3d nand 文章 進入3d nand技術(shù)社區(qū)
張忠謀:臺灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)
- 臺積電董事長張忠謀日前表示,臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認為,全球經(jīng)濟都在復(fù)蘇中,復(fù)蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復(fù)蘇,但張忠謀認為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻,所謂近中程大概是五年內(nèi),所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢,相對地新臺幣波
- 關(guān)鍵字: 臺積電 芯片代工 DRAM NAND
12月上旬合約價DRAM持平 Flash下跌
- 12月上旬的存儲器合約價格中,DRAM合約價意外持平開出,南亞科副總經(jīng)理白培霖表示,主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應(yīng)市場需求不佳,16Gb芯片價格下滑5~10%,32Gb芯片下跌2~6%,目前合約價格貼近現(xiàn)貨價格水平,下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位,以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。 近期DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈,1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元,屬于觸底反彈,然整個市場的交易量是相當有限,反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
- 關(guān)鍵字: 南亞科 NAND DRAM
張忠謀:臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)
- 12月9日消息,臺積電董事長張忠謀昨日表示,臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認為,全球經(jīng)濟都在復(fù)蘇中,復(fù)蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復(fù)蘇,但張忠謀認為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻,所謂近中程大概是五年內(nèi),所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢
- 關(guān)鍵字: 臺積電 芯片代工 DRAM NAND
三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標直指臺積電
- 據(jù)報道,為了更加快速的追趕臺積電,三星計劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。 根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計,去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元,而臺積電獨自占據(jù)了其中的100億美元。 三星是全球第二大芯片制造商,在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場處于領(lǐng)先地位,但是他們在代工市場的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示,三星已經(jīng)決定擴大其代工產(chǎn)能,目標直指臺積電。 三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠,專門用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強調(diào)
- 關(guān)鍵字: 臺積電 芯片代工 DRAM NAND
三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
- 三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司宣稱,這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率,同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機,便攜多媒體播放器等產(chǎn)品,也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。 另外一款
- 關(guān)鍵字: 三星 30nm NAND
三星宣布開始量產(chǎn)兩種30nm制程NAND閃存芯片
- 三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司宣稱,這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率,同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機,便攜多媒體播放器等產(chǎn)品,也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。 另外一款三
- 關(guān)鍵字: 三星 30nm NAND
NAND記憶卡需求轉(zhuǎn)強 封測產(chǎn)能缺到明年初
- 據(jù)悉,包括三星、LG、諾基亞等手機大廠第四季將上市銷售的手機,已將MicroSD等NAND記憶卡列為標準內(nèi)建配備,加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉(zhuǎn)強,帶動第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示,MicroSD記憶卡封測產(chǎn)能吃緊現(xiàn)象將延續(xù)到明年1、2月。 NAND晶片大廠三星下半年開始跨足記憶卡市場,并與創(chuàng)見合作銷售,新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場,只是手機用小型記憶卡需采用較先進的基板打線封裝(COB)制程,但兩家大廠自有封測廠產(chǎn)能已多年未曾擴充,因此8、9月后已大量將
- 關(guān)鍵字: SanDisk NAND 封測
內(nèi)存廠商:SSD將在2011年成為主流
- 臺灣DigiTimes報道,數(shù)家內(nèi)存廠商最近聚集在臺北探索建立對大陸和臺灣的固態(tài)存儲產(chǎn)業(yè)共同標準,與會者們預(yù)計隨著制程逐漸過渡到20nm,NAND閃存價格將出現(xiàn)大幅下跌,最終實現(xiàn)一個可負擔的水平,不過這一時間點被認為是2011年以后。 此外,來自大陸的工業(yè)代表敦促盡快發(fā)展和規(guī)范SSD的規(guī)格,以解決來自國際供應(yīng)商控制的核心技術(shù)。 去年Fusion-io公司首席科學(xué)家Steven Wozniak曾表示,他并不認為SSD硬盤會很快就能替換普通硬盤。不過由于SSD硬盤功耗更低,同時性能更高,也不需
- 關(guān)鍵字: NAND SSD
蘋果NAND Flash減單 三星、新帝策略轉(zhuǎn)向
- 由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單,加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應(yīng)NAND Flash數(shù)量相當有限,12月供應(yīng)量控制亦開始松動,以及白牌記憶卡在市面上流通數(shù)量增加,使得淡季需求明顯反映在現(xiàn)貨及合約價上,近2個月NAND Flash價格從高檔連續(xù)緩跌,累計回檔幅度相當深。不過,多數(shù)存儲器業(yè)者認為,由于價格跌幅已大,預(yù)計后續(xù)再大跌機率不大,25日NAND Flash 11月下旬合約價開出,便呈現(xiàn)持平到小跌局面。 存儲器業(yè)者表示,蘋果對于NAND Flash供
- 關(guān)鍵字: 蘋果 NAND SSD
NAND成本優(yōu)勢明顯,NOR成明日黃花
- 市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告”指出,NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加。同時,NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多。手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢“長壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
- 關(guān)鍵字: 手機 NAND NOR
恒憶躍居世界最大NOR閃存供應(yīng)商
- 盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對市場可預(yù)期的需求增長,恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場需求,擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術(shù)向低節(jié)點技術(shù)的制程升級,進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢,與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場前景,主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示:“作為全球存儲器解
- 關(guān)鍵字: Numonyx NAND NOR閃存 PCM
恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景
- 盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對市場可預(yù)期的需求增長,恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場需求,擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術(shù)向低節(jié)點技術(shù)的制程升級,進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢,與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場前景,主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示:“作為全球
- 關(guān)鍵字: Numonyx NAND NOR閃存
3d nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d nand的理解,并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d nand的理解,并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473