3d dram 文章 進入3d dram技術(shù)社區(qū)
臺存儲器重兵集結(jié)MCP戰(zhàn)場 出貨醞釀大爆發(fā)
- 臺系存儲器供應(yīng)商加速布局利基型產(chǎn)品領(lǐng)域，華邦、旺宏從NOR Flash芯片擴展至低階NAND Flash芯片，專攻車用及工控應(yīng)用市場，南亞科則布局伺服器、智能型手機用的低功耗存儲器產(chǎn)品，至于多芯片封裝(Multi-Chip Package;MCP)市場更是兵家必爭之地，在晶豪與聯(lián)發(fā)科成功合作模式激勵下，旺宏、鈺創(chuàng)亦有意搶進MCP戰(zhàn)場，并傳出正尋覓合作伙伴共同卡位MCP商機。 晶豪是最早布局MCP市場的臺系存儲器供應(yīng)商，過去在SDRAM市場陷入低潮時，晶豪積極尋找新產(chǎn)品成長動能，并相中MCP市場成
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DRAM產(chǎn)業(yè)十年一劫，中國全面搶灘市場
- 中國扶植自有DRAM供應(yīng)鏈計劃浮上臺面，業(yè)界透露中國將分三個階段著手，包括扶植大型集團建立自有技術(shù)、高關(guān)稅逼迫國際大廠合作、強制品牌系統(tǒng)廠采用， 由于上一輪全球DRAM市場崩盤是在2008年發(fā)生，業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆，對于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。 半導(dǎo)體業(yè)者表示，中國建立DRAM產(chǎn)業(yè)最難解問題，似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠所把持的DRAM技術(shù)，然事實上，中
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3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價格甜蜜點
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)價格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品，驅(qū)動SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性儲存市場出貨量翻揚。 慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴大導(dǎo)入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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Stratasys亮相2015上交會 以3D打印激發(fā)創(chuàng)新活力
- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys Ltd.上海分公司今日亮相中國(上海)國際技術(shù)進出口交易會(簡稱上交會)。Stratasys大中華區(qū)總經(jīng)理汪祥艮先生于同期舉行的“3D打印知識產(chǎn)權(quán)保護暨產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上發(fā)表主題演講，分享了在“中國制造2025”的大背景下，3D打印如何以創(chuàng)新驅(qū)動各行業(yè)變革，推動“大眾創(chuàng)業(yè)，萬眾創(chuàng)新”的時代浪潮，助力中國制造業(yè)的智能轉(zhuǎn)型。展會期間，Stratasys發(fā)布了全新的Xtend
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存儲器價格波動大 業(yè)界穩(wěn)定機制受關(guān)注
- 在經(jīng)歷多次市場價格的大起大落后，全球存儲器芯片產(chǎn)業(yè)終于在近年來邁向整合，使得定價漸趨穩(wěn)定。不過，近來存儲器大廠新帝(SanDisk)接連2季下修預(yù)測數(shù)據(jù)，并歸因于快閃存儲器的價格下滑，引發(fā)外界質(zhì)疑新興的穩(wěn)定機制是否為曇花一現(xiàn)的假象，又或現(xiàn)狀僅是個別公司所遭遇的瓶頸。 據(jù)Barron's Asia報導(dǎo)指出，眼下雖然存儲器芯片價格有所衰退，但許多專家仍對整體產(chǎn)業(yè)抱持樂觀態(tài)度，認(rèn)為與2014年積弱不振的表現(xiàn)相比，快閃存儲器的市場供需平衡現(xiàn)已漸入佳境，多數(shù)問題的發(fā)生恐是因公司而異，并非普遍的業(yè)界趨勢。
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3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價格甜蜜點
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)價格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品，驅(qū)動SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性儲存市場出貨量翻揚。 慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴大導(dǎo)入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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服務(wù)器、消費性DRAM需求增 三星、SK海力士暫居市場優(yōu)勢
- 由韓國企業(yè)主導(dǎo)的半導(dǎo)體DRAM市場上，服務(wù)器、消費性電子、通訊設(shè)備占比正逐漸擴大。以半導(dǎo)體業(yè)者的立場而言，這意味著可多元化獲利模式，期待可確保穩(wěn)定的供應(yīng)價格，并阻止后起業(yè)者的進軍。 ET News引用市調(diào)機構(gòu)IHS 2014年各領(lǐng)域DRAM需求資料指出，PC DRAM比重持續(xù)減少，移動裝置、服務(wù)器、通訊、消費性電子用DRAM出現(xiàn)大幅度的成長。 PC DRAM 2012年占整體DRAM比重達(dá)57.6%。然桌上型電腦和筆記型電腦市場成長趨緩后，2014年比重下滑到39.6%。2015年預(yù)估將減
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LPDDR4出貨比例成為DRAM廠獲利關(guān)鍵
- 市場研究機構(gòu)TrendForce最新調(diào)查顯示，2015年第一季起智慧型手機出貨積弱不振，季衰退幅度高達(dá)9.2%。盡管第二季展望國際大廠蘋果(Apple)與三星(Samsung)出貨相對穩(wěn)健，然而智慧型手機在中國通路的庫存水位仍高，在第二季將持續(xù)庫存去化的情況下，較難看到大幅的出貨成長。第二季全球智慧型手機預(yù)估季成長6.8%，中國地區(qū)(含中國品牌外銷國外)部分為14.8%，遠(yuǎn)低于過往兩年動輒25%以上的季成長。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2
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智能機/平板需求帶動Mobile DRAM飛躍成長
- 智慧型手機與平板電腦快速普及，正帶動行動式動態(tài)隨機存取記憶體(Mobile DRAM)需求水漲船高，其中智慧型手機每年所采用的Mobile DRAM數(shù)量，更占全球總出貨量近八成比重，是最主要的應(yīng)用及成長來源。 近年來，行動裝置產(chǎn)品因具有高功能性、便利性且兼具時尚感，成為全球最熱門電子產(chǎn)品，因而驅(qū)動其關(guān)鍵零組件行動式動態(tài)隨機存取記憶體(Mobile DRAM)需求快速成長，使之成為DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主流。本文將針對Mobile DRAM的應(yīng)用面及市場發(fā)展性進行探討。 挺進手機/平板市場 Mo
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新舊交替啟動，今年移動式存儲器價格料趨穩(wěn)
- TrendForce最新調(diào)查顯示，2015年第一季起智慧型手機出貨積弱不振，季衰退幅度高達(dá)9.2%，盡管第二季展望國際大廠蘋果與三星出貨相對穩(wěn)健，然而，智慧型手機在中國通路的庫存水位仍高，在第二季度將持續(xù)庫存去化下，較難看到大幅的出貨成長;第二季全球智慧型手機預(yù)估季成長6.8%，中國地區(qū)(含中國品牌外銷國外)部分為14.8%，遠(yuǎn)低于過往兩年動輒25%以上的季成長。 TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2015年行動式存儲器價格走勢趨于穩(wěn)定;目前行動
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DRAM止跌 華亞科受惠
- DRAM大廠推升制程造成部分產(chǎn)能產(chǎn)出受影響的效應(yīng)逐步發(fā)酵，由于市場供給量降低，帶動DRAM價格止跌，集邦科技統(tǒng)計近四日主流DDR3 4Gb力守3美元整數(shù)關(guān)卡，蓄勢反彈，有助南亞科(2408)、華亞科營運。 由于市場供給縮減、報價止跌，美國記憶體晶片指標(biāo)廠美光上周五(17日)股價不畏美股重挫279點，上演逆轉(zhuǎn)行情，尾盤逆勢收紅，以28.02美元作收，小漲0.01元，持續(xù)站穩(wěn)各均線，透露市場資金回流。 國際投資機構(gòu)陸續(xù)對DRAM市況翻多，美國知名財經(jīng)網(wǎng)站巴隆(Barron`s.com)近日則引
- 關(guān)鍵字： DRAM 華亞科
傳京東方進軍存儲芯片市場，看起來很美好？
- 近日，有韓國媒體“中央日報日文版”報道，我國液晶面板廠京東方 (BOE)有意進軍存儲器芯片行業(yè)，引發(fā)市場關(guān)注。受到《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》發(fā)布以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立等利好政策的助推，今年以來包括存儲芯片在內(nèi)的集成電路產(chǎn)業(yè)，熱度不斷升高，據(jù)悉積極爭取設(shè)立DRAM廠的地方政府已達(dá)6家。由于全球存儲產(chǎn)業(yè)正處于轉(zhuǎn)型期，加之市場廣闊，即使行業(yè)已趨于高度壟斷，如果政策到位、措施得當(dāng)，未來中國切入存儲產(chǎn)業(yè)，依然存在機會。 中國積極介入存儲產(chǎn)業(yè) “作為
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SK海力士全面進入20納米級DRAM時代
- SK海力士(SK Hynix)中斷生產(chǎn)30納米級DRAM，全面進入20納米級生產(chǎn)時代。據(jù)了解，SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產(chǎn)DRAM，不過到2015年第1季，生產(chǎn)效率比30納米級制程更高的25納米DRAM制程比例，已高達(dá)全體生產(chǎn)的82%。 韓媒Digital Times報導(dǎo)，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止，約占全體DRAM生產(chǎn)比例的8%，但從2015年第1季開始已全面轉(zhuǎn)進20納米級制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30納米級
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