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3d-tof 文章 進(jìn)入3d-tof技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體推出新一代FlightSense? 多區(qū)ToF 傳感器, 適用于手勢(shì)識(shí)別、入侵報(bào)警和 PC 前用戶存在檢測(cè)
- · 經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的用戶存在檢測(cè)、手勢(shì)識(shí)別、“肩窺”防范非視覺(jué)總包方案,讓人機(jī)交互更順暢、信息更安全,更節(jié)能省電· 現(xiàn)已用于部分聯(lián)想 PC機(jī)中[1]服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出了其新一代 FlightSense? 飛行時(shí)間 (ToF) 多區(qū)傳感器。該產(chǎn)品連同一
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)
- 近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域,以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫(xiě)性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng),將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán),都呈現(xiàn)火力全開(kāi)的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景,而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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ST與Metalenz合作提供光學(xué)超結(jié)構(gòu)透鏡技術(shù)
- Metalenz與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,ST)宣布推出VL53L8直接飛行時(shí)間(Direct Time-of-Flight,dToF)傳感器。 Metalenz與意法半導(dǎo)體為消費(fèi)性電子設(shè)備提供世界首創(chuàng)光學(xué)超結(jié)構(gòu)透鏡技術(shù)Metalenz的超結(jié)構(gòu)光學(xué)透鏡技術(shù)是哈佛大學(xué)的技術(shù)研發(fā)成果,可以取代現(xiàn)有結(jié)構(gòu)復(fù)雜的多鏡片鏡頭。嵌入一顆超結(jié)構(gòu)光學(xué)透鏡后,來(lái)自3D傳感器模塊大廠意法半導(dǎo)體的飛行時(shí)間(ToF)測(cè)距模塊可以提供更多功能。Metalenz光學(xué)技術(shù)導(dǎo)入這些模塊,可以為眾多消費(fèi)性
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存儲(chǔ)芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國(guó)廠商只花了6年
- 近日,有消息稱,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初,會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了??梢?jiàn),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片,在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷
- 中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國(guó)三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層,直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破,長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣,預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)
- 頭一段時(shí)間,有媒體報(bào)道稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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提供應(yīng)用關(guān)鍵價(jià)值的3D ToF LIDAR技術(shù)
- 3D飛行時(shí)間(3D ToF)是一種無(wú)掃描儀LIDAR(光檢測(cè)和測(cè)距,激光雷達(dá))技術(shù),通過(guò)發(fā)射納秒級(jí)的高功率光脈沖來(lái)捕獲相關(guān)場(chǎng)景的深度信息(通常是短距離內(nèi)),已經(jīng)廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)4.0、汽車(chē)、醫(yī)療健康、安防和監(jiān)控、機(jī)器人等領(lǐng)域。本文將為您介紹3D ToF技術(shù)的發(fā)展與ADI推出的相關(guān)解決方案。3D ToF技術(shù)可精準(zhǔn)進(jìn)行距離測(cè)量3D ToF技術(shù)是采用ToF攝像頭通過(guò)使用調(diào)制光源(例如激光)主動(dòng)照亮物體,然后用對(duì)激光波長(zhǎng)敏感的傳感器捕捉反射光,以此測(cè)量距離。傳感器測(cè)量從攝像頭發(fā)射光,到攝像頭接收到發(fā)射光之
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意法半導(dǎo)體第二代多區(qū)飛行時(shí)間傳感器性能升級(jí)
- 服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)推出最新的FlightSense飛行時(shí)間(ToF)測(cè)距傳感器,適用于智能型手機(jī)鏡頭管理和擴(kuò)增實(shí)境和虛擬現(xiàn)實(shí)裝置。透過(guò)大幅提升關(guān)鍵組件的性能,意法半導(dǎo)體最新ToF模塊的測(cè)距性能相較上一代產(chǎn)品提升一倍,室內(nèi)全區(qū)模式測(cè)距長(zhǎng)達(dá)4公尺,在相同條件下,功耗比上一代產(chǎn)品降低了一半。意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁暨模擬、MEMS和傳感器事業(yè)群之影像子事業(yè)部總經(jīng)理Eric Aussedat表示,ST的ToF技術(shù)在商用領(lǐng)域獲得了傲人的
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)
- 比利時(shí)微電子研究中心(imec)于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)(VLSI Symposium),首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)結(jié)構(gòu),將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌(buried power rail)上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)透過(guò)這些埋入式電源軌(BPR)實(shí)現(xiàn)互連,性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔(nTSV)與埋入式電源軌(BPR)連接至晶圓背面,與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
- 關(guān)鍵字: imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
意法半導(dǎo)體推出二代多區(qū)直接ToF傳感器
- · VL53L8 直接飛行時(shí)間 (dToF) 傳感器非常適用于智能手機(jī)以及智能揚(yáng)聲器、人機(jī)界面、消費(fèi)類(lèi)激光雷達(dá)和 AR/VR/MR· 傳感器集成新的革命性超表面透鏡 (metasurface lens) 技術(shù)和性能更強(qiáng)、能效更高的激光源和片上處理改進(jìn)技術(shù) 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出了新一代FlightSense?飛行時(shí)
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 ToF
英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車(chē)用3D圖像傳感器
- 3D深度傳感器在汽車(chē)座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用,有助于打造創(chuàng)新的汽車(chē)智能座艙,支持新服務(wù)的無(wú)縫接入,并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求,以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與專(zhuān)注3D ToF(飛行時(shí)間)系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德(pmd)合作,開(kāi)發(fā)出了第二代車(chē)用REAL3?圖像傳感器,該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn),具有更高的分辨率。
- 關(guān)鍵字: 3D 圖像傳感器
英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù),賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用
- 增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟?lèi)的生活和工作方式。預(yù)計(jì)今年下半年,AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專(zhuān)為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì),將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì),擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力,能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作,幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程,并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX:
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎?
- 5月25日,有消息傳出,華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限,DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前,DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么,10nm是DRAM工藝的極限嗎?在回答這個(gè)問(wèn)題之前,我
- 關(guān)鍵字: DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
意法半導(dǎo)體推全套型STGesture手勢(shì)識(shí)別技術(shù)
- 服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST),推出能在設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、注重成本的消費(fèi)性與工業(yè)應(yīng)用中,加入非接觸式手勢(shì)控制的解決方案。該解決方案包括意法半導(dǎo)體的VL53L5CX FlightSense飛行時(shí)間(Time-of-Flight,ToF)多區(qū)測(cè)距傳感器和免費(fèi)的工程開(kāi)發(fā)用軟件。采用ToF傳感器的姿態(tài)識(shí)別是一項(xiàng)突破性的人機(jī)互動(dòng)技術(shù),讓使用者能夠與各種設(shè)備進(jìn)行復(fù)雜的互動(dòng)。手勢(shì)控制人機(jī)互動(dòng)最初是高階汽車(chē)的一項(xiàng)功能配置,現(xiàn)在則可以改善并加強(qiáng)多種設(shè)備的人機(jī)互
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