igbt模塊 文章 進(jìn)入igbt模塊技術(shù)社區(qū)
全新4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊讓驅(qū)動器實現(xiàn)尺寸小型化和效率最大化
- 【2023年12月25日，德國慕尼黑訊】許多應(yīng)用都出現(xiàn)了采用更小IGBT模塊，以及將復(fù)雜設(shè)計轉(zhuǎn)移給產(chǎn)業(yè)鏈上游的明顯趨勢。為了順應(yīng)小型化和集成化的全球趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)且使用2000 V至3300 V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸應(yīng)用的格局。這款新半導(dǎo)體器件將給諸多應(yīng)用帶來裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車、機車以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）。X
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Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動器
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器，新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動器可在不到2微秒的時間內(nèi)部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅(qū)動器還具有高
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Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究*
- 針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30 kW DC/DC變換器為研究對象，對功率模塊在不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計算、PLECS仿真和試驗驗證對比分析。PLECS仿真和試驗驗證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢。從文中可以看出，使用SiC替代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
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比亞迪半導(dǎo)體推出集成 PFC 的 IGBT 模塊
- IT 之家 11 月 30 日消息，據(jù)比亞迪半導(dǎo)體官方消息，目前，PFC（功率因數(shù)校正）電路設(shè)計正朝著高效、高頻、小體積、低成本以及集成化的方向發(fā)展。比亞迪半導(dǎo)體基于市場需求及技術(shù)發(fā)展趨勢，推出集成 PFC 的 IGBT 模塊新品。功率因數(shù)是用來衡量用電設(shè)備用電效率的參數(shù)，低功率因數(shù)代表低電力效能。為了提高用電設(shè)備功率因數(shù)的技術(shù)就稱為 PFC（功率因數(shù)校正）。比亞迪半導(dǎo)體共推出兩款新品：BG50D07N10S5：650V 50A 整流＋PFC＋逆變模塊，采用比亞迪 miniPIM2 封裝BG30K07Q1
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ITECH半導(dǎo)體測試方案解析，從容應(yīng)對全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌
- 全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌，行業(yè)整合步伐加速。作為電力控制/節(jié)能減排核心半導(dǎo)體器件，功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于從家電、消費電子到新能源汽車、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。順全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)洗牌大勢，近年來功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整合步伐急速提升
- 關(guān)鍵字： ITECH程控電源及電子負(fù)載 IGBT模塊 (600-2400V/4A-1800A) 電能轉(zhuǎn)換器件 光伏/智能電網(wǎng)/充電樁 什么是IGBT 導(dǎo)通電阻
將ADuM4135柵極驅(qū)動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用
- 簡介絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開關(guān)頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設(shè)計選擇的。本應(yīng)用筆記所述設(shè)計中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件，采用Microsemi Corporation?專有的視場光闌IGBT技術(shù)。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達(dá)20 kHz的開關(guān)頻率，以及由于對稱設(shè)計，具有低雜散電感的軟恢復(fù)并聯(lián)二極管
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基于IGBT模塊驅(qū)動及保護技術(shù)研究
- IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。 IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但I(xiàn)GBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF)，在驅(qū)動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿足開通和關(guān)
- 關(guān)鍵字： IGBT模塊 驅(qū)動
Littelfuse推出IGBT模塊和整流器二極管模塊
- Littelfuse公司日前宣布，為其功率控制半導(dǎo)體系列新添兩款產(chǎn)品。 新的半橋電路IGBT模塊提供符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的S、D或WD封裝和最高1200V、600A的額定值，能夠可靠、靈活地提供依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)的高效而迅速的開關(guān)速度。 此類產(chǎn)品設(shè)計用于多種功率控制應(yīng)用，包括交流電機控制器、運動/伺服控制器、逆變器、電源以及太陽能逆變器。 新的相臂和常規(guī)陰極電路整流器二極管模塊的額定值最高為1800V和200A，提供更高的熱效率以保證更長的使用壽命和可靠性能。 其符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的S和A封裝尺寸使標(biāo)準(zhǔn)二極管具有
- 關(guān)鍵字： Littelfuse IGBT模塊 整流器二極管模塊
二代大功率IGBT短路保護和有源鉗位電路設(shè)計
- 摘要：通過分析IGBT的器件特性和短路特性，以瑞士CONCEPT公司最新推出的二代SCALE-2模塊2SC0435T作為核心部件，設(shè)計了大功率IGBT的短路保護和有源鉗位電路。
關(guān)鍵詞：IGBT模塊；二代SCALE-2模塊；2SC0435T；短路保護 - 關(guān)鍵字： IGBT模塊 二代SCALE-2模塊 2SC0435T 短路保護 有源鉗位
igbt模塊介紹
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件 [ 查看詳細(xì) ]
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