bcd-mos制程 文章 進(jìn)入bcd-mos制程技術(shù)社區(qū)
X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國北京,2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠,由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起,因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
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ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長跑35年第十代即將量產(chǎn)
- 意法半導(dǎo)體(ST)宣布,電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(Institute of Electrical and Electronics Engineering,IEEE)授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng),表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管,滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來,BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)/
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華虹半導(dǎo)體拓展電源管理技術(shù)平臺(tái) BCD工藝“8+12”齊發(fā)力
- 全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”)近日宣布,其高性能90納米BCD工藝平臺(tái)在華虹無錫12英寸生產(chǎn)線順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積,將在數(shù)字電源、數(shù)字電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)字音頻功放等芯片領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。緊貼電源管理技術(shù)高集成度和智能化的發(fā)展趨勢,華虹半導(dǎo)體最新推出了90納米BCD工藝平臺(tái),其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段,其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導(dǎo)通電阻,達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。為了滿足高集成度發(fā)展趨勢,該工藝平
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硬核技術(shù)創(chuàng)新加持,華虹宏力“8+12”特色工藝平臺(tái)為智能時(shí)代添飛翼
- 中國信通院數(shù)據(jù)顯示,2019年1-10月中國5G手機(jī)出貨量328.1萬部,發(fā)展速度遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)期。5G商用的加速推進(jìn),讓更廣泛的智能時(shí)代提前到來,隨之而來的是海量的芯片需求。然而,先進(jìn)芯片制造工藝雖有巨資投入,卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應(yīng)用需求;像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求,則主要由華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)為首的特色工藝芯片制造企業(yè),基于成熟工藝設(shè)備不斷創(chuàng)新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢來滿足。近日,在中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2019年會(huì)(ICCAD 2
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華虹第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)
- 特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn),該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢,對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。 第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)40V DMOS擊穿電壓達(dá)到52V,其導(dǎo)通電阻低至 20 mOhm.mm2,達(dá)到該節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先工藝水平,可提高產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)能力,減小芯片面積,擴(kuò)大高壓管安全工作區(qū)(Safe-Operation-A
- 關(guān)鍵字: 0.18 BCD 工藝
華虹半導(dǎo)體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn),助力LED照明騰飛
- 華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」,連同其附屬公司,統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布,其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺(tái)已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),良率超過98%,達(dá)到國際一流水平。該工藝平臺(tái)主要針對諸如AC-DC轉(zhuǎn)換器和LED照明等綠色能源的應(yīng)用,具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn),可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前,已有多家客戶在該平臺(tái)量產(chǎn),各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過客戶要求。 在全球節(jié)能環(huán)保的大趨勢下,LED綠色照明已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展期。據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì),
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華虹半導(dǎo)體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn) 助力LED照明騰飛
- 香港, 2015年4月22日 - (亞太商訊) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠── 華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」,連同其附屬公司,統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布,其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺(tái)已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),良率超過98%,達(dá)到國際一流水平。該工藝平臺(tái)主要針對諸如AC-DC轉(zhuǎn)換器和LED照明等綠色能源的應(yīng)用,具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn),可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前,已有多家客戶在該平臺(tái)量產(chǎn),各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過客戶
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BCD推出多款LED驅(qū)動(dòng)電源解決方案
- 近期,BCD半導(dǎo)體制造有限公司(BCDSemi)針對LED驅(qū)動(dòng)電源的特殊要求,推出了一系列高性價(jià)比、覆蓋中小功率應(yīng)用...
- 關(guān)鍵字: BCD LED 驅(qū)動(dòng)電源
華潤上華于上海舉辦首場BCD系列工藝技術(shù)論壇
- 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)旗下華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)于上海舉辦技術(shù)論壇,主題為“BCD系列工藝技術(shù)為綠色節(jié)能IC產(chǎn)品增值”。本次論壇由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)協(xié)辦,是該協(xié)會(huì)首次與企業(yè)合作舉辦論壇,也是華潤上華舉辦的第一場針對某個(gè)工藝的小型專題技術(shù)論壇。論壇吸引了共計(jì)100余位來自模擬IC設(shè)計(jì)公司的聽眾。
- 關(guān)鍵字: 華潤上華 IC設(shè)計(jì) 工藝 BCD
華潤上華推出高性價(jià)比0.25微米Scalable BCD工藝平臺(tái)
- 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司宣布已完成0.25微米Scalable BCD工藝平臺(tái)開發(fā),其更低成本和更高的可移植性可滿足客戶多樣化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求,進(jìn)一步提高了華潤上華BCD系列工藝平臺(tái)的技術(shù)優(yōu)勢。 華潤上華的0.25微米Scalable BCD工藝平臺(tái)為0.5微米前段制程與0.25微米后段制程,由之前0.25微米24V BCD工藝平臺(tái)延伸而來,核心器件工作電壓為5V,提供DMOS工作電壓為12V至45V的高壓器件與功率器件,其擊穿電壓由20V延伸到80V。該工藝廣泛應(yīng)用于DC-D
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bcd-mos制程介紹
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