3d 文章 進(jìn)入3d技術(shù)社區(qū)
SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲(chǔ)芯片大揭秘
- 現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展,我們之前也報(bào)道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop,I
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3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言,存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當(dāng)前,我國(guó)筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。 相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
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美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場(chǎng)
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。 美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示,美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機(jī)市場(chǎng),此區(qū)塊市場(chǎng)占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
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面對(duì)大陸攻勢(shì) 三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資
- 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。 市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購,成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司,未來可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。 清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會(huì)上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于6日舉行的投資人說明會(huì)上表示,將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量,目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash,成毛康雄指出,將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn),目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。 東芝為全球第2大NAND Flash廠商,市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力
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- Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開發(fā),采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式,以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察,三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案,將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)
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- DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash,三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變,不過,三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn),短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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3D保護(hù)玻璃市場(chǎng)產(chǎn)值將于18年超越2D保護(hù)玻璃
- 觸摸屏的保護(hù)玻璃,又稱之為保護(hù)蓋,用來保護(hù)顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機(jī)的不同設(shè)計(jì)需求,保護(hù)玻璃有不同的形狀。保護(hù)玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部,再根據(jù)保護(hù)玻璃的形狀分為2D,2.5D和3D等。隨著智能手機(jī)廠商越來越在外形和時(shí)尚設(shè)計(jì)方面競(jìng)爭(zhēng),舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來越重要,這 也鼓勵(lì)著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護(hù)玻璃。 2016年用于手機(jī)的3D保護(hù)玻璃出貨量預(yù)計(jì)將增至4,900萬片,占手機(jī)用保護(hù)玻璃市場(chǎng)總量的3.1%。IHS預(yù)測(cè)2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模,
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3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主
- 韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo),韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù),在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu),3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高,讀寫速度快,耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?;谏鲜鰞?yōu)點(diǎn),對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù),3D NAND成為具有潛力,有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
- 關(guān)鍵字: 3D NAND 半導(dǎo)體
3d介紹
3D——三維圖形
3D是three-dimensional的縮寫,就是三維圖形。在計(jì)算機(jī)里顯示3d圖形,就是說在平面里顯示三維圖形。不像現(xiàn)實(shí)世界里,真實(shí)的三維空間,有真實(shí)的距離空間。計(jì)算機(jī)里只是看起來很像真實(shí)世界,因此在計(jì)算機(jī)顯示的3d圖形,就是讓人眼看上就像真的一樣。人眼有一個(gè)特性就是近大遠(yuǎn)小,就會(huì)形成立體感。計(jì)算機(jī)屏幕是平面二維的,我們之所以能欣賞到真如實(shí)物般的三維圖像,是因?yàn)轱@示在計(jì) [ 查看詳細(xì) ]
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