nandflash 文章 進(jìn)入nandflash技術(shù)社區(qū)
西部數(shù)據(jù)將拆分NANDFlash部門與鎧俠合并
- 根據(jù)彭博社報導(dǎo)，在經(jīng)過幾個月的談判后，西部數(shù)據(jù)（Western Digital）和鎧俠（Kioxia）即將達(dá)成協(xié)議。該協(xié)議的內(nèi)容主要是分拆西部數(shù)據(jù)的NAND Flash快閃存儲器部門，然后進(jìn)一步與鎧俠合并。之后，西部數(shù)據(jù)的股東將控制合并后新公司約略超過一半的股權(quán)。不過，當(dāng)前相關(guān)訊息仍在保密中。報導(dǎo)指出，兩家公司在談判時，有建議是將由鎧俠的團(tuán)隊來主導(dǎo)合并后新公司的經(jīng)營，不過西部數(shù)據(jù)高管也將發(fā)揮相對的重要輔助作用。而就目前情況來看，盡管雙方談判進(jìn)展順利，但距離最終協(xié)議敲定可能還需要一段時間。而且，期間
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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷
- 根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導(dǎo)指出，中國一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下，加上美國對知識產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù)，其目的將難以達(dá)成?！ 髮?dǎo)指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當(dāng)時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
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淺析Nandflash燒錄技巧與方法
- Nandflash芯片以其高性價比，大存儲容量在電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用。但是，在此量大質(zhì)優(yōu)的應(yīng)用領(lǐng)域，很多客戶卻痛苦于批量質(zhì)量問題：專用工具無法滿足量產(chǎn)，量產(chǎn)工具卻可能出現(xiàn)極大的不良品率，那么究竟要如何解決呢? 其實根本原因在于目前大部分用戶并不是很了解Nandflash燒錄的復(fù)雜性，他們常采用很直接的方法，即使用一顆能正常運行的NandFlash芯片作為母片，在連接編程器之后，點擊燒錄軟件上的“讀取”按鈕，把數(shù)據(jù)從芯片里面完整讀取出來，然后再找?guī)最w空芯片，把數(shù)據(jù)重復(fù)寫進(jìn)去。本以為可達(dá)到量產(chǎn)的目的，但實
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NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā)
- NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā),0 引 言
隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展，其應(yīng)用環(huán)境的廣泛性，復(fù)雜性對構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設(shè)備提出更高要求，需要閃存設(shè)備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410 - 關(guān)鍵字： NandFLASH NorFLASH 接口設(shè)計 驅(qū)動開發(fā)
TrendForce：2018年NAND Flash價格有望縮減10%-20%
- TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash價格有機會走跌，下半年需求回升，可能再次供不應(yīng)求，預(yù)估2018年NANDFlashASP(平均銷售單價)將較2017年縮減10%-20%。 相對而言，TrendForce預(yù)計，2018年DRAM產(chǎn)能擴增效益有限，價格趨勢與供給狀況持續(xù)看漲、看緊。 TrendForce表示，就移動存儲來看，智能手機應(yīng)用的存儲零組件價格從2016年第三季開始不斷攀升，以主流規(guī)格而言，到今年第四季價格平均上升40%，不僅影響各大品牌在智能手機的
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東芝產(chǎn)能出現(xiàn)大幅損失純屬謠言，對第四季供貨影響有限
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，針對近期市場傳出東芝產(chǎn)能出現(xiàn)問題，并致使產(chǎn)出晶圓損失高達(dá)10萬片一事，經(jīng)調(diào)查與確認(rèn)后，東芝產(chǎn)線確實遭遇到一些問題，并致使整體產(chǎn)出量較原先預(yù)期少，但影響程度絕對遠(yuǎn)低于外界所謠傳接近10萬片的規(guī)模，且工廠產(chǎn)線亦未出現(xiàn)停擺。對于東芝客戶而言，在第四季議價時所承諾的交貨數(shù)量也沒有受到直接沖擊。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此一事件后，不論對于第四季或是明年第一季的供需市況皆不會產(chǎn)生任何劇烈影響。對于現(xiàn)貨市場而言，在此消息傳出后并
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2017年上半年全球半導(dǎo)體銷售金額同比增長20.8%
- 近期以來，或許大家經(jīng)常會聽到的就是因為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跨入一個成長的波段，導(dǎo)致所有產(chǎn)品的價格上揚，使得諸如臺積電、韓國三星的全球性的大型半導(dǎo)體公司獲利豐碩，營收屢創(chuàng)新高。至于，所謂的半導(dǎo)體當(dāng)前熱潮，有哪些基本的數(shù)據(jù)可以來代表，下面這些數(shù)據(jù)或許可以來進(jìn)一步說明。 在當(dāng)前半導(dǎo)體的熱季中，大家感受最強烈的莫過于存儲器的價格。也由于存儲器市場的供不應(yīng)求，使得價格節(jié)節(jié)攀高，也讓韓國三星、SK海力士，日本東芝等國際大廠獲利滿滿。有市場調(diào)查機構(gòu)統(tǒng)計，在快閃存儲器(NANDFlash)的價格部分，自2016年下半年起
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基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)設(shè)計
- 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)，給出了系統(tǒng)的總體方案，并對各部分硬件和軟件的設(shè)計進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心，以存儲容量達(dá)2GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS～232串行通信模塊組成，具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點，實驗證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計要求。
- 關(guān)鍵字： 水聲信號數(shù)據(jù)采集 NANDFlash FPGA
基于NAND Flash的轉(zhuǎn)譯層的設(shè)計
- 基于NAND Flash的嵌入式存儲系統(tǒng)以其輕巧便攜、讀寫速度快等特點成為當(dāng)前嵌入式存儲系統(tǒng)的主流配置。但由于固有壞塊以及在擦、寫過程中隨機產(chǎn)生的壞塊影響了NAND Flash的實際應(yīng)用，所設(shè)計的NAND Flash的驅(qū)動轉(zhuǎn)譯層具有壞塊管理機制并實現(xiàn)上層文件系統(tǒng)的連續(xù)讀寫功能。
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2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐
- 2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收成長2%，而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營收則成長2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個別產(chǎn)品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強的產(chǎn)品，成長幅度超過30%;車用半導(dǎo)體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。 IHS預(yù)期，由于市場需求強勁，2017年內(nèi)存市場的營收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導(dǎo)體市場的規(guī)模則有機會成長超過10%。整體來說，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
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ARM開發(fā)步步深入之NandFlash 4KB突圍
- 實驗?zāi)康模和黄?KB的Steppingstone存儲空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實現(xiàn)“點燈大法”，借此掌握NandFlash的操作。 實驗環(huán)境及說明：恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，該NandFlash容量為64MB?！ 嶒炈悸罚洪_發(fā)板上電啟動后，自動將NandFlash開始的4K數(shù)據(jù)復(fù)制到SRAM中，然后跳轉(zhuǎn)到0地址開始執(zhí)行。然后初始化存儲控制器SDRAM，調(diào)用NandFlash讀函數(shù)操作
- 關(guān)鍵字： ARM NandFlash
nandflash介紹
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁，頁 [ 查看詳細(xì) ]
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