IT之家 12 月 1 日消息,臺媒科技新報今日發布報告稱,高通的下一代旗艦 3nm 驍龍 8 Gen 4 處理器,仍然僅由臺積電代工,而非此前傳言的臺積電和三星雙代工模式。報告稱,根據最新的行業信息,由于三星對明年 3nm 產能的保守擴張計劃和良率不理想,高通已正式取消明年處理器使用三星的計劃。雙代工模式被推遲到 2025 年。去年 6 月底,三星開始大規模生產第一代 3nm GAA(SF3E)工藝,這標志著三星首次將創新的 GAA 架構用于晶體管技術。第二代 3nm 工藝 3GAP
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臺積電 8 gen 4 4nm
據中國臺灣經濟日報報道,臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠(Fab 22),并且完成該廠2nm營運團隊建設。臺積電供應鏈認為,臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉向高雄,但仍視其他縣市爭取臺積電進駐態度及臺積電全盤規劃而定。報道指出,臺積電打破在不同產區同時生產最先進制程的慣例,將高雄廠原計劃切入28納米及7納米的規劃,改為直接切入2納米。同時在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際,也立刻于高雄第一期工廠作為生產2納米制程。此前據TechNews消息,臺積電在北部(新竹寶山)、中部(臺中
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臺積電 2nm 1.4nm
IT之家 7 月 12 日消息,三星電子 4 納米工藝的良率目前已經超過 75%,這引發了人們對于三星擴大半導體代工客戶的猜測。7 月 11 日,Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報告中表示:“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”,并提高了“高通和英偉達再次合作的可能性”。此前,三星電子代工廠曾經歷過產品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況,導致主要客戶紛紛轉向臺積電。結果,去年臺積電的資本支出和產能分別是三星電子代工業務的
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三星電子 4nm 半導體工藝
三星似乎已經解決了4nm工藝的一系列障礙。據Digitimes報道,三星在第三代4nm工藝的進步可能超出外界預期,從之前的60%提高到70%以上。
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三星 4nm 制程 工藝 良品率 臺積電 蘋果
3 月 19 日消息,據臺媒《經濟日報》報道,臺積電美國亞利桑那州廠預計 2024 年量產 4nm,高通全球資深副總裁暨首席營運長陳若文表示,高通將是臺積電美國廠 4nm 的首批客戶。高通于 3 月 17 日舉行新竹大樓落成啟用典禮,臺積電歐亞業務暨研究發展資深副總經理侯永清出席致意,并參加高通舉辦的產業高峰會,展現雙方的緊密關系。對于媒體關心高通是否評估在臺積電亞利桑那州廠投片生產,陳若文說,高通很早就開始評估,高通會是臺積電美國廠 4nm 制程的首批客戶。去年 12 月,臺積電將其對去年底開始建設的亞
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臺積電 4nm 高通
業內人士透露,臺積電在亞利桑那州的美國新工廠已獲得特斯拉的4納米芯片訂單,預計將于2024年開始量產。消息人士稱,當臺積電亞利桑那工廠開始履行其先進自動駕駛芯片的訂單時,特斯拉可能成為臺積電亞利桑那工廠的前3大客戶之一。特斯拉技術約領先競爭對手3~5年,先前與臺積電合作多時,最后2019年特斯拉卻將自駕芯片Hardware 3.0交由三星14納米、7納米制程代工生產。但隨著AI運算能力與安全性需求大增,三星因7納米以下制程良率與效能不佳,即使代工報價再便宜,特斯拉也不得不回頭與臺積電合作,業界盛傳Hard
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臺積電 特斯拉 4nm
想必大家也都感受到,似乎全球的各大經濟體都在爭搶芯片資源,尤其是高端芯片資源,其中尤其以芯片制造最為矚目,例如像日韓美歐都在大力發展芯片產業,甚至一些亞洲的發展中國家也在芯片產業提供各種補貼,以期望在芯片產業中占有一席之地。但要想在芯片產業中有所作為,尤其是掌握一定的話語權,關鍵是要在根技術上打好基礎,而這個根技術,就是制定相應的技術標準,美國芯片企業之所以得以在全球所向披靡,就是因為在芯片產業的早期,它們制定的企業標準逐步成為了行業標準,不僅提供授權可以獲得大量收益,還維護了其市場地位,可謂形成良性循環
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Chiplet 長電科技 4nm
據國外媒體報道,英特爾正在推進4nm和3nm制程工藝量產。英特爾副總裁、技術開發主管Ann Kelleher在舊金山的一場新聞發布會上透露英特爾正在實現為公司重奪半導體制造業領先地位而制定的所有目標。同時,Kelleher表示英特爾目前在大規模生產7nm芯片的同時,還做好了生產4nm芯片的準備,并將在2023年下半年準備生產3nm芯片。7nm制程工藝大規模量產,4nm制程工藝準備開始量產,明年下半年準備轉向3nm制程工藝,也就意味著他們在先進制程工藝的量產時間上,與臺積電和三星電子這兩大代工商的差距在縮小
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英特爾 4nm 芯片 IDM
12月1日消息,據國外媒體報道,據知情人士透露,在蘋果等美國客戶的推動下,臺積電投資120億美元在亞利桑那州建設的新工廠將于2024年開始生產4納米芯片。據悉,該工廠于2020年5月15日宣布,2021年6月份開始動工建設,今年夏天封頂,計劃2024年開始量產,規劃月產能為20000片晶圓。據報道,該工廠最初計劃從生產5納米芯片開始,但隨著蘋果和其他公司越來越多地尋求從美國采購零部件,臺積電已經升級了計劃,以便該工廠能夠供應更多尖端芯片。消息人士稱,臺積電預計將在下周二宣布新計劃。11月中旬,蘋果首席執行
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臺積電 4nm
據外媒報道,三星Galaxy S23系列手機將于2023年2月的首周正式推出。雖然三星通常在每年的2月底推出其名下的Galaxy S系列手機。但在今年推出Galaxy S22系列手機時,卻提前了幾周發布。因此S23系列或許也會跟今年的S22系列一樣,在2月的首周推出。Galaxy S23或全系標配驍龍8 Gen 2據消息人士最新透露,與此前曝光的消息基本一致,三星將在其即將推出的Galaxy S23系列旗艦將全系標配高通驍龍8 Gen 2處理器。高通公司首席財務官的一份文件中,相關人士表示Galaxy S
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三星 4nm 芯片 Galaxy S23 驍龍
Intel今年的13代酷睿處理器還會繼續使用Intel 7工藝,14代酷睿Meteor Lake則會升級到Intel 4工藝——這是Intel對標友商4nm的工藝,而且首次使用EUV光刻技術,今年下半年已經試產,其晶體管的每瓦性能將提高約20%?! ntel的4nm EUV工藝不僅會用于生產自家的x86處理器,同時還會用于旗下的IFS晶圓代工部門,也就是開放給其他廠商,最新消息稱4nm EUV工藝已經為SiFive公司生產了代號Horse Creek處理器?! ‖F在這款處理器已經從工廠回到了實驗室,
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Intel 酷睿 4nm
?Credo Technology(納斯達克股票代碼:CRDO)近日正式宣布推出其基于臺積電5nm及4nm制程工藝的112G PAM4 SerDes IP全系列產品,該系列能夠全面覆蓋客戶在高性能計算、交換芯片、人工智能、機器學習、安全及光通信等領域的廣泛需求,包括:超長距(LR+)、長距(LR)、中距(MR)、超極短距(XSR+)以及極短距(XSR)。?Credo IP產品業務開發助理副總裁Jim Bartenslager表示, “Credo先進的混合信號以及數字信號處理(DSP)1
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Credo 臺積電 5nm 4nm SerDes IP
Wear OS手表終于可以得到它們迫切需要的升級版芯片了(通過9to5Google)。高通公司在Twitter上發布的一段視頻中預告了這種可能性,表示其下一個Snapdragon智能手表芯片 "即將推出"。去年夏天,在三星和谷歌宣布合作開發Wear OS 3之后,高通公司表示它將在明年推出一款新芯片??雌饋砀咄ü菊诼男羞@一承諾,盡管我們不知道它將何時推出。(也許谷歌會在其即將推出的Pixel Watch中使用它)。驍龍芯片為一些Wear OS手表提供動力。但其最近的一款,即Wear
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智能手表 高通 4nm
AMD 在近日的2022 年金融分析師日的演講中,展示了其下一代“Zen 5”CPU 微架構。該公司最新的 CPU
微架構路線圖還證實,帶有 3D 垂直緩存 (3DV Cache) 的“Zen 4” CCD 核心在大量生產中中,包括
EPYC(霄龍)“Genoa”處理器產品線。
AMD 表示,目前已經完成了“Zen 3”架構的設計目標,將其構建在 7 nm 和 6 nm 節點上。新的“Zen 4”架構將在 5 nm
節點 (TSMC N5) 上首次亮相,
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AMD 4nm Zen5處理器
Intel的12代酷睿處理器去年就已經發布,首次上了性能+能效的異構設計,今年的13代酷睿代號Raptor Lake,下半年發布,屬于12代的改進版,明年的14代酷睿Meteor Lake則會大改,升級Intel 4工藝,也是Intel首個EUV工藝?! ?4代酷睿的架構也會大改,第一次采用非單一芯片設計,彈性集成多個小芯片模塊,包括下一代混合架構CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元,而且功耗非常低?! ?4代酷睿Meteor Lake也會是Intel酷睿系列中首個大量使用3D Foveros混合封
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英特爾 EUV 4nm
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