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EEPW首頁 >> 主題列表 >> imec

imec 文章進入imec技術社區(qū)

imec采用High-NA EUV技術展示邏輯與DRAM架構

比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態(tài)系
關鍵字： imec High-NA EUV DRAM

小芯片大事記：imec創(chuàng)辦40周年回顧

1984年1月，比利時正在緊鑼密鼓的籌備一件重大活動，于1月16日正式成立比利時微電子研究中心（imec）。成立之初，imec雇用了70名人員。當時幾乎沒人想到imec會在接下來的40年發(fā)展為廣納全球5500名雇員的研究泰斗。
關鍵字：小芯片 imec

imec展示單片式CFET功能組件成功垂直堆棧金屬接點

于本周舉行的2024年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效晶體管（CFET）組件，該組件包含采用垂直堆棧技術形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點（contact）。雖然此次研究的成果都在晶圓正面進行接點圖形化，不過imec也展示了改從晶圓背面處理接點圖形的可行性—這能大幅提升頂層組件的存活率，將其從11%提升到79%。 CMOS互補式場效晶體管（CFET）組件搭配中間介電層（MDI）以及
關鍵字： imec 單片式 CFET 功能組件垂直堆棧金屬接點

imec展示56Gb波束成形發(fā)射機實現(xiàn)高功率零中頻的D頻段傳輸

于本周舉行的國際電機電子工程師學會（IEEE）射頻集成電路國際會議（RFIC Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）發(fā)表了一款基于CMOS技術的先進波束成形發(fā)射機，用來滿足D頻段的無線傳輸應用。該發(fā)射器具備優(yōu)異的輸出功率及能源效率，同時支持每通道56Gb/s的超高數(shù)據(jù)傳輸率。該組件也是比利時微電子研究中心（imec）研究人員目前正在開發(fā)的四路波束成形收發(fā)機芯片之核心構件。運用這項技術，他們希望可以協(xié)助部署新一代100GHz以上的高頻短距無線傳輸服務。 imec先進CMOS波束成
關鍵字： imec 波束成形發(fā)射機高功率零中頻 D頻段傳輸

imec助推歐洲芯片法 2納米芯片試驗將獲25億歐元投資

比利時微電子研究中心(imec)于本周舉行的2024年全球技術論壇（ITF World 2024)，宣布即將推出納米芯片（NanoIC）試驗制程。鑒于歐盟《芯片法案》的發(fā)展愿景，該試驗制程致力于加速創(chuàng)新、驅動經(jīng)濟成長，并強化歐洲半導體生態(tài)系。此納米芯片試驗制程聚焦開發(fā)2納米以下的系統(tǒng)單芯片，將為歐洲汽車、電信、健康衛(wèi)生等各大產(chǎn)業(yè)提供支持，以利用最新的芯片創(chuàng)新設計來開發(fā)經(jīng)得起未來考驗的產(chǎn)品。imec現(xiàn)有的試驗制造廠區(qū)已建立了數(shù)十年，該試驗制程將作為其擴建的廠房。政府及民間單位預計將注入高達25億歐元的共同投
關鍵字： imec 歐洲芯片法 2納米

運用能量產(chǎn)率模型突破太陽能預測極限

能量產(chǎn)率模型（Energy Yield Model）由歐洲綠能研究組織EnergyVille成員—比利時微電子研究中心（imec）和比利時哈瑟爾特大學（UHasselt）所開發(fā)，該模型利用由下而上（bottom-up）設計方法，精準巧妙地結合太陽能板的光學、溫度及電氣動力學，正在為太陽能預測帶來全新氣象。在追求永續(xù)能源方面，太陽能扮演著關鍵角色，然而，太陽能具備難以預測的特性，挑戰(zhàn)了準確預測能量（和財務）產(chǎn)率的實現(xiàn)。比利時微電子研究中心（imec）和比利時哈瑟爾特大學（UHasselt），透過他們在歐洲綠
關鍵字：量產(chǎn)率模型太陽能 imec

半大馬士革集成中引入空氣間隙結構面臨的挑戰(zhàn)

l 隨著芯片制造商向3nm及以下節(jié)點邁進，后段模塊處理迎來挑戰(zhàn)l 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結構可能有助于縮短電阻電容的延遲時間隨著器件微縮至3nm及以下節(jié)點，后段模塊處理迎來許多新的挑戰(zhàn)，這使芯片制造商開始考慮新的后段集成方案。在3nm節(jié)點，最先進的銅金屬化將被低電阻、無需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉變帶來減成圖形化這一新的選擇。這個方法也被稱為“半大馬士革集成”，結合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結構的傳統(tǒng)大馬士革。
關鍵字：半大馬士革空氣間隙結構泛林 imec

革命性醫(yī)療成像 imec用非侵入超音波監(jiān)測心臟

比利時微電子研究中心（imec）的研究人員，推出為超音波成像應用所開發(fā)的創(chuàng)新第二代壓電式微機械超音波換能器（PMUT）數(shù)組。該數(shù)組具備一層氮化鋁鈧（AlScN）壓電層，在水中實現(xiàn)優(yōu)異的影像擷取，波束控制深度達到10cm。此次取得的技術突破為曲面感測、革命性醫(yī)療成像及監(jiān)測這類復雜的超音波應用提供了發(fā)展條件。近期imec攜手其衍生新創(chuàng)Pulsify Medical，一同推動心臟監(jiān)測技術朝向非侵入式且無需醫(yī)師操作的方向發(fā)展。超音波成像的技術進展在非侵入性的情況下，透過超音波成像來呈現(xiàn)腹中胎兒影像的聲波應用廣為人
關鍵字：超音波感測醫(yī)療成像 imec

背面供電選項：下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者

imec 強調了背面供電在高性能計算方面的潛力，并評估了背面連接的選項。
關鍵字： imec BSPDN nTSV

IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖：FinFET將于3nm到達盡頭

近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開發(fā)計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術，預計2024年進入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術?！鱏ource：IMEC隨著時間發(fā)展，轉移到更小的制程節(jié)點會越來越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
關鍵字： IMEC 1nm 制程 FinFET

imec觀點：微影圖形化技術的創(chuàng)新與挑戰(zhàn)

此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化制程與材料研究計劃的高級研發(fā)SVP Steven Scheer以近期及長期發(fā)展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發(fā)挑戰(zhàn)與創(chuàng)新。本篇訪談內容，主要講述這些技術成果的背后動力，包含高數(shù)值孔徑（high NA）極紫外光（EUV）微影技術的進展、新興內存與邏輯組件的概念興起，以及減少芯片制造對環(huán)境影響的需求。怎么看待微影圖形化這塊領域在未來2年的發(fā)展？Steven Scheer表示：「2019年，極紫外光（EUV）微影技術在先進邏輯晶圓廠進入量產(chǎn)，如今動態(tài)隨機存
關鍵字： imec 微影圖形化

探索埃米世代導線材料金屬化合物會擊敗銅嗎？

自1990年代中期，銅（Cu）一直用于后段制程，作為內連導線（interconnect）與通孔（via）的主流金屬材料。這些年來，銅材在雙鑲嵌整合制程上展現(xiàn)了長年不敗的優(yōu)良導電性與可靠度，因此過去認為在芯片導線應用上無需替換這位常勝軍。但隨著技術世代演進，局部導線層持續(xù)微縮，關鍵組件層的線寬降至10nm以下。偏偏在這樣的小尺寸下，銅材的電阻會急遽增加，進而影響電路的整體性能。銅世代告終？此外，銅材需要阻障層（barrier）、襯墊層（liner）與覆蓋層（cap layer）才能維持良好的可靠度；這些外加
關鍵字：埃米導線材料金屬化合物 imec

imec全球首創(chuàng)高光譜照相系統(tǒng) 鎖定動態(tài)全彩成像應用

于本周舉行的國際光電工程學會（SPIE）美西光電展（Photonics West）上，比利時微電子研究中心（imec）展示全球首款高光譜多傳感器照相系統(tǒng)，涵蓋可見光與近紅外光的波長范圍，還兼具高分辨率RGB色彩傳感器。即使在動態(tài)情境下，這套系統(tǒng)也能支持高幀數(shù)影像的數(shù)據(jù)擷取，還可以協(xié)助評估特定應用在使用單一裝置的情況下最適合采用的分辨率與光譜范圍。越來越多的企業(yè)正在研究如何利用高光譜影像技術來提升他們的產(chǎn)品或服務。有些企業(yè)一開始就知道各自所需的光譜范圍，但其他企業(yè)卻必須經(jīng)歷一段測試多臺相機的過程。盡管目前市
關鍵字： imec 高光譜照相動態(tài)全彩成像

最新超導量子位研究成功導入CMOS制程

量子計算機可望在特定應用領域帶來巨變，包含材料合成、藥物開發(fā)、網(wǎng)絡安全等等。在量子電路的運算模型中，量子邏輯閘（簡稱量子閘）利用少數(shù)量子來進行基本運算，與傳統(tǒng)數(shù)字電路里的邏輯閘雷同。量子是量子電路的基本構件。全球正在努力開發(fā)具備不同類型量子位的量子運算平臺，期望能將應用從實驗室擴展到全球。其中一項前景看好的量子運算技術透過超導電路運行。Anton Potocnik是深耕量子運算領域的imec資深研究員，他表示：「超導量子位的能量狀態(tài)相對容易操控，經(jīng)過這幾年，研究人員已能將越來越多的量子進行耦合，進而實現(xiàn)更
關鍵字：超導量子位 CMOS制程 imec

隔空觸覺應用看漲 imec開發(fā)微型超音波數(shù)組技術

比利時微電子研究中心（imec），于本周舉行的2022年IEEE國際超音波會議（International Ultrasonics Symposium），展示了新型壓電式微型超音波換能器（pMUT）數(shù)組，它能與平面顯示器（FPD）制程技術兼容。新型數(shù)組可以隔空感測高于1kPa的聲壓，滿足隔空觸覺與指向聲波應用。（A）包含22個直徑為500μm環(huán)形pMUT的相控數(shù)組大范圍影像（B）細部影像此次開發(fā)的pMUT技術不再聚焦晶圓制程，而是朝向與平面顯示器技術兼容的方向發(fā)展，方便將來與隔空感測應用整合，
關鍵字：隔空觸覺 imec 超音波數(shù)組

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imec介紹

IMEC,全稱為Interuniversity Microelectronics Centre, 微電子研究中心. 　　IMEC成立于1984年，目前是歐洲領先的獨立研究中心，研究方向主要集中在微電子，納米技術，輔助設計方法，以及信息通訊系統(tǒng)技術（ICT）. IMEC 致力于集成信息通訊系統(tǒng)設計；硅加工工藝；硅制程技術和元件整合；納米技術，微系統(tǒng)，元件及封裝；太陽能電池；以及微電子領域的高級培訓 [ 查看詳細 ]

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