3d nand 文章 進入3d nand技術(shù)社區(qū)
SK加碼投資NAND新廠，總金額上看178億美元
- 根據(jù)《韓聯(lián)社》報導(dǎo)，這所新的M15新產(chǎn)線位于清州，SK海力士從2016年12月宣布興建，并且于2017年4月動工，并已在今日完工啟用，新廠將加強韓國存儲器產(chǎn)業(yè)中的競爭力。SK計劃持續(xù)擴大這條產(chǎn)線，不過詳細(xì)內(nèi)容將會視市場狀況來決定。該廠將會在2019年第1季開始生產(chǎn)96層NANDFlash快閃存儲器，將會有月產(chǎn)20萬片的程度，類似于位于首爾以南80公里的利川M14生產(chǎn)線?！ K海力士會長崔泰源宣示，身為國家的關(guān)鍵企業(yè)，SK海力士將會持續(xù)維持在市場的競爭力。韓國大統(tǒng)領(lǐng)文在寅也出席了啟用儀式，并在致詞表示
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不怕虧錢，未來十年長江存儲持續(xù)增加研發(fā)投入
- 對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年，長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入?！ ≈瞥痰膬纱箅y點 中國證券報：3D NAND制造工藝的難點在哪些地方? 高啟全：3D NAND的困難點在于一層層疊上去的時候需要打洞把每一層連接起來，層數(shù)越多需要打的洞就越多，每一個單位都要打洞，數(shù)量可達(dá)幾百萬個。必須保證做到垂直地
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NAND閃存大科普
- 在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！ 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
NAND閃存大科普
- 在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！ 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。 隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達(dá)到全球20%份額
- 近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位?！ ?014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長，目前已成為全球半導(dǎo)體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設(shè)項目，代工廠、DRAM和3D
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM 3D NAND
中國產(chǎn)能逐漸開出 內(nèi)存價格2019將下滑
- 內(nèi)存價格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會MIC預(yù)測內(nèi)存價格將于開始下滑?！ ≠Y策會MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。 因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將成長10.1%，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應(yīng)用帶動?！ 『榇簳熯M一步指出，內(nèi)存受惠于市場價格上揚，2018年全年臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25%，產(chǎn)
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IHS公布二季度半導(dǎo)體銷售排行榜：三星又當(dāng)?shù)谝?/a>
- 由于持續(xù)受益于存儲器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩(wěn)坐半導(dǎo)體銷售龍頭地位，再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)?！ 「鶕?jù)市場研究機構(gòu)IHS Markit的統(tǒng)計，三星在今年第二季全球芯片市場占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著NAND快閃存儲器(flash)市場顯著降溫，英特爾已自本季開始縮小與三星的差距，其季成長較三星更高3%?！ ∫园雽?dǎo)體銷售額來看，三星在第二季的銷售額為192億美元，較第一季成長3.4%，并較2017年第二季成長了33.7
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 英特爾
基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法
- 1. 引言 NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法?！ ?. VDNF2T16VP193EE4V25簡介 歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內(nèi)部由8片基片拓?fù)涠?，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下： 其主要特性如下： ? 總?cè)萘?/li>
- 關(guān)鍵字： NAND NIOS II FPGA
全球前15大半導(dǎo)體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜
- 8月20日，研究機構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名。 根據(jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達(dá)、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達(dá)數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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IC Insights預(yù)測：全球IC增長和全球GDP增長關(guān)聯(lián)日益密切
- 在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測。 如圖所示，在2010-2017年的時間段內(nèi)，全球GDP增長與IC市場增長的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個強勁的數(shù)字，因為完全相關(guān)為1.0。在此期間之前的3
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