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          突破瓶頸,英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)

          • 2018年12月11日,以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺,本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專家,就數(shù)據(jù)洪流時代下,企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值,變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)  存儲  傲騰  QLC 3D NAND  

          產(chǎn)業(yè)高點已過,2019年閃存價格恐跌40%

          •   CINNOResearch對閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示,在64層的3D-NAND良率更為成熟,需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下,NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇,各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長,也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%,而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系,第三季成長幅度來到20-25%,整體第三季閃存產(chǎn)值達到172億美元,季成長約為5%,值得注意的是,也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
          • 關(guān)鍵字: 閃存  3D-NAND  

          e絡(luò)盟3D打印產(chǎn)品線再添新供應(yīng)商MakerGear

          •   全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商e絡(luò)盟宣布新增MakerGear系列 3D 打印機,進一步擴充其 3D 打印產(chǎn)品陣列。MakerGear是 3D 打印系統(tǒng)技術(shù)和市場領(lǐng)航者,其打印機旨在加速終端應(yīng)用部件和設(shè)備的原型設(shè)計及生產(chǎn)。  “MakerGear打印機的設(shè)計、構(gòu)建、制造和檢驗均符合業(yè)界標準,確保為專業(yè)人士和創(chuàng)客提供最優(yōu)性能?!?Premier Farnell 和 e絡(luò)盟全球測試和工具主管 James McGregor表示,“作為開發(fā)服務(wù)分銷商,我們致力于為客戶進行創(chuàng)新設(shè)計、加快產(chǎn)品研發(fā)上市速度提供技術(shù)
          • 關(guān)鍵字: e絡(luò)盟   3D 打印  

          基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇

          •   10月24日,由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行。  本屆高峰論壇和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達成戰(zhàn)略合作,與第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行,來自中國、歐洲及其他國家的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺論劍,給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴?! ×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢,從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn),以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  3D SiC JBS二極管  4H 碳化硅PIN二極管  第三代半導(dǎo)體  中歐論壇  

          NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā)

          • NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā),0 引 言
            隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展,其應(yīng)用環(huán)境的廣泛性,復(fù)雜性對構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設(shè)備提出更高要求,需要閃存設(shè)備傳輸速度更快,體積更小,容量更大,穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
          • 關(guān)鍵字: NandFLASH  NorFLASH  接口設(shè)計  驅(qū)動開發(fā)  

          晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動,中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額

          •   近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告,報告顯示,中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%,到2020年,這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動,中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出,超越世界其他地區(qū),占據(jù)首位?! ?014年中國成立大基金以來,促進了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長,目前已成為全球半導(dǎo)體進口最大的國家市場。SEMI指出,目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設(shè)項目,代工廠、DRAM和3D
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  DRAM  3D NAND  

          STRATASYS推出碳纖維3D打印機滿足日益激增的碳纖維應(yīng)用需求

          • 隨著各行各業(yè)越來越多的公司開始使用復(fù)合材料,3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者Stratasys(Nasdaq:SSYS)正式發(fā)售價格實惠的碳纖維填充尼龍12材料專用增材制造系統(tǒng)。該工業(yè)級Fortus 380mc碳纖維3D打印機曾在今年3月首次亮相,目前已經(jīng)面向全球市場正式出貨,國內(nèi)售價53萬元人民幣(含稅)。
          • 關(guān)鍵字: Stratasys  3D 打印  碳纖維填充尼龍  

          盤點值得一看的未來新型電池技術(shù)

          • 顯然,我們不是第一次探討未來電池技術(shù)。在鋰電池?zé)o法獲得更大突破的情況下,科學(xué)家和技術(shù)人員紛紛著手研發(fā)新的電池技術(shù),如石墨烯、鈉離子、有機電池
          • 關(guān)鍵字: 新型電池  3D  折疊  快速充電  

          3D圖形芯片的算法原理是什么樣的?

          • 一、引言3D芯片的處理對象是多邊形表示的物體。用多邊形表示物體有兩個優(yōu)點:首先是直接(盡管繁瑣),多邊形表示的物體其表面的分段線性特征除輪廓外可
          • 關(guān)鍵字: 3D  圖形芯片  算法原理  

          淺析Nand Flash編程應(yīng)用難點

          • Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)
          • 關(guān)鍵字: NandFlash  編程  難點  

          3D SiC技術(shù)閃耀全場,基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

          •   6月26日-28日,基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會?! 』景雽?dǎo)體展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色調(diào),獨有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球?! ∪颡殑?chuàng)3D SiC?技術(shù)  展會期間,基本半導(dǎo)體技術(shù)團隊詳細介紹了公司獨創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù),該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力,通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入,使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計靈活性也有利于實現(xiàn)高電流密度的
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  3D SiC技術(shù)  碳化硅功率器件  

          紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

          • 在“2018中國半導(dǎo)體市場年會暨IC中國峰會”上,紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報告,介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間,紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  3D  NAND  自主可控  201807  

          成本節(jié)省高達50%:Stratasys在中國市場推出全新經(jīng)濟型材料

          •   3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys中國(以下簡稱Stratasys)宣布,專門為本地市場推出的兩款高性比新材料VeroDraft? 和FullCure 700?正式發(fā)布,即刻上市?! tratasys此次推出的兩款材料為本地市場帶來了高價值的新選擇,大大降低了專業(yè)3D打印應(yīng)用的門檻。這兩種材料均經(jīng)過優(yōu)化,可用于一般用途的原型制作。VeroDraft是一種剛性不透明光敏聚合物,可為形狀、匹配度與功能測試提供卓越的可視化效果和光滑表面。F
          • 關(guān)鍵字: Stratasys  3D 打印  

          TrendForce:2018年NAND Flash價格有望縮減10%-20%

          •   TrendForce研究指出,明年上半年步入淡季,NANDFlash價格有機會走跌,下半年需求回升,可能再次供不應(yīng)求,預(yù)估2018年NANDFlashASP(平均銷售單價)將較2017年縮減10%-20%。   相對而言,TrendForce預(yù)計,2018年DRAM產(chǎn)能擴增效益有限,價格趨勢與供給狀況持續(xù)看漲、看緊。   TrendForce表示,就移動存儲來看,智能手機應(yīng)用的存儲零組件價格從2016年第三季開始不斷攀升,以主流規(guī)格而言,到今年第四季價格平均上升40%,不僅影響各大品牌在智能手機的
          • 關(guān)鍵字: UFS  NANDFlash  

          費恩格爾:全面屏?xí)r代的3D—TOF

          •   談到生物識別,有兩點不得不談,其中一個是算法,另一個便是傳感器。在費恩格爾CEO黃昊看來,生物識別的關(guān)鍵在于算法,算法是提供今天生物識別行業(yè)的基礎(chǔ)。   細細看來,從光學(xué)指紋到電容指紋,從各種方案的支撐到小面陣的縮減再至屏下指紋、屏內(nèi)指紋,這是整個指紋識別技術(shù)更新的方向。2017年iPhone X發(fā)布的Face ID把生物識別在手機端的應(yīng)用提高到一個新高度,出現(xiàn)了人臉識別算法。不變的是,人臉識別在智能手機的出現(xiàn),它最重要的一個前提就是自學(xué)算法對傳統(tǒng)人臉識別算法的支撐。   指紋傳感器也被堪稱為生物
          • 關(guān)鍵字: 全面屏  3D-TOF  
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          3d-nandflash介紹

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