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TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃
- 2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟部為挽救臺灣內存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺灣內存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。 TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯(lián)電榮譽副董事長宣明智，帶領臺灣內存產(chǎn)業(yè)再造的任務，目的在于協(xié)助臺灣DRAM產(chǎn)
- 關鍵字： TIMC DRAM NAND Flash
美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品
- 美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結合，生產(chǎn)出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機、個人媒體播放器和新興的移動互聯(lián)網(wǎng)設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應用的核心特色。 美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品，預計于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
- 關鍵字： 美光 NAND 34納米 智能手機
三星：2010存儲芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況
- 10月28日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標要在三年內將半導體業(yè)務營收提高逾50%，并對2010年記憶體市場發(fā)表樂觀的看法。 三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導體業(yè)務營收為166億美元，并稱目標要在2012年達到255億美元營收。 三星指出，明年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況。 韓國三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發(fā)表上述預估，公司發(fā)言人士也確認了這項消
- 關鍵字： 三星 NAND 存儲
Intel宣布一項技術突破 內存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內存技術開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產(chǎn)生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統(tǒng)設計師把一些DRAM內存和固態(tài)內存的一些存儲屬性縮小到一個內存類. This image shows phase-change memory bu
- 關鍵字： Intel 5納米 DRAM NAND
力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元
- “經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟部”所要求技術扎根條件，未來力晶
- 關鍵字： 力晶 DRAM 存儲器 NAND
鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)
- 鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。 鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
- 關鍵字： 鎂光 NAND 閃存芯片 34nm
NAND Flash強勢不墜 模塊廠9月營收將再寫新高
- NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預計可再次創(chuàng)下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預估可達35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。 NAND Flash現(xiàn)貨
- 關鍵字： Apple NAND 智能手機
三星DRAM芯片停止對臺供貨
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營團隊上任，營運策略出現(xiàn)不少重大轉變，將影響存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側重OEM市場，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應臺灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。 存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
- 關鍵字： Samsung DRAM NAND
NAND Flash強勢不墜 模塊廠9月營收將再寫新高
- NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預計可再次創(chuàng)下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預估可達35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。 NAND Flash現(xiàn)貨
- 關鍵字： Apple NAND 智能手機
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