3d-nandflash 文章 進入3d-nandflash技術(shù)社區(qū)
長江存儲：128層3D NAND技術(shù)會按計劃在今年推出
- 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。今年早些時候，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總
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微軟Surface Duo未來新特性：支持3D深度相機
- 新推出的Surface Neo并不是微軟唯一的雙屏設備。在去年10月份的發(fā)布會上，微軟還宣布了一款名為“Surface Duo”的Surface手機，Surface Duo可運行Google的Android應用，并直接從谷歌Play商店支持Microsoft服務。Surface Duo是由Panos Panay領導的Surface團隊設計的，它具有出色的硬件，但是之前有傳言稱Surface Duo設備將配備中核相機。與三星Galaxy Fold和華為Mate Xs競爭的Surface Duo可能沒有配備出
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歐司朗推出首款智能3D感應發(fā)射器模塊，讓智能手機玩轉(zhuǎn)專業(yè)攝影
- 圖片已經(jīng)成為人們在社交媒體展現(xiàn)自我的重要方式。為了追求“完美的圖像”，越來越多的應用程序提供了濾鏡或編輯功能來增強圖像效果。盡管智能手機攝影功能創(chuàng)新層出不窮，但仍然有一些圖像效果只能通過專業(yè)相機和復雜昂貴的鏡頭來實現(xiàn)。歐司朗推出首款3D傳感發(fā)射器模塊，讓智能手機以交錯景深拍攝高質(zhì)量的圖像和視頻，達到專業(yè)效果。例如在人像拍攝中，實現(xiàn)人臉聚焦、背景模糊的小景深。如今，智能手機、可穿戴設備和其他移動設備的功能越來越多，留給內(nèi)部元器件的設計空間也越來越小。對制造商而言，能找到合適的發(fā)射和接收器件以及IC元器件，進
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光線追蹤：一種顛覆性技術(shù)
- 對于任何名副其實地從事AR/VR/XR、產(chǎn)品設計或仿真工作的工程師而言，光線追蹤是他們應該熟悉的一種技術(shù)。因為它是自三維（3D）圖形誕生以來圖形技術(shù)領域最重要的進步之一，而且它即將從高深的電影和廣告領域轉(zhuǎn)向移動、可穿戴和汽車等嵌入式領域，作為全新的、更有效的處理光線追蹤的方法進入市場。如果你去看任何的三維場景，會發(fā)現(xiàn)其逼真度很大程度上取決于光照。在傳統(tǒng)的圖形渲染（光柵化處理）中，光照貼圖和陰影貼圖是預先計算好的，然后應用到場景中以模擬場景外觀。然而，雖然可以實現(xiàn)很美觀的效果，但其始終受限于一個事實，即這些
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走近英特爾Lakefield——采用備受贊譽的Foveros 3D封裝技術(shù)
- 這款指甲大小的英特爾芯片是首款采用了Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。英特爾院士、芯片工程事業(yè)部成員?Wilfred Gomes，手執(zhí)一枚采用Foveros先進封裝技術(shù)打造而成的處理器。該處理器將獨特的3D堆疊與一種混合計算架構(gòu)結(jié)合在一起，這種架構(gòu)混搭了多種類型、功能各異的內(nèi)核。（圖片來源：Walden Kirsch/英特爾公司）Foveros封裝技術(shù)改變了以往將不同IP模塊放置在同一2D平面上的做法，改為3D立體式堆疊，讓處理器有了全新的構(gòu)建模式。試想一下，全新設計的芯片就像一個設計成1毫米厚的夾心蛋
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手機廠商大行3D 視覺技術(shù)，屏下指紋識別解鎖或成“覆面系”福音？
- 自iPhoneX在智能手機中首次搭載3DSensing以來,其2018年發(fā)布的iPhoneXR、iPhoneXS、iPhoneXSMax均采用3Dsensing。3Dimaging&sensing市場規(guī)模將從2016年的13億美元增長至2022年的90億美元,CAGR達到37.3%,2022年3D成像設備有望超過10億個。誠然,消費者的需求已經(jīng)非常明顯,他們不但想要差異化強個性化足的產(chǎn)品,而且還希望擁有提升體驗效率的表現(xiàn)。圖片來源:http://software.it168.com如何解決“覆面系
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憑借BiCS5 3D NAND技術(shù)，西部數(shù)據(jù)進一步增強其存儲領域領導優(yōu)勢
- 西部數(shù)據(jù)公司近日宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有競爭力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯(lián)網(wǎng)、移動設備和人工智能等相關(guān)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)指數(shù)級增長的當下，BiCS5成為了理想的選擇?；?12 Gb的 BiCS5 TLC，西部數(shù)據(jù)目前已成功在消費級產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)出貨。預計到2020下半年，BiCS5將投入大規(guī)模量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括
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豪威科技和光程研創(chuàng)簽署合作意向書,聚焦近紅外線3D傳感及數(shù)碼成像產(chǎn)品
- 行業(yè)領先的先進數(shù)碼成像解決方案的開發(fā)商豪威科技（OmniVision Technologies, Inc.）和鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)的領導者光程研創(chuàng)（Artilux Inc.）于近日聯(lián)合宣布簽署合作意向書，雙方經(jīng)過正式的商業(yè)交流及技術(shù)評估后，將在CMOS影像傳感器及鍺硅3D傳感技術(shù)上展開合作。此合作項目的主要目的為結(jié)合豪威科技在CMOS數(shù)碼成像的先進技術(shù)及市場地位，及光程研創(chuàng)的鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)，以完整的解決方案加速導入手機市場。雙方亦期望能藉此合作基礎，為終端客戶提供更為多元彈性的產(chǎn)品選擇，進而實現(xiàn)各項
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新東芝存儲不看好3D XPoint技術(shù)：XL-Flash更有性價比
- 在近日召開的國際電子設備會議（IEDM）上，東芝存儲發(fā)布了基于Twin BiCS技術(shù)的閃存產(chǎn)品，并透露了即將推出的XL-Flash技術(shù)信息，同時它表示對3D XPoint之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好。至于原因，東芝認為3D XPoint成本太高，在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。其實對于高端DIY玩家而言，如果追求極致速度和體驗，3D XPoint是不二之選。即便是NAND SSD最強的SLC在4K隨機性能、
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Blickfeld推出新款遠程激光雷達
- 據(jù)外媒報道，固態(tài)激光雷達技術(shù)領先供應商Blickfeld推出了其產(chǎn)品陣容內(nèi)的最新成員 - Cube Range。該款基于MEMS（微電子機械系統(tǒng)）的激光雷達傳感器探測范圍得到擴展，能夠探測250米以外的物體。與Blickfeld Cube陣容內(nèi)的其他產(chǎn)品一起，Blickfeld現(xiàn)在可以為自動駕駛汽車提供完整的激光雷達套件。
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中國首款！長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)
- 網(wǎng)易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
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國內(nèi)機器視覺產(chǎn)業(yè)的技術(shù)市場
- 迎?九?（《電子產(chǎn)品世界》編輯） 摘?要：在2019年8月的“北京機器視覺助力智能制造創(chuàng)新發(fā)展大會”上，機器視覺產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主席潘津介紹了中國機器視覺產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟2018年度的企業(yè)調(diào)查報告，并對未來3年進行了展望，探討了未來的技術(shù)趨勢和熱點?！ ￡P(guān)鍵詞：機器視覺；3D；檢測；嵌入式視覺 1 回顧2018年機器視覺市場 2018年我國機器視覺產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值是84億元，從2016年到2018年，年復合增長率是31%。圖1下是2016年到2018年機器視覺行業(yè)的凈利潤額，可見從2016年到2018年是持續(xù)增長的，
- 關(guān)鍵字： 201909 機器視覺 3D 檢測 嵌入式視覺
泛林集團推出晶圓應力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展
- 上?！?近日，全球領先的半導體制造設備及服務供應商泛林集團宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機器學習等應用的需求。通過推出用于背面薄膜沉積的設備VECTOR? DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設備EOS? GS，泛林集團進一步拓展了其應力管理產(chǎn)品組合。泛林集團推出晶圓應力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展高深寬比沉積和刻蝕工藝是實現(xiàn)3D NAND技術(shù)持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。隨著工藝層數(shù)的增加，其累積的物理應力越來越大，如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過程中
- 關(guān)鍵字： 泛林集團 晶圓應力管理解決方案 3D NAND技術(shù)
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