EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
3d-nand
3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)
全球3D NAND大軍技術(shù)對(duì)決 下半年產(chǎn)出可望大增
- 2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競(jìng)爭(zhēng)力的64層3D NAND Flash加入競(jìng)局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場(chǎng)大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開(kāi)啟3D NAND Flash時(shí)代。 三星在2
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開(kāi)始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來(lái)，隨著 NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過(guò)，這種上漲趨勢(shì)將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國(guó)廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過(guò)去的漲勢(shì)，開(kāi)始出現(xiàn)下跌的情況。 Gart
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
乘上存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮 美光Q2業(yè)績(jī)超預(yù)期
- 北京時(shí)間3月24日上午消息，由于供應(yīng)趨緊和需求旺盛導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格上升，美光科技預(yù)計(jì)當(dāng)前季度的營(yíng)收和利潤(rùn)遠(yuǎn)超分析師預(yù)期。該公司第二財(cái)季利潤(rùn)也超出分析師預(yù)期，促使其股價(jià)在周四盤(pán)后交易中大漲9.4%。 由于各大企業(yè)都在爭(zhēng)相開(kāi)發(fā)體積更小、效率更高的芯片，引發(fā)了供應(yīng)瓶頸，但與此同時(shí)，智能手機(jī)、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求卻在飆升，導(dǎo)致全球存儲(chǔ)芯片制造商正在經(jīng)歷分析師所謂的“超級(jí)周期”。 美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價(jià)21%，此前一個(gè)季度已
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬(wàn)億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器。快閃存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤(pán)，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。 市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： 三星 3D NAND
長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存各項(xiàng)指標(biāo)已達(dá)預(yù)期 2019年全速量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話語(yǔ)權(quán)，甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒(méi)可能，想獲得突破還得靠國(guó)產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年會(huì)在技術(shù)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，隨后
- 關(guān)鍵字： 長(zhǎng)江存儲(chǔ) NAND
手機(jī)廠家紛紛漲價(jià)全是因?yàn)樗?/a>
- 3月1日，樂(lè)視宣布，對(duì)旗下樂(lè)Pro 3進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。在這之前，魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價(jià)措施……手機(jī)廠家紛紛執(zhí)行漲價(jià)措施，往常都想用低價(jià)策略吸引用戶的廠家們這次都是因?yàn)槭裁茨? 有沒(méi)有朋友發(fā)現(xiàn)目前市場(chǎng)上的閃存類(lèi)產(chǎn)品價(jià)格在悄悄增長(zhǎng)，包括我們熟悉的U盤(pán)、內(nèi)存、硬盤(pán)類(lèi)產(chǎn)品，這些產(chǎn)品和近期紛紛宣布漲價(jià)的手機(jī)是否有什么關(guān)系呢? 關(guān)鍵在于它們都使用了一種核心器件：Flash Memory，也就是大家說(shuō)的“閃存”，而這類(lèi)器件由于目前生產(chǎn)減少，出現(xiàn)了供不應(yīng)求的狀況，導(dǎo)致其價(jià)格上漲，最終
- 關(guān)鍵字： Nand 內(nèi)存
DRAM與NAND差別這么大，存儲(chǔ)之爭(zhēng)都爭(zhēng)啥？
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)) 工作原理 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來(lái)組成的?！ ?nbsp;
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
打破市場(chǎng)壟斷 國(guó)產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話語(yǔ)權(quán)，甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒(méi)可能，想獲得突破還得靠國(guó)產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年會(huì)在技術(shù)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，
- 關(guān)鍵字： NAND 東芝
三星穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位 估供應(yīng)吃緊整年
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，今年儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)整年都將維持供應(yīng)吃緊的情況，NAND Flash廠商業(yè)績(jī)可望逐季攀高。 集邦科技調(diào)查，隨著NAND Flash缺貨達(dá)到高峰，產(chǎn)品平均售價(jià)走揚(yáng)，加上終端出貨暢旺，去年第4季NANDFlash產(chǎn)值達(dá)120.45億美元，季增達(dá)17.8%，各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。 集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%，居第2大廠;西部數(shù)據(jù)市占率17.7%，居第3大
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
3d-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3d-nand電路
3d-nand相關(guān)帖子
3d-nand資料下載
3d-nand專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473