3d x-dram 文章 進入3d x-dram技術(shù)社區(qū)
美光攜手南亞科技開發(fā)20納米芯片制程技術(shù)
- 據(jù)國外媒體報道,臺灣南亞科技總裁連日昌周三表示,公司目前正在與合作伙伴美光科技聯(lián)手,共同為未來的DRAM生產(chǎn)開發(fā)先進的20納米芯片制程技術(shù)。 這 項先進的芯片制程技術(shù)有助于提高芯片性能、減少芯片耗電量、降低芯片生產(chǎn)成本。連日昌周三在臺北的一次媒體活動中說,企業(yè)要想在未來五年的DRAM市場上 保持競爭力,擁有領(lǐng)先技術(shù)至關(guān)重要。 采用20納米制程技術(shù)生產(chǎn)芯片將有助美光和南亞科技與業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)三星電子展開更加有效的競爭。當前,三星已經(jīng)在它的生產(chǎn)線上采用了30納米芯片制程技術(shù)。三星稱,使用30納米
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DDR3測試產(chǎn)能不足 DRAM封測廠加緊進設備
- 隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進DDR3,對后段廠而言,封裝產(chǎn)能利用率處于高檔,然測試、預燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象,各家封測廠上演搶機臺戲碼,希望能夠盡量提前讓機臺進駐廠區(qū),隨著工作天數(shù)恢復正常,存儲器封測廠3月接單熱絡,預期單月營收應可處于歷史高檔水平。 受惠于2010年存儲器市場復蘇,以及DDR2轉(zhuǎn)換至DDR3速度加快,力成訂單能見度延展至6~7月,華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載,客戶端需求非常強勁,產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測試部分,卡在測試機臺供應不及,測試產(chǎn)能不足
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TIMC停擺傳言滿天飛 臺面下耳語連連
- 臺“經(jīng)濟部”長施顏祥今日將會見DRAM相關(guān)業(yè)者,業(yè)者最期待經(jīng)濟部如何處理臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)的問題。雖然再造方案面臨停擺,但市場風風雨雨的傳言卻從未停歇,包括之前傳出TIMC可能會藉瑞晶的殼,執(zhí)行B計畫來大復活,導致力晶堅持要買回瑞晶股份來提防;再者,TIMC員工并入瑞晶,在新竹辦公室更傳出清算的動作,更被解讀為掩護TIMC地下化的假動作,然這一切傳言,可望在施顏祥對外說明后,正式告一段落。 「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」回到1年前的原點,尤其在立法院堅持杯葛國發(fā)基金
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美日韓陣營鼎立 DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點
- 2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)從全球前五強變成四強鼎立,歐系代表奇夢達(Qimonda)正式退出市場,也宣告溝槽式技術(shù)陣營的結(jié)束。展望2010年DRAM產(chǎn)業(yè)新頁,將會是美、日、韓陣營合寫歷史,但目前臺灣的DRAM版圖中,韓系已消失,未來臺灣分為美、日兩陣營來抵御三星電子(Samsung Electronics )的勢力坐大,惟產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點,最后一名很容易跟隨奇夢達的命運,因此美光(Micron)和爾必達(Elpida)未來競爭會更為激烈,且臺灣將成為美、日兩陣營比劃武功的重要戰(zhàn)場。 DRAM產(chǎn)
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威剛董事長預計DRAM市場二季度起出現(xiàn)供應短缺
- 據(jù)臺灣媒體報道,威剛科技董事長陳立白(Simon Chen)今日表示,從第二季度開始,動態(tài)隨機存儲器(DRAM)市場可能會面臨供應短缺問題,到今年下半年,供需缺口可能會達到10%。 據(jù)報道,很多DRAM生產(chǎn)商已將部分DDR-2芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DDR-3,這推動DDR-2芯片價格在傳統(tǒng)淡季第一季度出現(xiàn)上漲。 報道稱,自春節(jié)假期結(jié)束以來,DDR2現(xiàn)貨價格已上漲6.8%。 威剛科技主要生產(chǎn)USB閃盤驅(qū)動器。
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臺灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價節(jié)后上漲7%
- 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道,內(nèi)存(DRAM)補貨潮號角響起,DDR2現(xiàn)貨價打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài),農(nóng)歷年后上漲近7%,創(chuàng)近一個多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠,但科技大廠可能得要擔心,資訊產(chǎn)品供應鏈下半年會出現(xiàn)缺貨潮。 威剛董事長陳立白指出,電子大廠都在談缺工,其實缺工問題不大,缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產(chǎn)品會面臨這個問題。 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)26日的報價,1Gb DDR2有效測試顆粒(eTT)上漲逾2%,均價2.35美元,創(chuàng)近一個多月新
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英飛凌向爾必達提出專利侵權(quán)訴訟
- 英飛凌科技股份公司今日宣布,該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)遞交起訴書,稱爾必達(Elpida Memory Inc.)制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導體制程和元件制造方面四項重要發(fā)明專利,涉嫌不公平貿(mào)易。 英飛凌公司管理委員會成員兼銷售、營銷、技術(shù)與研發(fā)負責人Hermann Eul博士指出:“英飛凌在業(yè)界一直處于先進半導體制程的領(lǐng)先地位。我們將盡力保護我們通過持續(xù)研發(fā)所獲得的知識產(chǎn)權(quán)。&rdqu
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iSuppli:2010年DRAM內(nèi)存市場將增長40%
- 據(jù)市場研究公司iSuppli稱,經(jīng)過連續(xù)三年的下降之后,DRAM內(nèi)存市場2010年的銷售收入將達到319億美元,增長40%。 iSuppli負責DRAM內(nèi)存業(yè)務的高級分析師Mike Howard在聲明中說,2010年將在2009年第四季度增長的基礎(chǔ)上繼續(xù)增長。2009年第四季度整個DRAM內(nèi)存行業(yè)的銷售收入環(huán)比增長了40%。 Howard指出出貨量的增長和平均銷售價格的提高是這種增長的主要原因。 2009年第四季度是DRAM內(nèi)存行業(yè)在最近的記憶中表現(xiàn)最好的一個季度。據(jù)iSuppli稱,20
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM 內(nèi)存
美光、南亞科攜手42納米 加入DRAM新技術(shù)戰(zhàn)局
- 美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn),今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問世,同時也全面導入銅制程技術(shù),與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(Elpida)45納米相比,美光陣營的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產(chǎn)出數(shù)量最多,預計在2010年第2季試產(chǎn),而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導入42納米制程,與爾必達旗下力晶和瑞晶導入45納米的時間點相仿。 2010 年DRAM市場50
- 關(guān)鍵字: Micron 40納米 DRAM
海力士反行業(yè)主流看法:今年DRAM芯片恐將過剩
- 2月9日消息,據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道,在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際,全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)出警告,認為今年DRAM芯片恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開表示,看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè),海力士卻發(fā)布警告,看法與三星大為迥異。海力士發(fā)警告,將牽動南科、華亞科、力晶以及創(chuàng)見、威剛等臺灣內(nèi)存企業(yè)發(fā)展計劃。 外電報道,海力士執(zhí)行長金鐘甲在接受媒體採訪時透露,由于各大晶片廠都大舉擴大資本支出,擔心DRAM芯片會供給過剩
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM
3d x-dram介紹
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