- IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經連續(xù)四個季度上漲。
不過因為原廠紛紛提出擴產計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產能供過于求的可能性相當高。
近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內存
- 關鍵字：
DRAM NAND
- 韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內存芯片和下一代智能手機領域的領先地位。
作為世界最大的記憶芯片生產商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導體生產線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產基地添置一條新的生產線。
近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數百億美元來推動NAND閃存的
- 關鍵字：
NAND 三星
- ICinsights認為，全球內存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。
盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。
內存價格從去年第三季起漲，ICinsights預期動能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉負，為這波正向循環(huán)劃下休止符。
ICinsights指出，隨著價格走揚，內存制造商也再次增加資本投
- 關鍵字：
DRAM NAND
- 韓國半導體產業(yè)發(fā)展風生水起。世界上最大的內存芯片供應商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導體生產線已經開始量產。NAND閃存技術開發(fā)商SK海力士公司已經加入了一個同盟，將投標收購日本東芝的內存部門。今天，我們邀請到了韓國真好經濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導體產業(yè)的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產的半導體工廠的意義。
根據IT市場研究公司的數據，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數字具有絕對優(yōu)勢，但平澤半導體廠
- 關鍵字：
半導體 NAND
- 這個時間點我們討論NorFlash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關標的與行業(yè)基本面也出現了變化(如Switch超預期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時我們調高AMOLED與TDDINor的需求拉動預期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究;
汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉TDDI+AMOLED新需求錦上添花
1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉
從各方面驗證，2016年是NOR的拐點
- 關鍵字：
DRAM NAND
- 據韓聯社報道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導體生產線近日正式投產。三星電子將在該工廠生產第四代64位V-NAND，月產能可達20萬片，并計劃持續(xù)擴充生產設備，解決近年來全球半導體市場上供不應求的局面。
據了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產品生產線。
三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導體生產線投入6
- 關鍵字：
三星 V-NAND
- 全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術的 3D NAND Flash 產品，且已完成試樣。該款產品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。
東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術的
- 關鍵字：
東芝 NAND
- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預計將在未來18個月內成為市場主流...
Western Digital(WD)內存技術執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。
在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產品線。 他預計今年WD約有一半的產品線都將采用3D
- 關鍵字：
NAND 堆棧
- 三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產，與此同時，三星還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。
64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩(wěn)固領先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產比重拉高至五成以上。
其實，三星今年 1 月已先為某關鍵客戶，打造第一顆內含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動與消費型儲存市場開發(fā)新應用，務求與 I
- 關鍵字：
三星 NAND
- 鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實，將籌組美、日、臺夢幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現擔心鴻?！钢袊蛩亍沟脑u論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經濟產業(yè)省高層，并強調，鴻海如果順利得標，海外市場將優(yōu)先考慮在美設內存芯片廠。
東芝半導體競標案進入倒數計時，預計本周公布結果。 競標者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經新聞、路透社專訪。 郭董強調，如果鴻海順利標下東芝半導體事業(yè)，希望未來能在海外建立內存工廠，地點將優(yōu)先考慮美國。
郭臺銘補充，因為美國國內市場需求在當地還沒達到，
- 關鍵字：
東芝 NAND
- NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構技術并不成熟。采SLC架構是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數為10萬次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
- 關鍵字：
MLC 閃存 NAND 英特爾
- 公司內部派系斗爭問題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災影響日本經濟及東芝業(yè)績，造成派系斗爭惡化，及為自保而偽造業(yè)績歪風興起，等到2015年事件爆發(fā)，發(fā)現該廠從2008會計年度(2008/4~2009/3)便有業(yè)績灌水的問題，事件逐一發(fā)不可收拾。
- 關鍵字：
東芝 NAND
- 3D電影現在比比皆是，相必大家都不陌生了吧，但是你知道3D的原理嗎?不知道的話，就隨小編一起來學習一下吧~~~
- 關鍵字：
3d原理 3D
- 加拿大皇后大學人類媒體實驗室研究員研發(fā)成功的“TeleHuman”3D全息投影設備，能將科幻片中經常出現的3D虛擬投影變成現實。這款設備開發(fā)本意就是用3D全息影像來代替現有的平面視頻會議.
- 關鍵字：
3D 全息投影技術 遠程醫(yī)療
- 近日科學家為身在國際空間站或者執(zhí)行火星任務的宇航員研發(fā)了一種虛擬現實3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現實世界之上的虛擬圖像，后者能夠輔助宇航員獨自進行外科手術治療疾病。
- 關鍵字：
3D 太空手術 創(chuàng)新技術
3d-nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
