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NAND閃存市場價(jià)格一路下滑降幅超10%

　　來自閃存制造業(yè)界的消息稱，預(yù)計(jì)在八月份晚期，當(dāng)前閃存芯片市場上的主流產(chǎn)品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價(jià)格將雙雙下滑10%. 　　NAND閃存芯片多用于當(dāng)前的消費(fèi)類產(chǎn)品上，包括蘋果的iPhone手機(jī)、iPod音樂播放器以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品上。盡管每年第三季度為消費(fèi)類產(chǎn)品的傳統(tǒng)銷售旺季，但今年卻無法止住NAND閃存芯片價(jià)格下滑步伐。　　三星電子以及SanDisk都對未來的NAND閃存市場持悲觀態(tài)度，由于NAND閃存價(jià)格一路下滑，從而引發(fā)他們失去對該市場信心。與此
關(guān)鍵字：閃存 NAND 芯片三星

NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn)，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格急劇下降，高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會(huì)議的論文和2007
關(guān)鍵字： NAND 柵極感應(yīng) DDR MLC MLC

三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報(bào)告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
關(guān)鍵字：三星閃存 NAND DRAM

三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報(bào)告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體 DRAM NAND

東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

　　東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)。隨著帶有控制器功能的存儲(chǔ)器需求不斷擴(kuò)大，東芝已經(jīng)采取行動(dòng)使其在這個(gè)不斷擴(kuò)大的市場上占領(lǐng)領(lǐng)先地位，東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
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TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI　

　　TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產(chǎn)品計(jì)劃于九月份開始銷售。　　GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元（SLC）和多級單元（MLC） NAND 閃存，實(shí)現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)（SLC）和256M字節(jié)到32G字節(jié)（MLC）的高速閃存存儲(chǔ)容量，因而該控制器適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
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Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術(shù)

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，近日，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示，已與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項(xiàng)為期五年的協(xié)議，拓展其在快速增長的NAND閃存領(lǐng)域的共同開發(fā)項(xiàng)目。　　據(jù)國外媒體報(bào)道，根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兩家公司將合作擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線，推出新產(chǎn)品和實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而應(yīng)對未來五年NAND技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)。　　根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術(shù)項(xiàng)目，聯(lián)合提供領(lǐng)先的NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品，并進(jìn)行資源整合以促
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恒憶與海力士擴(kuò)大合作共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品

　　恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導(dǎo)體公司達(dá)成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領(lǐng)域擴(kuò)展聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃。針對NAND技術(shù)在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。　　根據(jù)新協(xié)議，恒憶和海力士將擴(kuò)大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供領(lǐng)先的NAND存儲(chǔ)器技術(shù)和產(chǎn)品，并且整合資源以加快未來NAND技術(shù)及解決方案的開發(fā)。在應(yīng)用于手機(jī)多芯片封裝的移動(dòng)DRAM領(lǐng)域，雙方也將進(jìn)行合作。　　恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示："未來五年，在
關(guān)鍵字： NAND 恒憶海力士閃存

微控制器的市場前景及發(fā)展趨勢

　　微控制器廣泛應(yīng)用于各種小型電器，隨著技術(shù)的發(fā)展，其不但價(jià)格低廉，而且功能越來越強(qiáng)大。由于家用電器、手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品、手持式通信裝置和車用電子等領(lǐng)域的市場推動(dòng)，微控制器的使用量越來越大而且表現(xiàn)出了更新?lián)Q代的趨勢。預(yù)計(jì)在未來的市場中，低階應(yīng)用將會(huì)以8位微控制器為主，而高階應(yīng)用將會(huì)由32位微控制器稱霸。當(dāng)然，也有可能沖出一個(gè)比32位微控制器更強(qiáng)大的產(chǎn)品，如果能夠控制成本，則32位微控制器將面臨很快被淘汰的命運(yùn)。不過就目前的情形來看，32位微控制器將在市場中活躍一陣子。其市場占有率將會(huì)逐漸上升，到2010年
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蘋果大量訂購NAND芯片：三星預(yù)警缺貨

　　據(jù)我國臺灣省的一家媒體報(bào)道稱，三星對其客戶發(fā)出預(yù)警，因蘋果大量訂購NAND閃存芯片，預(yù)計(jì)這類芯片將在一段時(shí)間內(nèi)缺貨。　　當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周三，《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，三星在對其客戶發(fā)出的預(yù)警中表示，蘋果最近向三星訂購了5000萬顆8Gb的NAND閃存芯片，計(jì)劃用于3G版iPhone上；想必大家都聽說此事了。因此三星的其它客戶需要等上一段時(shí)間后才能收到三星的發(fā)貨。三星是蘋果的固定供應(yīng)商之一，兩家公司在2005年簽署了NAND閃存供貨合同。　　蘋果這次訂購的NAND閃存芯片總?cè)萘肯喈?dāng)于5000萬GB(8Gb
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五月份全球半導(dǎo)體銷售增長7.5%達(dá)到218億美元

　　【eNet硅谷動(dòng)力消息】半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)公布月度報(bào)告顯示，今年五月份全球半導(dǎo)體的銷售收入從去年同期的203億美元增長了7.5%達(dá)到218億美元。受到全球消費(fèi)電子產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁和美國消費(fèi)性支出好轉(zhuǎn)的推動(dòng)，五月份半導(dǎo)體銷售收入比四月份增長了2.8%，四月份全球半導(dǎo)體銷售收入為212億美元。　　數(shù)據(jù)顯示，在半導(dǎo)體銷售中，計(jì)算機(jī)是最大的終端市場。今年前五個(gè)月，全球半導(dǎo)體銷售收入達(dá)到1034億美元，比去年同期增長了5.3%。　　半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)總裁George Scalise在一份聲明中表示，盡管有媒體報(bào)告了
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體計(jì)算機(jī) 芯片數(shù)碼相機(jī) 手機(jī) NAND 閃存

全球閃存市場達(dá)254億美元廠商Q4投身30nm制程

　　據(jù)外電報(bào)道，NAND Flash(閃存)制造廠制程技術(shù)持續(xù)不斷推進(jìn)，集邦科技表示，各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程技術(shù)。　　根據(jù)美光預(yù)估，今年全球NAND Flash市場可望增長至254億美元規(guī)模，除了目前一般數(shù)字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲(chǔ)存驅(qū)動(dòng)器)、記憶卡等應(yīng)用外，也相當(dāng)看好移動(dòng)儲(chǔ)存市場的發(fā)展?jié)摿Α? 　　為降低生產(chǎn)成本，強(qiáng)化競爭力，NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮，其中IM Flash陣營已宣示，34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國三星電
關(guān)鍵字：閃存 NAND Flash 移動(dòng)儲(chǔ)存 30納米

旺盛需求助HDD業(yè)渡過低迷時(shí)期

　　據(jù)iSuppli公司，市場對于容量高達(dá)1TB而且價(jià)格適中的存儲(chǔ)裝置的旺盛需求，正在經(jīng)濟(jì)困難時(shí)期維持硬盤(HDD)產(chǎn)業(yè)的生存。　　與NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)不同，HDD廠商一直能夠通過學(xué)習(xí)控制成本來抵抗經(jīng)濟(jì)放緩和需求下滑的嚴(yán)重沖擊。另外，由于新應(yīng)用程序占用的硬盤空間越來越大，PC也需要更大的存儲(chǔ)容量，這有利于硬盤產(chǎn)業(yè)。只要對存儲(chǔ)容量的需求保持增長，硬盤產(chǎn)業(yè)就能設(shè)法滿足需求。　　出貨量保持兩位數(shù)增長率　　2008年第一季度，硬盤廠商出貨量為1.37億個(gè)，比去年同期增長21%，大部分流向五個(gè)主要領(lǐng)域
關(guān)鍵字：硬盤 HDD NAND 閃存芯片 PMP 機(jī)頂盒

iSuppli維持對NAND閃存市場狀況的“負(fù)面”評級

　　由于NAND閃存市場仍然充滿挑戰(zhàn)，iSuppli公司維持對供應(yīng)商近期形勢的“負(fù)面”評級，并重申了對于2008年全球市場銷售額增長9%的預(yù)測。　　美國經(jīng)濟(jì)低迷導(dǎo)致消費(fèi)需求減弱，NAND需求也出現(xiàn)下滑跡象，促使iSuppli公司去年11月首次對該市場作出負(fù)面評估。NAND閃存大量用于個(gè)人媒體播放器(PMP)、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品之中，因此與其它存儲(chǔ)芯片相比受經(jīng)濟(jì)形勢的影響更大。　　這種評估得到了媒體報(bào)道與NAND供應(yīng)商英特爾的業(yè)績預(yù)警的證實(shí)。英特爾在3月份警告稱，由
關(guān)鍵字： NAND 閃存 iSuppli 英特爾

東芝停制200毫米NAND閃存主攻300毫米芯片

　　6月24日消息，由于NAND閃存產(chǎn)業(yè)處于低迷時(shí)期，東芝計(jì)劃減少其NAND閃存芯片產(chǎn)量。　　據(jù)國外媒體報(bào)道稱，東芝計(jì)劃停止在FlashVision制造NAND閃存。FlashVision是東芝與SanDisk的合資企業(yè)，該公司采用200毫米晶圓片生產(chǎn)閃存芯片。東芝將主要采用300毫米晶圓片生產(chǎn)NAND閃存芯片。　　東芝將收購FlashVision的部分生產(chǎn)設(shè)備，并將它們用于該公司位于四日市或其它地方的工廠。FlashVision將把剩余的設(shè)備出售給第三方廠商。　　東芝半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官兼東
關(guān)鍵字：東芝 NAND 閃存芯片

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