3d-nandflash 文章 進入3d-nandflash技術(shù)社區(qū)
研發(fā)主管U盤拷走Intel技術(shù)機密:獻給對手
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- Intel風(fēng)生水起的Optane傲騰產(chǎn)品是基于3D Xpoint存儲芯片打造的,而該技術(shù)其實是Intel和美光合研所得。不過,Intel和美光已經(jīng)宣布,將在今年上半年完成第二代3D Xpoint芯片開發(fā)后分道揚鑣,同時,該存儲芯片誕生地、Intel美光合資的IM Flash工廠,也已經(jīng)被美光全資收購,今年底交割完成。 然而,關(guān)于3D Xpoint,Intel和美光之間還正爆發(fā)著一場官司。 加州東區(qū)法院3月22公布的法庭裁定顯示,Intel前研發(fā)經(jīng)理Doyle Rivers被要求不得擁有、使
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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸,因素在于美國管制與韓國壟斷
- 根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導(dǎo)指出,中國一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術(shù)精進下,加上美國對知識產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護,其目的將難以達成?! 髮?dǎo)指出,2018年10月份,在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后,當(dāng)時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品,直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星,早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
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STRATASYS攜最新3D打印解決方案和高級新型材料亮相2019年TCT亞洲展
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- 3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys(Nasdaq:SSYS)今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(TCT Asia 2019),以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會期間,Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料,能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限,大幅降低生產(chǎn)耗時及人工成本,滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級的行業(yè)盛會,匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展
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Stratasys攜最新3D打印方案和高新材料亮相TCT亞洲展
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- 3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys(Nasdaq:SSYS)今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(TCT Asia 2019),以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會期間,Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料,能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限,大幅降低生產(chǎn)耗時及人工成本,滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級的行業(yè)盛會,匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展和最新應(yīng)用,
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淺析Nandflash燒錄技巧與方法
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- Nandflash芯片以其高性價比,大存儲容量在電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用。但是,在此量大質(zhì)優(yōu)的應(yīng)用領(lǐng)域,很多客戶卻痛苦于批量質(zhì)量問題:專用工具無法滿足量產(chǎn),量產(chǎn)工具卻可能出現(xiàn)極大的不良品率,那么究竟要如何解決呢? 其實根本原因在于目前大部分用戶并不是很了解Nandflash燒錄的復(fù)雜性,他們常采用很直接的方法,即使用一顆能正常運行的NandFlash芯片作為母片,在連接編程器之后,點擊燒錄軟件上的“讀取”按鈕,把數(shù)據(jù)從芯片里面完整讀取出來,然后再找?guī)最w空芯片,把數(shù)據(jù)重復(fù)寫進去。本以為可達到量產(chǎn)的目的,但實
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CES 2019:英特爾推出5G芯片 躋身無線基站
- CES 2019展會上,英特爾宣布了因應(yīng)5G時代的“Snow Ridge”。此外,該公司還同時發(fā)布了10nm工藝的下代桌面和移動處理器Ice Lake、服務(wù)器處理器Ice Lake、Foveros 3D立體封裝處理器Lakefield。
- 關(guān)鍵字: CES2019 5G芯片 Snow Ridge Foveros 3D
突破瓶頸,英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)
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- 2018年12月11日,以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺,本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專家,就數(shù)據(jù)洪流時代下,企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值,變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
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產(chǎn)業(yè)高點已過,2019年閃存價格恐跌40%
- CINNOResearch對閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示,在64層的3D-NAND良率更為成熟,需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下,NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇,各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長,也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%,而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系,第三季成長幅度來到20-25%,整體第三季閃存產(chǎn)值達到172億美元,季成長約為5%,值得注意的是,也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
- 關(guān)鍵字: 閃存 3D-NAND
e絡(luò)盟3D打印產(chǎn)品線再添新供應(yīng)商MakerGear
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- 全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商e絡(luò)盟宣布新增MakerGear系列 3D 打印機,進一步擴充其 3D 打印產(chǎn)品陣列。MakerGear是 3D 打印系統(tǒng)技術(shù)和市場領(lǐng)航者,其打印機旨在加速終端應(yīng)用部件和設(shè)備的原型設(shè)計及生產(chǎn)?! 癕akerGear打印機的設(shè)計、構(gòu)建、制造和檢驗均符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn),確保為專業(yè)人士和創(chuàng)客提供最優(yōu)性能。” Premier Farnell 和 e絡(luò)盟全球測試和工具主管 James McGregor表示,“作為開發(fā)服務(wù)分銷商,我們致力于為客戶進行創(chuàng)新設(shè)計、加快產(chǎn)品研發(fā)上市速度提供技術(shù)
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基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇
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- 10月24日,由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行?! ”緦酶叻逭搲偷谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達成戰(zhàn)略合作,與第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行,來自中國、歐洲及其他國家的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺論劍,給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴。 立足國際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢,從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn),以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
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NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā)
- NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā),0 引 言
隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展,其應(yīng)用環(huán)境的廣泛性,復(fù)雜性對構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設(shè)備提出更高要求,需要閃存設(shè)備傳輸速度更快,體積更小,容量更大,穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410 - 關(guān)鍵字: NandFLASH NorFLASH 接口設(shè)計 驅(qū)動開發(fā)
晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動,中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額
- 近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告,報告顯示,中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%,到2020年,這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動,中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出,超越世界其他地區(qū),占據(jù)首位。 2014年中國成立大基金以來,促進了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長,目前已成為全球半導(dǎo)體進口最大的國家市場。SEMI指出,目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設(shè)項目,代工廠、DRAM和3D
- 關(guān)鍵字: 晶圓 DRAM 3D NAND
3d-nandflash介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d-nandflash的理解,并與今后在此搜索3d-nandflash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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