3d x-dram 文章進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區(qū)

在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利

DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應(yīng)商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預(yù)估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)越趨復(fù)雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品
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北京君正：21nm DRAM新工藝預(yù)計(jì)年底推出

近日，北京君正在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預(yù)計(jì)21nm的今年年底會推出，20nm預(yù)計(jì)將于明年中前后推出，后續(xù)還會繼續(xù)進(jìn)行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關(guān)于存儲中各類市場的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費(fèi)等其他領(lǐng)域。存儲產(chǎn)品價格方面，北京君正的存儲產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場，這個市場的價格變動特點(diǎn)和消費(fèi)類市場不同，這幾年行業(yè)市場存儲價格高點(diǎn)是2022年，2
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【電動車和能效亮點(diǎn)】Verbund X Ventures投資Easelink的創(chuàng)新充電技術(shù)

Source:?Getty Images/Atiwat Studio奧地利能源企業(yè)Verbund的企業(yè)風(fēng)投部門Verbund X Ventures日前已向總部位于格拉茨，專門從事電動汽車無線充電技術(shù)研發(fā)的高科技企業(yè)Easelink投資150萬歐元。這筆投資旨在幫助Easelink擴(kuò)大其國際客戶數(shù)量，特別是加強(qiáng)與汽車制造商的合作，并推動其矩陣充電技術(shù)成為全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。矩陣充電技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)全自動傳導(dǎo)式充電，無需手動連接線纜，傳輸效率達(dá)99%以上。Verbund X Ventures這一投資舉措標(biāo)志著
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郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因

11 月 6 日消息，天風(fēng)證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報(bào)道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進(jìn) CPU 封裝。雖此事近來成為焦點(diǎn)，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計(jì)算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進(jìn)制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲器
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HBM對DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升

TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，營收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計(jì)算

三星電子今日宣布，已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應(yīng)用程序的理想選擇之一。三星半導(dǎo)體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲解決方案的各個領(lǐng)域，例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站，這將進(jìn)一步擴(kuò)展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機(jī)和自動駕駛等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域之外的應(yīng)用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁裴永哲（Bae YongCh
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X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現(xiàn)有為光學(xué)傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強(qiáng)化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應(yīng)增強(qiáng)型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進(jìn)的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
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瑞薩三合一驅(qū)動單元方案，助力電動車輕盈啟航

如今，電動汽車驅(qū)動器正在從傳統(tǒng)的分布式系統(tǒng)過渡到集中式架構(gòu)。在傳統(tǒng)的電動汽車設(shè)計(jì)中，逆變器、車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部件往往采用分布式布局，各自獨(dú)立工作，通過復(fù)雜的線束相互連接。這種設(shè)計(jì)方式不僅繁雜笨重，且維護(hù)起來也異常復(fù)雜。在這種情況下，X-in-1技術(shù)應(yīng)用而生。X-in-1技術(shù)是一種動力傳動系統(tǒng)的集成技術(shù)，?旨在將多個動力傳動組件集成到單一的系統(tǒng)中，?以提高整體性能、?減少體積和重量。?基于X-in-1技術(shù)，瑞薩推出三合一電動汽車單元解決方案，該方案將多個分布式系統(tǒng)集成到一個實(shí)體中，包括車載
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Qualcomm Snapdragon X 芯片快照揭示巨大緩存大量 CPU 內(nèi)核

一個名叫 Piglin 的人在中國百度平臺上發(fā)布了一張據(jù)稱是高通驍龍 X 處理器的帶注釋的模具。該圖像顯示了大量的 CPU 內(nèi)核、中等大小的 GPU 和巨大的緩存。不幸的是，芯片沒有透露 45 TOPS 神經(jīng)處理單元（NPU），高通認(rèn)為該部件是該片上系統(tǒng)的主要賣點(diǎn)。芯片拍攝的泄密者表明，12 核 Snapdragon X Elite 的芯片尺寸為 169.6 mm^2。這比 Apple 的 10 核 M4 大一點(diǎn)，后者為 165.9 毫米^2。然而，應(yīng)該注意的是，高通的驍龍 X Elite 是采用臺積電
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臺積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當(dāng)?shù)貢r間25日展開，除表揚(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。臺積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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TrendForce：內(nèi)存下半年價格恐摔

根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫，中國大陸地區(qū)的智能型手機(jī)，出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情形，筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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ST更新軟件包, X-CUBE-MATTER支持 Matter 1.3

ST 高興地宣布X-CUBE-MATTER現(xiàn)已支持 Matter 1.3。幾個月前，我們發(fā)布了這個軟件包的公開版，確保更多開發(fā)者能夠使用這個軟件包。隨著今天新版本的發(fā)布，我們成為現(xiàn)在首批支持該標(biāo)準(zhǔn)最新版本的芯片廠商之一。在Matter 1.3新增的眾多功能中，值得一提的是能耗報(bào)告。顧名思義，這個功能可以讓設(shè)備更容易報(bào)告電能消耗情況，從而幫助用戶實(shí)時監(jiān)測能耗。另一個主要功能是間歇性連接設(shè)備，簡稱ICD。簡而言之，ICD功能可以讓 Matter 設(shè)備在特定間隔自動打開網(wǎng)絡(luò)連接，與其他設(shè)備通信，當(dāng)客戶端設(shè)備不可
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第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價將上調(diào)

根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動多數(shù)業(yè)者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收達(dá)229億美元，季增24.8%。價格方面，合約價于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預(yù)估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價漲幅將高于先前預(yù)期。觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷售單價方面，三大廠延續(xù)第一季合約價上漲情勢，加上臺灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM
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