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          DRAM漲價成為投資動力 美光聯(lián)手華亞科求自保

          •   華亞科并入美光后,本月正式更名為美光臺灣分公司桃園廠,美光也計劃擴大投資臺灣,將在臺中建立后段DRAM封測廠,相關(guān)投資將在標(biāo)購達(dá)鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動。   美光目前主要生產(chǎn)據(jù)點在桃園和臺中,合并后員工超過6,000人。   位于原華亞科的桃園廠主要以20納米制程生產(chǎn)DRAM生產(chǎn)重鎮(zhèn),單月產(chǎn)能10萬片;臺中廠以25納米為主力,月產(chǎn)能逾8萬片,但已進行1x納米制程開發(fā)試產(chǎn),預(yù)定下半年正式生產(chǎn)出貨。   美光將以臺灣為DRAM主要生產(chǎn)據(jù)點,除制造端外,也計劃往后段和產(chǎn)品應(yīng)用和設(shè)計進行整合
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

          DRAM市場已邁入多元化發(fā)展

          •   回顧DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機存取存儲器)的歷史,市場經(jīng)常在供過于求與供不應(yīng)求之間擺蕩。   當(dāng)市場供不應(yīng)求之際,DRAM供應(yīng)商會積極擴廠,大幅增加產(chǎn)能,當(dāng)新產(chǎn)能加入生產(chǎn)后,市場會陷入供過于求的狀況,DRAM價格快速下跌,DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值不增反減。   在歷經(jīng)多次市場的振蕩后,DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值在1995年創(chuàng)下當(dāng)時的歷史新高,高達(dá)435億美元。隔年DRAM市場大崩盤,DRAM的平均售價大幅下跌,導(dǎo)致1996年DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值崩跌至260億美元。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  

          發(fā)展3D NAND閃存的意義

          • “首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開,長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法,及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  3D NAND  DRAM  20170203  

          數(shù)項投資啟動 我國存儲器產(chǎn)業(yè)有望率先獲突破

          •   2月12日,總投資300億美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購北京矽成100%股權(quán),矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新年伊始,我國存儲器產(chǎn)業(yè)便連續(xù)爆出兩項重要消息,表明我國存儲產(chǎn)業(yè)的布局正在加速推進當(dāng)中。而隨著數(shù)項重大投資的啟動,存儲器正在成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。   國際存儲巨頭警惕中國存儲力量成長   盡管存儲器屬于高度壟斷的行業(yè),但是我國在發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)道路上已經(jīng)邁出了第一步。2月12日,紫光集團在南京正式建立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地,主要產(chǎn)品為3DNA
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          2017年DRAM出貨成長率或?qū)⒌陀?0%

          •    一般估計,DRAM的位元出貨成長率(bit growth)低于40%,DRAM廠商便可獲利,而2017年因為大廠沒有新的投資計劃,DRAM的出貨成長率甚至可能低于20%,所有的大廠都可能因此受惠。這也是DRAM產(chǎn)業(yè)成形以來,出貨成長率首度可能低于20%的年份,不少人甚至認(rèn)為,DRAM將有個不算短的好光景。     三星電子(Samsung Electronics)高層最近提到,2017年位元成長率可能為15~20%,對于2017年的獲利,抱持著高度的期待,而美光(Mi
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          新型存儲器技術(shù)未來將主導(dǎo)存儲器市場

          •   存儲器主導(dǎo)著許多SoC,我們很少聽說某個設(shè)計包含太多的存儲器。然而,存儲器消耗了大部分的系統(tǒng)功耗,雖然這對于許多系統(tǒng)可能不是關(guān)鍵問題,但是對于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)邊緣設(shè)備而言,總功耗是非常重要的。   幾乎所有系統(tǒng)的存儲需求都在變化。雖然新的存儲器和存儲器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長時間,但仍未被廣泛采用。然而,許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點已然將近。   過去50年中,SRAM和DRAM已經(jīng)成為存儲器層次結(jié)構(gòu)的主力,F(xiàn)LASH最近幾年也在加入了“戰(zhàn)場”。所有這些存儲結(jié)構(gòu)在往較小的幾何結(jié)構(gòu)縮放的
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          并購ISSI獲DRAM技術(shù) 兆易創(chuàng)新前路何在?

          • 兆易創(chuàng)新借助ISSI在DRAM方面的技術(shù)是有可能實現(xiàn)一定程度的進口替代,如果進一步出臺政策支持存儲芯片的生產(chǎn)與銷售,在國內(nèi)的DRAM市場分到一杯羹。
          • 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新  DRAM  

          從四個方面看中國存儲芯片崛起的艱難

          • 考慮到中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的現(xiàn)狀,如果我們不持續(xù)投入,那又怎樣才能實現(xiàn)電子產(chǎn)業(yè)的自主可控呢?
          • 關(guān)鍵字: 芯片  DRAM  

          臺媒:大陸2025年IC自主目標(biāo)恐難達(dá)成 海外技術(shù)取得成關(guān)鍵

          •   中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場,但自給自足率卻明顯偏低,必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進口。為此中國國務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”(MIC 2025)計劃,目標(biāo)到了2020年達(dá)到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標(biāo),到了2025年更要達(dá)到7成水準(zhǔn)。不過市調(diào)機構(gòu)IC Insights分析認(rèn)為,這項目標(biāo)恐難達(dá)成,而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。   國家層級IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思   根據(jù)IC Insights報導(dǎo)指出,現(xiàn)實情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
          • 關(guān)鍵字: IC  DRAM  

          國內(nèi)存儲器項目建設(shè)火熱 亟需制定預(yù)警機制

          •   存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看,存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè),同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè),同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰(zhàn)略的大背景下,考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動和不確定性,以及長期大投入、高風(fēng)險特性,研究認(rèn)為,盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測分析和預(yù)警機制,無論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面,都是一件非常有意義的事情。   存儲
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          迎需求熱潮!三星或追投西安3D NAND廠43億美元

          •   據(jù)海外媒體報道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。   Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出,三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議,2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資,皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費用。   三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
          • 關(guān)鍵字: 三星  3D NAND  

          DRAM內(nèi)存價格猛漲停不下來,下半年才能穩(wěn)定?

          • 從去年下半年開始DDR3和DDR4內(nèi)存的價格都在瘋漲,這個漲勢什么時候會停呢?放心吧紅市會一直持續(xù)到今年第二季度,到了第三季度可能會穩(wěn)定下來,然而這不代表價格會降低。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  晶圓  

          DRAM強漲 金士頓:將缺貨一整年

          •   內(nèi)存市況今年持續(xù)看好,據(jù)SEMI半導(dǎo)體協(xié)會預(yù)估,內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長17.8%,成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恢復(fù)強勁成長的主要推手,不少相關(guān)業(yè)者表示,缺貨情況將再延續(xù)半年,第2季有機會呈現(xiàn)小漲走勢。   DRAM報價從2016年第4季成功終止連續(xù)下跌8季的低潮,開始展開強勁的反彈,迄今至少大漲40~50%之多。 DRAM供貨商南亞科(2408)總經(jīng)理李培瑛、封測大廠力成(6239)董事長蔡篤恭口徑一致指出,至少還要再缺貨半年,內(nèi)存模塊大廠金士頓更直說,DRAM將缺貨一整年。   應(yīng)用多元需求走強   臺灣金士頓
          • 關(guān)鍵字: DRAM  金士頓  

          DRAM市場所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲霸主寶座

          •   雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低,但是我們不得不承認(rèn),其地位依然很強勢。強大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾,這些年來三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機,雖然導(dǎo)致其智能手機業(yè)務(wù)遭遇滑坡,但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補,直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大,依然有價格主導(dǎo)權(quán)利。   不管是PC業(yè)務(wù)還是手機業(yè)務(wù)未來日子不好過的情況下,唯獨DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開始缺貨,甚至漲價,據(jù)了解,DRAM漲價的主要推手是三星公司。眾所周知,
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          NOR Flash也要漲價 元器件供應(yīng)鏈為何進入缺貨周期?

          • 從2016年下半年開始,包括CPU、內(nèi)存、屏幕、CMOS Sensor在內(nèi)的眾多電子元器件都進入了缺貨周期,這樣就給終端制造商帶來了成本壓力,最終這個壓力就轉(zhuǎn)移到了消費者身上,引起蝴蝶效應(yīng)。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   
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          3d x-dram介紹

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