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GaN FET讓您實現(xiàn)高性能D類音頻放大器
- D類音頻放大器參考設(shè)計(EPC9192)讓模塊化設(shè)計具有高功率和高效，從而可實現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計，可實現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設(shè)計，其主板配有兩個PWM調(diào)制器和兩個半橋功率級子板，實現(xiàn)具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設(shè)計的靈活性高，使
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測試共源共柵氮化鎵 FET
- Cascode GaN FET 動態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn) Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動電壓范圍。然而，電路設(shè)計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關(guān)斷時的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導(dǎo)通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
- 全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因為需要使用微控制器或其他大型數(shù)字集成電路 (IC) 來控制激光二極管，但又不能直接驅(qū)動它，這樣就必須增加一個柵極
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能
- 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC
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EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動激光二極管，實現(xiàn)75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達系統(tǒng)。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動器和通過車規(guī)級AEC-Q101認(rèn)證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級聯(lián)氮化鎵場效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用CCP
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FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究
- 由于半導(dǎo)體生物傳感器的低成本、迅速反應(yīng)、檢測準(zhǔn)確等優(yōu)點，對于此類傳感器的研究和開發(fā)進行了大量投入。特別是基于場效應(yīng)晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應(yīng)管，它們被廣泛用于各種應(yīng)用：如生物研究，即時診斷，環(huán)境應(yīng)用，以及食品安全。生物場效應(yīng)管將生物響應(yīng)轉(zhuǎn)換為分析物，并將其轉(zhuǎn)換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關(guān)。根據(jù)設(shè)備上的終端數(shù)量，可以使用多個源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
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EPC新推100 V GaN FET助力實現(xiàn)更小的電機驅(qū)動器,用于電動自行車、機器人和無人機
- 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計顯著提高了電機驅(qū)動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機驅(qū)動逆變器參考設(shè)計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅(qū)動器，包括電動自行車、電動滑板車、無人
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更小、更快、更節(jié)能，半導(dǎo)體芯片迎大突破
- 最先進的電子硬件在大數(shù)據(jù)革命面前都顯得有些“捉襟見肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個方面。隨著數(shù)據(jù)集的存儲、搜索和分析越來越復(fù)雜，這些設(shè)備就必須變得更小、更快、更節(jié)能，以跟上數(shù)據(jù)創(chuàng)新的步伐。鐵電場效應(yīng)晶體管（FE-FETs）是應(yīng)對這一挑戰(zhàn)的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場效應(yīng)晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì)，在其中植入場效應(yīng)和電荷積累，實現(xiàn)了長期穩(wěn)定的記憶效應(yīng)。與傳統(tǒng)存儲器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢。因此，一個成功的FE-FET設(shè)計可以大大降低傳統(tǒng)器件的尺寸和能量使
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Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解決方案。這款設(shè)計方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率
- 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹(jǐn)慎使用開爾文連接技術(shù)以解決電感問題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、
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EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅(qū)動器參考設(shè)計
- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計增強了高功率應(yīng)用的電機系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅(qū)動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農(nóng)業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應(yīng)用。EPC9186在每個開關(guān)位置使用四個并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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