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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d nand

          TrendForce:第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯,價格續(xù)揚

          •   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示,在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下,第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯,NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立,eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲,預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPh
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  NAND  

          未來半導(dǎo)體業(yè)進入五大轉(zhuǎn)折 新興驅(qū)動力具獨特優(yōu)勢

          • 未來半導(dǎo)體進入五大轉(zhuǎn)折,包括邏輯芯片制程技術(shù)推進到10/7納米;存儲器推進到3D NAND Flash;因應(yīng)芯片愈來愈小,制圖成型依賴愈來愈高;移動設(shè)備導(dǎo)入OLED比重會愈來愈高以及大陸積極扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
          • 關(guān)鍵字: NAND  AR  

          打破半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)三強鼎立局面的機會何在?

          • 半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產(chǎn)品DRAM,NANDFlash,NORFlash更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據(jù),且近年來壟斷程度逐步加劇。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

          中國手機出貨強勁 推動?xùn)|芝營業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍

          •   據(jù)外媒報道,東芝今天將截至9月份的上半財年營業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍以上至700億日元(約合6.95億美元),此前預(yù)期為300億日元。   受此消息推動,東芝股價在周三快速上漲,創(chuàng)下自去年10月以來的最高點。這是東芝第二次上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期,該公司在今年5月份最初預(yù)計上半財年將營業(yè)虧損200億日元。   智能機存儲芯片的強勁需求推動?xùn)|芝上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期。另外,比東芝保守預(yù)期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動作用。   芯片需求的增長源于中國智能機出貨量的強勁表現(xiàn)。盡管全球智能機市場表現(xiàn)乏力,但是中國智能機出
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          NAND閃存需求提升 東芝調(diào)高上半年獲利預(yù)測

          •   先前,因為受到連續(xù)7年作假帳風(fēng)波,因而導(dǎo)致公司商譽嚴(yán)重受損,并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba),28日宣布上調(diào)2016年上半年度的獲利預(yù)測,預(yù)估將上調(diào)至850億日元的水準(zhǔn),較原本預(yù)估的700億日元調(diào)高21.43%,每股EPS也將達到20.08日元,等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。   東芝于28日發(fā)出的消息表示,由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升,尤其在中國市場,在手機制造商不斷提升產(chǎn)品的儲存能力,所以需要性能越來越好的NAND閃存產(chǎn)品,導(dǎo)致相關(guān)價格的不斷上揚,如此以進一
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          三大變化為日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增添活力

          •   日媒稱,日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的訂貨金額(3個月移動平均值,速報值)為1348億日元(約合人民幣90億元),同比增長30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時隔29個月增長率首次超過30%。中國半導(dǎo)體制造商興起、半導(dǎo)體的微細化、立體化這三大變化為整個產(chǎn)業(yè)帶來了活力。另一方面,半導(dǎo)體設(shè)備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。   據(jù)外媒報道,“采購設(shè)備的時間提前了”,東電電子社長河合利樹無法掩飾他對半導(dǎo)體制造商們強烈設(shè)備投資欲的驚訝。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          日媒:中國半導(dǎo)體制造設(shè)備市場大幅增長

          •   據(jù)韓聯(lián)社9月19日報道,韓國市場調(diào)研機構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息,三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二,銷售額占有率為11.3%,與英特爾的差距縮小到3.4個百分點。   今年第二季度三星電子銷售額達94.52億美元,排名第一的美國英特爾半導(dǎo)體銷售額達122.72億美元,市場份額為14.7%。   三星與英特爾的市場份額差距在2012年達5.3個百分點,2013年為4.2個百分點,2014年3.4個百分點,2015年為3.2個百分點。雖然,今年第一季度差距拉大到4個百分點以上,但
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          第二季NAND Flash品牌營收排行

          •   第二季NAND Flash品牌商營收較上季成長3.4%,結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。   受惠于中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,2016年第二季eMMC、用戶級固態(tài)硬碟與企業(yè)級固態(tài)硬碟的合約價跌幅開始收斂,通路端wafer價格更從四月起逐月走揚,第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。   DRAM
          • 關(guān)鍵字: NAND  三星  

          美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

          •   美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動器(HDD)改善了90倍,據(jù)稱也更加耐用。   Crucial SSD的售價為200美元,這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項,而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰,不過必須承認的
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          TrendForce:市況逐步回穩(wěn),第二季NAND Flash品牌商營收季成長3.4%

          •   受惠于中國智能手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報告顯示,第二季eMMC、消費級固態(tài)硬盤與企業(yè)級固態(tài)硬盤的合約價跌幅開始收斂,渠道端wafer價格更從4月起逐月上揚,第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結(jié)束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢。        DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第三季
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND   

          美光:始終專注企業(yè)級閃存 觀望3D NAND

          • 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下,2D或者說平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲領(lǐng)域。作為佐證,美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩
          • 關(guān)鍵字: 美光  企業(yè)級閃存  NAND   

          IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

          • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM   

          三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

          • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比,具有包
          • 關(guān)鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤   

          三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進化

          • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤   

          8月NAND合約價 較上月跌近2成

          • 根據(jù)研調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續(xù)跌5~10%,亦即8月合約價較7月重跌11~18%
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  Flash芯片   
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          3d nand介紹

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