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ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)，對消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊(duì)

氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨(dú)特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計(jì)和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現(xiàn)商用，6 英寸
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貿(mào)澤電子與Fortebit簽署全球分銷協(xié)議

專注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 ( Mouser Electronics ) 近日宣布與 Fortebit 簽署全球分銷協(xié)議。該公司設(shè)計(jì)并制造高質(zhì)量、高性價(jià)比的解決方案，用于嵌入式語音識(shí)別、語音播放功能和位置服務(wù)。簽署此項(xiàng)協(xié)議后，貿(mào)澤分銷的 Fortebit產(chǎn)品線包含EasyVR 3 Plus語音識(shí)別器件和Polaris汽車物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)等產(chǎn)品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
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智?遠(yuǎn) | IA架構(gòu)何以引領(lǐng)視頻會(huì)議邁向智能時(shí)代

知IN，英特爾的自媒體微信賬號(hào)。分享英特爾新聞、產(chǎn)品技術(shù)和內(nèi)幕故事；交流行業(yè)熱點(diǎn)話題；體味科技與人文的溫度
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a-Si/GZO/LTPS三種技術(shù)對比

隨著顯示產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，人們對于顯示成像技術(shù)的要求不斷提高，這也促使著技術(shù)的不斷發(fā)展，TFT-LCD這種低成本、高解析度、高亮度、寬視角以及低功耗
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2017年TDDI出貨量估成長191% a-Si規(guī)格成新藍(lán)海

　　DIGITIMESResearch觀察觸控與顯示驅(qū)動(dòng)整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市場發(fā)展，由于增加HybridIn-Cell型態(tài)產(chǎn)品，以及面板業(yè)者導(dǎo)入TDDI動(dòng)機(jī)提升等因素帶動(dòng)，2017年全球TDDI出貨量將較2016年成長191%，其中，臺(tái)系業(yè)者市占率將達(dá)近4成，從過去由新思(Synaptics)一家獨(dú)大局面中突圍。　　TDDI芯片又稱IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中華區(qū)智能型手
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回顧全球平板顯示行業(yè)的2015：新格局新常態(tài)

　　2015年，對于顯示面板產(chǎn)業(yè)而言，注定是不平凡的一年。全球來看，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入深度調(diào)整和高速發(fā)展期，轉(zhuǎn)型升級(jí)步伐不斷加快，產(chǎn)品競爭日益激烈;國內(nèi)來看，產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，核心競爭力逐步增強(qiáng)，液晶面板產(chǎn)能過剩卻隱憂暗藏?？傊?，2015年顯示面板產(chǎn)業(yè)既有技術(shù)提升和創(chuàng)新帶來的變革，也有市況與價(jià)格戰(zhàn)帶來的重重考驗(yàn);既有順應(yīng)市場需求而快速崛起的新勢力，也有停滯不前而瀕臨淘汰的落后者。在新年伊始，我們對行業(yè)進(jìn)行梳理和總結(jié)，通過七個(gè)關(guān)鍵詞來回顧全球顯示面板產(chǎn)業(yè)不平凡的2015年，同時(shí)提煉產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢，以窺2016。
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主流a-Si面板逐漸被LTPS、AMOLED取代

　　TrendForce旗下光電事業(yè)處WitsView最新研究報(bào)告顯示，2015年全球智能手機(jī)面板出貨有機(jī)會(huì)達(dá)到18.2億片，2016年上看19.5億片，年增7%。其中LTPS/Oxide TFT規(guī)格的智能手機(jī)面板出貨比重將由2015年的29.8%攀升至2016年的34.6%。同時(shí)，受三星顯示器積極外賣AMOLED面板的影響，AMOLED規(guī)格的智能手機(jī)面板出貨比重也有機(jī)會(huì)由2015年的12.1%，攀升至2016年的14%。　　WitsView資深研究經(jīng)理范博毓表示，F(xiàn)HD機(jī)種往中端手機(jī)市場擴(kuò)張的態(tài)勢確
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一種基于PMM8731和SI-7300的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

1　PMM8713的功能特點(diǎn) PMM8713是日本三洋電機(jī)公司生產(chǎn)的步進(jìn)電機(jī)脈沖分配器。該器件采用DIP16封裝，適用于二相或四相步進(jìn)電機(jī)。PMM8713在控制二相或四相步進(jìn)電機(jī)時(shí)都可選擇三種勵(lì)磁方式(1相勵(lì)磁，2相勵(lì)磁，1-2相勵(lì)磁三種勵(lì)磁方式之一)，每相最小的拉電流和灌電流為20mA，它不但可滿足后級(jí)功率放大器的要求，而且在所有輸入端上均內(nèi)嵌有施密特觸發(fā)電路，抗干擾能力很強(qiáng)，其原理框圖如圖1所示。在PMM8713的內(nèi)部電路中，時(shí)鐘選通部分用于設(shè)定步進(jìn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)脈沖輸入法。PMM8713有兩種脈
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世強(qiáng)啟動(dòng)Silicon Labs 2014創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會(huì)

　　由中國最大本土分銷企業(yè)世強(qiáng)攜手業(yè)界領(lǐng)先的高性能混合信號(hào)IC供應(yīng)商Silicon?Labs舉辦的創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會(huì)將于近期全面啟動(dòng)。本次研討會(huì)主要針對在職研發(fā)工程師，Silicon?Labs的資深技術(shù)專家將親臨現(xiàn)場，帶來處于創(chuàng)新最前沿的設(shè)計(jì)技術(shù)?！　”敬螘?huì)議主題涉及：　　1、應(yīng)用全球最節(jié)能的ARM?Cortex?MCU實(shí)現(xiàn)超低功耗設(shè)計(jì)(最低待機(jī)功耗900nA)　　2、100MIPS?的8位MCU創(chuàng)新設(shè)計(jì)與應(yīng)用　　3、使用任意頻點(diǎn)可編程時(shí)鐘縮短產(chǎn)品上市時(shí)間
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NEC斥資1億美元收購萬向集團(tuán)蓄電系統(tǒng)業(yè)務(wù)

　　3月24日，IT&通信巨頭NEC公司宣布以1億美元收購中國萬向集團(tuán)旗下A123Systems公司的蓄電系統(tǒng)集成部門(A123?Energy?Solutions)，此次世界頂級(jí)蓄電SI和ICT的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，目標(biāo)瞄準(zhǔn)的是全球能源市場。憑借此舉，NEC將成為世界領(lǐng)先的蓄電系統(tǒng)供應(yīng)商，并有助于其實(shí)現(xiàn)全球智慧能源戰(zhàn)略。　　據(jù)悉，NEC集團(tuán)將于今年6月成立?“NEC能源解決方案”新公司，通過整合A123的蓄電系統(tǒng)集成和NEC公司世界領(lǐng)先的信息通信技術(shù)?(ICT)，以及
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Vishay推出針對新能源應(yīng)用的增強(qiáng)型卡扣式功率鋁電容器

2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強(qiáng)型器件是針對太陽能光伏逆變器、工業(yè)電機(jī)控制和電源而設(shè)計(jì)的，具有長使用壽命和高紋波電流，在100Hz下的紋波電流達(dá)2.80A，工作溫度為+105℃，最大ESR低至150mΩ。
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大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻 ...
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Si87xx的CMTI性能測量

Silicon Labs數(shù)字隔離器(光電耦合器替代品)與標(biāo)準(zhǔn)光電耦合器之間關(guān)于共模瞬變抑制(CMTI)魯棒性的詳細(xì)對比。該視頻中展示了如何使用被認(rèn)可的經(jīng)過校準(zhǔn)的商業(yè)CMTI測試儀測量Si87xx數(shù)字隔離器的瞬變抑制特性，因此你能確
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基于PROFIBUS―DP的變頻控制在冷凝水回收中的應(yīng)用

PROFIBUS—DP應(yīng)用于對分散冷凝水的回收，通過對冷凝水泵電機(jī)的變頻控制，不但組網(wǎng)容易，而且控制精度和控制決策更加簡潔。組網(wǎng)時(shí)必須借助于通訊接口卡SI—Pl，通過配置相應(yīng)的軟件，使普通變頻器成為帶有現(xiàn)場總線接口的變頻器。按照鍋爐補(bǔ)水箱極限水位，動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)各分散處冷凝水的回收流量，使鍋爐補(bǔ)水箱在儲(chǔ)存冷凝水過程中不至于斷流和溢出。
關(guān)鍵字： PROFIBUS&mdash DP總線冷凝水回收 SI&mdash Pl 變頻器