3d nand 文章 進(jìn)入3d nand技術(shù)社區(qū)
ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年
- IC Insights的報告顯示,DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。 不過因?yàn)樵瓘S紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計劃,IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為,未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲,都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能,大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場,3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當(dāng)高。 近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元,進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
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NAND閃存供應(yīng)短缺,三星斥資186億美元投資芯片
- 韓國三星電子有限公司本周二表示,計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元),以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商,三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外,位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元,將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時,三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。 近年來,三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動NAND閃存的
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ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉(zhuǎn)
- ICinsights認(rèn)為,全球內(nèi)存下半年價格上漲動能可能減緩,包含DRAM與NAND閃存均是如此。 盡管漲勢減緩,但DRAM與NAND今年?duì)I收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄,這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例,DRAM平均售價今年預(yù)估年漲幅高達(dá)63%,此為1993年有記錄以來之最。 內(nèi)存價格從去年第三季起漲,ICinsights預(yù)期動能可能持續(xù)至2017年第三季,第四季可能微幅轉(zhuǎn)負(fù),為這波正向循環(huán)劃下休止符。 ICinsights指出,隨著價格走揚(yáng),內(nèi)存制造商也再次增加資本投
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KBS:聚焦韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
- 韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)生水起。世界上最大的內(nèi)存芯片供應(yīng)商三星電子公司宣布,其在韓國平澤的新建半導(dǎo)體生產(chǎn)線已經(jīng)開始量產(chǎn)。NAND閃存技術(shù)開發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個同盟,將投標(biāo)收購日本東芝的內(nèi)存部門。今天,我們邀請到了韓國真好經(jīng)濟(jì)研究院的李仁喆(音譯:???)先生,與他共同聊一聊韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來。首先,我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導(dǎo)體工廠的意義。 根據(jù)IT市場研究公司的數(shù)據(jù),第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數(shù)字具有絕對優(yōu)勢,但平澤半導(dǎo)體廠
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NOR Flash行業(yè)趨勢解讀:供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃
- 這個時間點(diǎn)我們討論NorFlash行業(yè)趨勢與全年景氣度,一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布,而相關(guān)公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等),同時我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動預(yù)期,詳細(xì)測算供需缺口,以求對未來趨勢定性、定量研究; 汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn)TDDI+AMOLED新需求錦上添花 1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn) 從各方面驗(yàn)證,2016年是NOR的拐點(diǎn)
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三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線投產(chǎn)
- 據(jù)韓聯(lián)社報道,三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND,月產(chǎn)能可達(dá)20萬片,并計劃持續(xù)擴(kuò)充生產(chǎn)設(shè)備,解決近年來全球半導(dǎo)體市場上供不應(yīng)求的局面。 據(jù)了解,位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設(shè),日均投入1.2萬名施工人員,耗時兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。 三星宣布,至2021年為止,要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元),并對華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6
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東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND,或獨(dú)投1800億增產(chǎn)3D NAND
- 全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布,攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品,且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC:Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品,預(yù)計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進(jìn)行量產(chǎn),主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機(jī)、平板電腦和存儲卡等市場。 東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
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64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點(diǎn)」?
- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎,預(yù)計將在未來18個月內(nèi)成為市場主流... Western Digital(WD)內(nèi)存技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出,64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。 在最近接受《EE Times》的訪問中,Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術(shù)」(seminal technology),可望應(yīng)用于WD逾50種產(chǎn)品線。 他預(yù)計今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
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三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)
- 三星電子 15 日宣布,最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進(jìn)入量產(chǎn),與此同時,三星還將擴(kuò)展包含服務(wù)器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。 64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片,南韓 ITtimes.com 報導(dǎo)指出,三星為穩(wěn)固領(lǐng)先優(yōu)勢,打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。 其實(shí),三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶,打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD),自此之后,三星持續(xù)朝行動與消費(fèi)型儲存市場開發(fā)新應(yīng)用,務(wù)求與 I
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若拿下東芝 郭董:優(yōu)先設(shè)廠美國
- 鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實(shí),將籌組美、日、臺夢幻團(tuán)隊(duì),共同競標(biāo)東芝半導(dǎo)體。 對日本出現(xiàn)擔(dān)心鴻?!钢袊蛩亍沟脑u論,郭董炮火全開,左打美系私募基金,右批日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省高層,并強(qiáng)調(diào),鴻海如果順利得標(biāo),海外市場將優(yōu)先考慮在美設(shè)內(nèi)存芯片廠。 東芝半導(dǎo)體競標(biāo)案進(jìn)入倒數(shù)計時,預(yù)計本周公布結(jié)果。 競標(biāo)者之一鴻海動作不斷,郭臺銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。 郭董強(qiáng)調(diào),如果鴻海順利標(biāo)下東芝半導(dǎo)體事業(yè),希望未來能在海外建立內(nèi)存工廠,地點(diǎn)將優(yōu)先考慮美國。 郭臺銘補(bǔ)充,因?yàn)槊绹鴩鴥?nèi)市場需求在當(dāng)?shù)剡€沒達(dá)到,
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NAND閃存的三種架構(gòu):MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu),即:單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中,MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu),由英飛凌與Saifun合作開發(fā),但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息,以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點(diǎn),Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu),其也有很大的缺點(diǎn),就是面積容量相對比較小,并且由于技術(shù)限制,基本上很難再向前發(fā)展了。
- 關(guān)鍵字: MLC 閃存 NAND 英特爾
基于3D全息投影技術(shù)助力遠(yuǎn)程醫(yī)療
- 加拿大皇后大學(xué)人類媒體實(shí)驗(yàn)室研究員研發(fā)成功的“TeleHuman”3D全息投影設(shè)備,能將科幻片中經(jīng)常出現(xiàn)的3D虛擬投影變成現(xiàn)實(shí)。這款設(shè)備開發(fā)本意就是用3D全息影像來代替現(xiàn)有的平面視頻會議.
- 關(guān)鍵字: 3D 全息投影技術(shù) 遠(yuǎn)程醫(yī)療
基于3D帽舌助宇航員進(jìn)行太空手術(shù)
- 近日科學(xué)家為身在國際空間站或者執(zhí)行火星任務(wù)的宇航員研發(fā)了一種虛擬現(xiàn)實(shí)3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現(xiàn)實(shí)世界之上的虛擬圖像,后者能夠輔助宇航員獨(dú)自進(jìn)行外科手術(shù)治療疾病。
- 關(guān)鍵字: 3D 太空手術(shù) 創(chuàng)新技術(shù)
3d nand介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d nand的理解,并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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