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HBM新戰(zhàn)局，半導(dǎo)體存儲廠商們準(zhǔn)備好了嗎？
- 在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域，參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織固態(tài)技術(shù)協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注，這似乎也預(yù)示著HBM領(lǐng)域新的戰(zhàn)場已經(jīng)開啟...?堆棧通道數(shù)較HBM3翻倍?據(jù)悉，JEDEC于7月10日表示，備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM標(biāo)準(zhǔn)的下一個(gè)版本：HBM4標(biāo)準(zhǔn)即將完成定稿。圖片來源：JEDEC官網(wǎng)截圖HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版，旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時(shí)保持更高的帶寬、
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信越推出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可無需中介層實(shí)現(xiàn) HBM 內(nèi)存 2.5D 集成
- IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學(xué) 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可直接在封裝基板上構(gòu)建符合 2.5D 先進(jìn)封裝集成需求的電路圖案?！?nbsp;蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內(nèi)存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產(chǎn)成本的同時(shí)也縮短了先進(jìn)封裝流程?！?nbsp;2.5D 集成結(jié)構(gòu)對比信越表示，該新型后端設(shè)備采用準(zhǔn)分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復(fù)雜電路圖案，達(dá)到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細(xì)度。結(jié)合信越化學(xué)開發(fā)的光
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全球三大廠HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增
- AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，市場人士估計(jì)，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達(dá)H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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HBM、先進(jìn)封裝利好硅晶圓發(fā)展
- 隨著人工智能技術(shù)快速發(fā)展，AI芯片需求正急劇上升，推動先進(jìn)封裝以及HBM技術(shù)不斷提升，硅晶圓產(chǎn)業(yè)有望從中受益。近期，環(huán)球晶董事長徐秀蘭對外透露，AI所需的HBM內(nèi)存芯片，比如HBM3以及未來的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆疊，層數(shù)從12層到16層增加，同時(shí)結(jié)構(gòu)下面還需要有一層基底的晶圓，這增加了硅晶圓的使用量。此前，媒體報(bào)道，AI浪潮之下全球HBM嚴(yán)重供不應(yīng)求，原廠今明兩年HBM產(chǎn)能售罄，正持續(xù)增加資本投資，擴(kuò)產(chǎn)HBM。據(jù)業(yè)界透露，相較于同容量、同制程的DDR5等內(nèi)存技術(shù)，HBM高帶寬存儲芯片晶圓
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HBM之后存儲器市場掀起新風(fēng)暴
- AI人工智能應(yīng)用持續(xù)推動存儲器市場前行，其中HBM（高帶寬內(nèi)存）是當(dāng)之無愧的“寵兒”，不斷吸引存儲器廠商加大資本支出與擴(kuò)產(chǎn)。與此同時(shí)，存儲器市場新的力量已經(jīng)悄然形成，GDDR7有望接過HBM大棒，在AI浪潮下繼續(xù)推動存儲器市場穩(wěn)步向前。GDDR7與HBM的差異GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力，可為AI計(jì)算提供強(qiáng)大支持，不過GDDR7與HBM在技術(shù)、應(yīng)用場景與性能表現(xiàn)方面略有不同。GDDR7主要用于增強(qiáng)GPU的可用帶寬和內(nèi)存容量，是GDDR家族的最新一代技術(shù)。今年3月
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲
- 內(nèi)存大廠美光預(yù)計(jì)6月26日公布季報(bào)，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開始供貨給輝達(dá)后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價(jià)大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預(yù)期，美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚(yáng)，以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯(cuò)失機(jī)會」，在美光
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HBM產(chǎn)能緊 美光傳大舉擴(kuò)產(chǎn)
- 在人工智能（AI）熱潮席卷全球下，帶動市場對于高帶寬內(nèi)存（HBM）需求大幅增長，造成產(chǎn)能緊張。知情者透露，美國內(nèi)存芯片大廠美光（Micron）為掌握更多HBM產(chǎn)量，正在美國打造多條測試生產(chǎn)線以求擴(kuò)大產(chǎn)能，并首度考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，同時(shí)擴(kuò)大在臺中的產(chǎn)能。 日本經(jīng)濟(jì)新聞20日報(bào)導(dǎo)，美光今年6月初曾經(jīng)表示目標(biāo)在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，達(dá)到25％附近，這跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正積極要在HBM領(lǐng)域追上韓國SK海力士與三星電子。知情者表示，美光正擴(kuò)大其愛達(dá)荷州博伊
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有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D
- IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報(bào)道同時(shí)指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項(xiàng) 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報(bào)道
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三星否認(rèn)HBM3E品質(zhì)問題，聲明巧妙回避
- 有報(bào)導(dǎo)稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質(zhì)測試，三星對此否認(rèn)。韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo)稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應(yīng)測試，強(qiáng)調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴(yán)格測試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案。”三星近期開始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。外媒Tom′s Har
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試，“正改善質(zhì)量”
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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美光：已基本完成 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判，相關(guān)訂單價(jià)值數(shù)十億美元
- IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價(jià)格。美光預(yù)計(jì) HBM 內(nèi)存將在其截至 2024 年 9 月的本財(cái)年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級的營收，而在 25 財(cái)年相關(guān)業(yè)務(wù)的銷售額將增加到數(shù)十億美元。美光預(yù)測，未來數(shù)年其 HBM 內(nèi)存位元產(chǎn)能的復(fù)合年增長率將達(dá)到 50%。為了應(yīng)對 HBM 領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求，美光調(diào)升了本財(cái)年資本支出的預(yù)計(jì)規(guī)模，從 75~80 億美
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HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求
- 三星、SK海力士及美光等國際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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