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          3D封裝的發(fā)展動態(tài)與前景

          • 1 為何要開發(fā)3D封裝  迄今為止,在IC芯片領(lǐng)域,SoC(系統(tǒng)級芯片)是最高級的芯片;在IC封裝領(lǐng)域,SiP(系統(tǒng)級封裝)是最高級的封裝。 SiP涵蓋SoC,SoC簡化SiP。SiP有多種定義和解釋,其中一說是多芯片堆疊的3D封裝內(nèi)系統(tǒng)集成(System-in-3D Package),在芯片的正方向上堆疊兩片以上互連的裸芯片的封裝,SIP是強調(diào)封裝內(nèi)包含了某種系統(tǒng)的功能。3D封裝僅強調(diào)在芯片正方向上的多芯片堆疊,如今3D封裝已從芯片堆疊發(fā)展占封裝堆疊,擴大了3D封
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          飛兆半導(dǎo)體的 Motion-SPM™ 采用29 x 12mm SMD 封裝

          •  在低功耗變頻電機設(shè)計中優(yōu)化能效和線路板空間 有助于加速洗碗機電機和水泵等應(yīng)用的設(shè)計和制造 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布進(jìn)一步擴展其智能功率模塊 (SPM™) 產(chǎn)品系列,推出三款采用29mm x 12mm表面安裝 (SMD) 封裝的新型Motion-SPM™ 器件:FSB50325S (250V)、FSB50250S
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          Linear推出獨立雙輸入線性電池充電器 LTC4096/X

          • 獨立 1.2A 鋰離子電池充電器 自動選擇 USB 和交流適配器輸入 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)推出獨立雙輸入線性電池充電器 LTC4096/X。這些器件用交流適配器或 USB 電源對單節(jié)鋰離子/聚合物電池充電。LTC4096/X 采用恒定電流/恒定電壓算法充電,可編程充電電流用交流適配器電源時高達(dá) 1.2A,而用 USB 電源時
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          全橋移相ZVSPWM控制器LTC3722-X的原理及應(yīng)用

          • 介紹了新型全橋移相ZVS軟開關(guān)控制器LTC3722-x的原理,討論了自適應(yīng)控制以及集成的同步整流控制的實現(xiàn),并給出了基于該芯片的通信電源的設(shè)計方案。
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          X-Digital系統(tǒng)公司采用Blackfin®處理器

          • X-Digital系統(tǒng)公司采用Blackfin®處理器將數(shù)字音頻傳送到酒店和公寓大樓 ——Blackfin處理器的處理能力和性能夠使廣播傳輸系統(tǒng)制造商 為MDU客戶傳送多達(dá)384個數(shù)字音頻通道。 美國模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市(Norwood, Mass.)發(fā)布X-Digital 系統(tǒng)公司——一家廣播傳輸系統(tǒng)制造商——在其帶有FM調(diào)制器的集成衛(wèi)星接收器中采用了ADI公司的Blackfin®處理器。X-Digital系統(tǒng)公司采用Blackfin處理器,提供了這樣一種
          • 關(guān)鍵字: Blackfin®  處理器  X-Digital  單片機  嵌入式系統(tǒng)  通訊  網(wǎng)絡(luò)  無線  消費電子  消費電子  

          X-Digital采用Blackfin®處理器

          •   美國模擬器件公司發(fā)布X-Digital 系統(tǒng)公司——一家廣播傳輸系統(tǒng)制造商——在其帶有FM調(diào)制器的集成衛(wèi)星接收器中采用了ADI公司的Blackfin®處理器。X-Digital系統(tǒng)公司采用Blackfin處理器,提供了這樣一種產(chǎn)品,允許衛(wèi)星運營商將數(shù)字音頻傳送到遠(yuǎn)遠(yuǎn)還沒有打開的市場——多住戶單元(MDU),例如酒店和公寓大樓。X-Digital公司的衛(wèi)星接收器將數(shù)字衛(wèi)星信號轉(zhuǎn)換成可被標(biāo)準(zhǔn)的消費類音頻接收器識別的FM模擬信號。    X-Digital公司的MSL384衛(wèi)星接
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          奇夢達(dá)與南亞科技獲75納米DRAM技術(shù)驗證

          • 奇夢達(dá)公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術(shù)之驗證,最小之制程尺寸為70納米, 第一個75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存芯片。此項新的技術(shù)平臺和產(chǎn)品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢達(dá)開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢達(dá)的德累斯頓十二吋廠生產(chǎn)線開始此項新一代 DRAM技術(shù)之試產(chǎn)。 負(fù)責(zé)奇夢達(dá)的市場和運作,也是管理委員會的委員之一的賽佛(Thomas&
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          因PC需求激增 DRAM庫存下降至新低位

          •       iSuppli表示, DRAM芯片生產(chǎn)商的庫存量已下降至20個月來最低水準(zhǔn),因開學(xué)季帶動個人電腦銷售增長。     這家美國研究機構(gòu)預(yù)期本月庫存量將持續(xù)下降,并在報告中調(diào)升短期DRAM市況評等,由原先的“中性”升至“正向”?! ?nbsp;   iSuppli在9月5日發(fā)表的報告中指出,8月初時,DRAM庫存為1.92周,較7月的平均水準(zhǔn)下降18%,因新學(xué)年開始前,PC銷售大幅增加。     由于微處理器
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          05年DRAM芯片銷售排名三星仍保持冠軍

          •   據(jù)著名市場調(diào)研機構(gòu) Gartner 公司最新公布的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,2005年全球DRAM儲存芯片的銷售收入比上年下滑了5%為250億美元,2004年全球DRAM儲存芯片的銷售收入為263億美元。在全球DRAM 儲存芯片行業(yè)銷售收入比2004年下滑5%的不利環(huán)境下,中國臺灣南亞科技公司(Nanya)和日本最大的DRAM儲存芯片制造商爾必達(dá)公司(Elpida)是全球最高前六個公司中銷售收入實現(xiàn)了增長的公司。    調(diào)研公司表示,盡管這是自2001年以后DRAM儲存芯片
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          全球內(nèi)存(DRAM)價格報告

          •    北美市場         經(jīng)銷商們在星期三透露,本周DRAM的銷售比較緩慢,這段時間也是傳統(tǒng)的銷售淡季。整個周三都沒有一筆生意,因而市價也沒什么變化。這一天只有芯片市場PC133材質(zhì)有唯一一筆現(xiàn)貨交易,價格在每芯片$3.30 到$4之間。         亞太市場    &
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          DRAM售價下降 英飛凌Q1將虧損1.477億美元

          •       歐洲芯片廠商英飛凌表示,DRAM內(nèi)存平均銷售價格的下降影響了該公司2006財年第一季度的財報結(jié)果。         據(jù)reed-electronics.com網(wǎng)站報道,英飛凌截止到去年12月份的2006財年第一季度的銷售收入是大約20億美元(16.7億歐元),利息和稅項之前的利潤為虧損1.477億美元(1.22億歐元)。英飛凌的凈虧損為2.216億美元(1
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          SENSIO推出基于XILINX 3D視頻處理器

          •     雙方擴展合作,利用賽靈思 90nm 可編程平臺的靈活性和低成本優(yōu)勢增強 3D 娛樂體驗     賽靈思公司 (NASDAQ: XLNX) 與 SENSIO 3D 立體感處理器制造商 SENSIO 公司近日宣布將繼續(xù)開展雙方已保持六年的合作。該合作已使雙方開發(fā)出突破性的 3D 視頻處理技術(shù)。作
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          ST推出內(nèi)置DRAM存儲器的微控制器

          •      意法半導(dǎo)體(ST)日前公布了一款針對無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備開發(fā)的多用途微控制器的細(xì)節(jié)。這個代號為"GreenFIELD"、產(chǎn)品編號為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內(nèi)存、eFPGA(嵌入式現(xiàn)場可編程邏輯門陣列)模塊以及各種模擬和數(shù)字外設(shè)。GreenFIELD-STW21000是ST無線基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品部發(fā)布的第二款先進(jìn)的系統(tǒng)芯片產(chǎn)品。   GreenFI
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          端接DDR DRAM的電源電路

          •     DDR(雙數(shù)據(jù)速率)DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓,并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓(VREF=VDD/2)。此外,各邏輯輸出端都接一只電阻器,等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時,必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓,并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5~28V下工作。
          • 關(guān)鍵字: 電源電路  DDR  DRAM  存儲器  

          6月份全球DRAM出貨量增長了4% 達(dá)5.54億件

          •   來自市場研究機構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù),6月份全球DRAM出貨量(折合為256M比特DRAM內(nèi)存)增長了4%,達(dá)到了5.54億件,其中DDR內(nèi)存的比例從5月份的63%下滑到了61%,DDR2的比例為30%。        DRAMeXchange預(yù)測,隨著DDR內(nèi)存出貨量的削減,其供應(yīng)緊缺狀況貫穿整個第三季度,而DDR2內(nèi)存市場,就出貨量而言,Powerchip半導(dǎo)體公司和ProMOS 科技公司在我國臺灣廠商中處于領(lǐng)先地位。該研究機構(gòu)還預(yù)測
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  
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          3d x-dram介紹

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