公司宣稱，他們已經(jīng)與數(shù)字化設(shè)計(jì)和制造專家3D Systems公司簽訂了多層次合作協(xié)議，后
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半導(dǎo)體成長(zhǎng)7.9% DRAM最佳

　　全球半導(dǎo)體去年總產(chǎn)值達(dá)3403億美元，年增7.9%;其中，以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)表現(xiàn)最佳，成長(zhǎng)達(dá)32%。　　據(jù)國(guó)際研究暨顧問機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)統(tǒng)計(jì)，去年半導(dǎo)體各類元件都呈正成長(zhǎng);記憶體市場(chǎng)連續(xù)第2年表現(xiàn)最佳，年增達(dá)16.6%，當(dāng)中又以DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)最突出，產(chǎn)值達(dá)461億美元，年增32%，并創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。　　英特爾(Intel)在經(jīng)過連續(xù)2年業(yè)績(jī)衰退后，去年因個(gè)人電腦生產(chǎn)復(fù)蘇，順利止跌回升，營(yíng)收達(dá)523.31億美元，年增7.7%，全球市占率略降至15.4%，不過，連續(xù)第
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美光 2015 年 Q2 財(cái)測(cè)遜于預(yù)期，股價(jià)恐創(chuàng) 1 年來(lái)最低

　　美國(guó)記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)于 1 日美股盤后公布 2015 會(huì)計(jì)年度第 2 季(截至 2015 年 3 月 5 日為止)財(cái)報(bào)：營(yíng)收年增 1%(季減 9%)至 41.7 億美元;本業(yè)每股盈余自前一季的 0.97 美元降至 0.81 美元。根據(jù)彭博社的調(diào)查，分析師原先預(yù)期美光第 2 季營(yíng)收、本業(yè)每股盈余各為 41.5 億美元、0.73 美元。美光財(cái)報(bào)雖優(yōu)于預(yù)期，但 1% 的營(yíng)收增幅是兩年來(lái)最差的成績(jī)。　　　　取自官網(wǎng) 　　(Sour
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大陸六地競(jìng)逐蓋DRAM廠,最快三年影響產(chǎn)業(yè)

　　今年3月中國(guó)武岳峰資本宣布以6.4億美元并購(gòu)在美國(guó)上市的芯成半導(dǎo)體后，中國(guó)政府正式向全世界宣布要進(jìn)軍半導(dǎo)體領(lǐng)域。TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)顯示，2014年中國(guó)市場(chǎng)的DRAM消化量金額為102億美金，占全球營(yíng)業(yè)額約20%，其龐大內(nèi)需就足以撐起中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，而美國(guó)芯成半導(dǎo)體的整并，只是中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的開端。DRAMeXchange表示，目前有六個(gè)地方政府積極爭(zhēng)取設(shè)立DRAM廠，而中國(guó)中央政府將會(huì)選出其中一個(gè)地方政府設(shè)廠，整合上游廠商發(fā)展出具中國(guó)自有的技
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閃存容量突破性進(jìn)展！

　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。　　這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲(chǔ)容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量，進(jìn)而帶來(lái)很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。　　 ? 　　當(dāng)前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限
關(guān)鍵字：英特爾鎂光 3D NAND

力晶打造物聯(lián)網(wǎng)iRAM芯片　轉(zhuǎn)型之路避開臺(tái)積電

　　力晶成功轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，更瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)商機(jī)推出iRAM解決方案，整合嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、ARM架構(gòu)處理器芯片和通訊技術(shù)成為SoC整合型芯片，預(yù)計(jì)下半年出貨，全面擁抱物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨。　　力晶現(xiàn)在渾身上下都是“晶圓代工魂”，DRAM產(chǎn)品對(duì)力晶而言只是眾多布局的一小塊，除了繼續(xù)替臺(tái)系IC設(shè)計(jì)公司晶豪、鈺創(chuàng)、力積等代工SDRAM芯片，以及協(xié)助存儲(chǔ)器模組大廠金士頓(Kingston)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM芯片外，力晶旗下的12吋晶圓廠已經(jīng)全面擁抱晶圓代工產(chǎn)品線。
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) DRAM

華亞科董事長(zhǎng)：今年DRAM還是好年

　　華亞科技董事長(zhǎng)高啟全今表示，最近產(chǎn)業(yè)沒什么變化，第1季DRAM比較差，因?yàn)镻C DRAM價(jià)格掉比較多，預(yù)期第2季會(huì)回穩(wěn)，價(jià)格有機(jī)會(huì)回溫。他指出，目前看來(lái)今年第2、3、4季會(huì)相當(dāng)穩(wěn)定，今年是DRAM史上第二次連三年大好，今年已連續(xù)好第三年，今年還是一個(gè)好年。　　高啟全說(shuō)，今年是繼1993年后的第二次連續(xù)三年好，但不同的是，前一次靠的是PC需求，今年則不是靠PC，全年還是會(huì)很好，2016年也不會(huì)太差。　　他指出，華亞科下半年因?yàn)?0奈米開始產(chǎn)出，表現(xiàn)仍會(huì)不錯(cuò)。華亞科目前現(xiàn)金水位約400億元。　
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大陸DRAM邁進(jìn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈趨于完整

　　在全球半導(dǎo)體行業(yè)掀起并購(gòu)潮的背景下，中國(guó)政府也大力扶持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。去年紫光集團(tuán)收購(gòu)展訊和銳迪科的消息振奮人心，不久前，DRAM產(chǎn)業(yè)傳來(lái)武岳峰收購(gòu)芯成半導(dǎo)的消息。從這些并購(gòu)案中，我們可以看到大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正趨于完整。　　先說(shuō)說(shuō)半導(dǎo)體行業(yè)的并購(gòu)潮，我們只看2015年，就可以發(fā)現(xiàn)像：東軟載波擬收購(gòu)上海海爾、英飛凌完成收購(gòu)美國(guó)國(guó)際整流器公司、GlobalFoundries收購(gòu)IBM旗下的全球商用半導(dǎo)體技術(shù)業(yè)務(wù)以及震動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的恩智浦收購(gòu)飛思卡爾的收購(gòu)案在2015年開年就接連出現(xiàn)(關(guān)于收購(gòu)案更多
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東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星

　　三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)恐維持不了多久，因?yàn)槿荖AND Flash最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 　　日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計(jì)劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
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