arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動過技術(shù)社區(qū)
Spansion大力推行其革命性MirrorBit? ORNAND2? 架構(gòu)開發(fā)計劃
- 北京，2008年4月23日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（Nasdaq：SPSN）今天宣布在意大利米蘭設(shè)立其安全及先進(jìn)技術(shù)事業(yè)部（SATD）總部，以支持其革命性MirrorBit® ORNAND2™架構(gòu)及安全產(chǎn)品策略的開發(fā)計劃。該部門將負(fù)責(zé)Spansion各種不同閃存安全解決方案的開發(fā)工作，并將MirrorBit技術(shù)拓展到目前NAND所服務(wù)的應(yīng)用領(lǐng)域。 Spansion執(zhí)行副總裁Carla Golla擔(dān)任該部門負(fù)責(zé)人，并招募了眾
- 關(guān)鍵字： Spansion 安全存儲 NAND
U-Boot的編譯與移植到QT-S3C44B0X開發(fā)板上
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： U-Boot QT-S3C44B0X 移植
恒憶?（NUMONYX）強勢進(jìn)軍存儲器市場
- 2008年4月1日，中國 – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲器，并利用新型相變移位存儲器（PCM）技術(shù)，為存儲器市場開發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實力和技術(shù)專長，在成立之初就成為存儲器市場的領(lǐng)先廠商，專注于存儲器開發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機、MP3播放器、數(shù)碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。 恒憶™將從非易失性存儲器
- 關(guān)鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3
解析S3C44B0X上應(yīng)用的一款Boot Loader
- 本文對Boot Loader的功能、操作模式等作了簡單的介紹，重點對基于S3C44B0X內(nèi)核的UP-NetARM3000上移植uCOS所設(shè)計的Boot Loader代碼進(jìn)行了深入的分析和研究，詳細(xì)的介紹了這款Boot Loader的運行流程和工作機理，為成功裝載嵌入式操作系統(tǒng)建立良好的軟硬件環(huán)境。
- 關(guān)鍵字： Boot Loader 嵌入式操作系統(tǒng) ARM
NAND市場增長放緩芯片廠欲推遲建廠計劃
- 日前，全球領(lǐng)先的閃存供應(yīng)商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5)，以應(yīng)對未來市場對NAND閃存的需求，該工廠預(yù)計將于2010年投產(chǎn)。 市場研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因為現(xiàn)在的供求關(guān)系依然比較樂觀?！? 但是閃存供應(yīng)商們延遲其工廠興建計劃也再一次證明了NAN
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND
ZigBee技術(shù) 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點 MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng) 1 NAND Flash和NOR Flash 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點，被廣泛地應(yīng)用于手
- 關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng)
NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測試
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進(jìn)行在線測試。在給出測試結(jié)果的同時，著重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結(jié)果進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。 關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS 引 言 隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和管理已經(jīng)成為一個重要
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS
商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問題
- 北京時間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國經(jīng)濟衰退導(dǎo)致電腦和消費電子產(chǎn)品銷售增長減速，對英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤造成很大壓力。 英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內(nèi)存芯片，這種芯片被廣泛應(yīng)用于各種消費電子產(chǎn)品。兩年多來，英特爾巧妙地避過了那些芯片的價格波動。 全球最大電腦芯片廠商英特爾在3月3日晚間宣布，它預(yù)計其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預(yù)期目標(biāo)。主要原因在于：NAND閃存的價格低于預(yù)期水平。在第
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關(guān)鍵字： NAND NOR flash
分析師稱NAND閃存市場可能再次面臨崩潰
- 在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類短缺和平均銷售價格走平之后，NAND閃存市場可能會再一次崩潰。 據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱，全球最大的NAND閃存買主蘋果計算機公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購?，F(xiàn)在NAND閃存還沒有殺手應(yīng)用。這些因素都會對NAND閃存市場產(chǎn)生影響。 Mok稱，蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購的行動，導(dǎo)致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應(yīng)量超過了需求的70%和價格的下降。 這位分析師稱，雖然自從2
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 芯片
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴大
- 快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料，整個產(chǎn)業(yè)的高點反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下，可說是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。 TRI觀點： 2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個事件，就是Samsun
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
Gartner:08全球半導(dǎo)體設(shè)備開支將降9.9%
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱，2008年全球半導(dǎo)體設(shè)備開支預(yù)計將達(dá)到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱，2007年的特點是DRAM內(nèi)存不顧供過于求的現(xiàn)實繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復(fù)開支的狀況令人失望。在2008年，我們預(yù)計隨著DRAM內(nèi)存市場將糾正資本開支的長期錯誤，半導(dǎo)體主要設(shè)備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔(dān)心美國經(jīng)濟衰退而采取的謹(jǐn)慎態(tài)度都是造成20
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND 閃存 IC自動測試設(shè)備 ATE
供大于求 明年NAND閃存市場難以復(fù)蘇
- 比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 編譯) 據(jù)國外媒體報道，內(nèi)存模塊制造商消息人士稱，NAND閃存市場仍將處于供大于求的局面，這不僅對現(xiàn)貨市場造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產(chǎn)品合同價格。 12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產(chǎn)量，價格沒有出現(xiàn)大幅滑落。 NAND閃存合同價格的下降，主要是由于蘋果每年戰(zhàn)略性削減其12月份的NAND
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存市場 存儲器
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