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電子技術如何助力高鐵節(jié)能？
- 鐵路與其他客運工具相比，能源效率高，據(jù)說其每單位運輸量的CO?排放量約為一般載客車輛的1/7。特別是在長距離運輸中，其差距更大，高速鐵路網(wǎng)對運輸基礎設施的節(jié)能有很大的推動作用。一直以來，高速鐵路網(wǎng)在發(fā)達國家運輸基礎設施中承擔著重要的作用，而近年來在新興發(fā)展中國家也出現(xiàn)了鋪設高鐵的動向。日本已經(jīng)實現(xiàn)高速鐵路網(wǎng)的實用化，擁有該項技術的國家則集聚官民各方力量，加強對正在探討鋪設的國家的推銷攻勢。在高鐵市場競爭過程中，除了高速性、安靜性、安全性之外，能否通過削減CO?實現(xiàn)碳中和等環(huán)境性能也成為需要納入視野的關鍵點
- 關鍵字： 碳中和 逆變器 IGBT
意法半導體先進的電隔離柵極驅動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
- 關鍵字： 意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據(jù)中心應用而優(yōu)化設計
- 為滿足電力電子系統(tǒng)對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動汽車和數(shù)據(jù)中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構件
- 關鍵字： Microchip IGBT 7 功率器件
采用IGBT5.XT技術的PrimePACK?為風能變流器提供卓越的解決方案
- 本文由英飛凌科技的現(xiàn)場應用工程師Marcel Morisse與高級技術市場經(jīng)理Michael Busshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用，以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關重要的舉措中，風力發(fā)電技術扮演了關鍵角色，并已處于領先地位。在過去的20年中，風力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關。因此，先進風能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內元件數(shù)
- 關鍵字： 英飛凌 IGBT
功率模塊選得好，逆變器高效又可靠
- 全球正加速向電氣化轉型，尤其是在交通和基礎設施領域。無論是乘用車還是商用/農業(yè)車輛(CAV)，都在轉向電動驅動。國際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯示，太陽能發(fā)電量首次超過風電，達到1300TWh。轉換能量需要用到逆變器和轉換器。太陽能光伏(PV)板產生直流電，而電網(wǎng)中運行的是交流電。電動汽車(EV)的情況類似，其主驅電池系統(tǒng)提供直流電，而發(fā)動機中的主驅電機需要交流電。在這兩種情況下，電力轉換過程的能效具有重要影響，因為任何能量損失都會轉化為熱量，這就需要風扇或散熱器等散熱措施，進而會擴大整體解決方案
- 關鍵字： QDual3 電源轉換 IGBT
IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅
- 引言近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術創(chuàng)新突飛猛進。如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當?shù)钠胶?。當前新能源汽車牽引逆變器的功率半導體器件幾乎都是基于單一的硅基(Si) 或者碳化硅基（SiC）。Si IGBT 或寬帶隙 SiC MOSFET功率半導體具有不同的性能特點，可以適合不同的目標應用。單一性質的IGBT器件或SiC器件在逆變器應用中很難同時滿足高效和成本的要求。如今越來越多的設計人員希望以創(chuàng)造性的
- 關鍵字： 英飛凌 IGBT
什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會進入退飽和狀態(tài)？
- 如下圖，是IGBT產品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流?？梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個部分：1、關斷區(qū)：CE間電壓小于一個門檻電壓，即背面PN結的開啟電壓，IGBT背面PN結截止，無電流流動。2、飽和區(qū)：CE間電壓大于門檻電壓后，電流開始流動，CE間電壓隨著集電極電流上升而線性上升，這個區(qū)域稱為飽和區(qū)。因為IGBT飽和電壓較低，因此我們希望IGBT工作在飽和區(qū)域。3、線性區(qū)：隨著CE間電壓繼續(xù)上升，電流進一步增大。到一定臨界點后，CE電壓迅速增大，而集電極電流并不隨之增
- 關鍵字： IGBT
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創(chuàng)新的驅動器專門設計用于驅動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
- 關鍵字： SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動器
Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道”IGBT模塊的單板即插即用型門極驅動器
- 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門極驅動器，適配單個LV100（三菱）、XHPTM 2（英飛凌）、HPnC（富士電機）以及耐壓高達2300V的同等半導體功率模塊，該模塊適用于儲能系統(tǒng)以及風電和光伏可再生能源應用。該款超緊湊單板驅動器可對逆變器模塊進行主動溫升管理，從而提高系統(tǒng)利用率，并簡化物料清單(BOM)以提高逆變器系統(tǒng)的可靠性。Power Integrations產品營銷經(jīng)理Thors
- 關鍵字： Power Integrations IGBT 門極驅動器
igbt 介紹
什么是 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合 [ 查看詳細 ]
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