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boost(buck)芯片 文章 進(jìn)入boost(buck)芯片技術(shù)社區(qū)
【干貨】BCUK電路講解,工作原理+圖文結(jié)合
- 今天給大家分享的是:BUCK 電路Buck、Boost、Buck-Boost作為直流開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用廣泛的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),屬于非隔離的直流變換器。這里對(duì) Buck 電路展開(kāi)詳細(xì)介紹。Buck基礎(chǔ)拓?fù)潆娐方祲菏剑˙uck)變換器是一種輸出電壓≤輸入電壓的非隔離直流變換器。Buck 變換器的主電路由開(kāi)關(guān)管Q,二極管D,輸出濾波電感L和輸出濾波電容C構(gòu)成。主要是以下三部分:開(kāi)關(guān)整流器基本原理傳說(shuō)中的”伏-秒平衡”同步整流死區(qū)時(shí)間一、開(kāi)關(guān)整流器基本原理開(kāi)關(guān)整流器基本原理:開(kāi)關(guān)整流器基本原理導(dǎo)通時(shí)間關(guān)斷時(shí)間在[0,Ton]
- 關(guān)鍵字: buck 電路設(shè)計(jì) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
臺(tái)積電正探索新的芯片封裝技術(shù),先進(jìn)封裝或?qū)⒋蠓女惒?/a>
- 據(jù)媒體報(bào)道,為滿(mǎn)足未來(lái)人工智能(AI)對(duì)算力的需求,臺(tái)積電正在研究一種新的先進(jìn)芯片封裝方法,使用矩形基板,而不是傳統(tǒng)圓形晶圓,從而在每個(gè)晶圓上放置更多的芯片。多位知情人士表示,臺(tái)積電正在與設(shè)備和材料供應(yīng)商合作開(kāi)發(fā)這種新方法,不過(guò)商業(yè)化可能需要幾年時(shí)間。AI算力加速建設(shè),國(guó)際大廠引領(lǐng)先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)迭代。華福證券表示,后摩爾時(shí)代來(lái)臨,先進(jìn)封裝大放異彩。據(jù)Yole預(yù)測(cè),2022-2028年先進(jìn)封裝市場(chǎng)將以10.6%的年化復(fù)合增長(zhǎng)率增至786億美元,且2028年先進(jìn)封裝占封裝行業(yè)的比重預(yù)計(jì)將達(dá)到57.8%,先進(jìn)
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2024年全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能預(yù)計(jì)增長(zhǎng)6%
- 國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威機(jī)構(gòu)SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))發(fā)布的最新季度《世界晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示,為了跟上芯片需求持續(xù)增長(zhǎng)的步伐,全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在2024年增長(zhǎng)6%,并在2025年實(shí)現(xiàn)7%的增長(zhǎng),達(dá)到每月晶圓產(chǎn)能3370萬(wàn)片的歷史新高(以8英寸當(dāng)量計(jì)算)?!?整體產(chǎn)能變化情況。圖源 SEMI行業(yè)習(xí)慣將7nm及以下的芯片劃分為先進(jìn)制程,28nm及以上芯片為成熟制程。而最新的一輪擴(kuò)產(chǎn)潮兩者均有涉及:一方面是來(lái)自AI算力需求的激增,以先進(jìn)制程芯片的擴(kuò)產(chǎn)最為明顯;另一方面是中國(guó)大陸廠商在成熟制程領(lǐng)域的集中擴(kuò)
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首次超越蘋(píng)果!英偉達(dá)市值突破3萬(wàn)億美元
- 6月6日消息,美國(guó)時(shí)間周三,得益于投資者持續(xù)押注人工智能熱潮,英偉達(dá)市值一舉超越蘋(píng)果,現(xiàn)已成為市值第二高的美國(guó)上市公司,僅次于微軟。周三,英偉達(dá)的股價(jià)上漲超過(guò)5%,收于1224.4美元,市值達(dá)到3.019萬(wàn)億美元,超過(guò)了蘋(píng)果的2.99萬(wàn)億美元。微軟仍是市值最高的上市公司,截至周三其市值約為3.15萬(wàn)億美元。英偉達(dá)今年2月市值剛剛超過(guò)2萬(wàn)億美元,然后僅僅用了三個(gè)月的時(shí)間,就實(shí)現(xiàn)了3萬(wàn)億美元的飛躍。自今年5月公布第一季度業(yè)績(jī)以來(lái),英偉達(dá)的股價(jià)已上漲超過(guò)24%,且自去年以來(lái)一直保持著強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭。據(jù)估計(jì),該公
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英特爾推出新型數(shù)據(jù)中心芯片與 AMD 展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)
- 6月4日消息,全球知名的半導(dǎo)體公司英特爾正式推出了其備受期待的第六代至強(qiáng)服務(wù)器處理器,旨在重新奪回?cái)?shù)據(jù)中心的市場(chǎng)份額。同時(shí),該公司還透露,其新推出的Gaudi 3人工智能加速器芯片價(jià)格將顯著低于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品。英特爾據(jù)行業(yè)分析機(jī)構(gòu)Mercury Research的數(shù)據(jù)顯示,英特爾在x86芯片數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的份額在過(guò)去一年中下滑了5.6個(gè)百分點(diǎn),降至76.4%,而其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手超微半導(dǎo)體公司(AMD)的市場(chǎng)份額則上升至23.6%。這一趨勢(shì)對(duì)英特爾來(lái)說(shuō)無(wú)疑是一個(gè)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),因此,第六代至強(qiáng)芯片的發(fā)布被看作是英特
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馬斯克被曝把特斯拉5億美元AI芯片提前調(diào)撥給X
- 6月5日消息,根據(jù)英偉達(dá)內(nèi)部流傳的電子郵件顯示,埃隆·馬斯克(Elon Musk)已告知該公司,需優(yōu)先為X和xAI供應(yīng)人工智能芯片,而非特斯拉。馬斯克曾聲稱(chēng),他有能力將特斯拉打造成為人工智能領(lǐng)域的領(lǐng)軍者,且特斯拉已在購(gòu)買(mǎi)英偉達(dá)的人工智能處理器方面投入大量資金。然而,通過(guò)要求英偉達(dá)優(yōu)先供應(yīng)X、xAI而非特斯拉,馬斯克將使特斯拉收到價(jià)值超過(guò)5億美元的處理器的時(shí)間延遲數(shù)月。以下為英文翻譯全文:馬斯克表示,他有能力將特斯拉打造成為“人工智能與機(jī)器人技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)”。他指出,這需要英偉達(dá)提供大量高性能處理器來(lái)建設(shè)基
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AMD公布新款A(yù)I芯片,也要一年一更新,想挑戰(zhàn)英偉達(dá)
- 6月4日消息,芯片制造商AMD本周一發(fā)布最新款人工智能處理器,并詳細(xì)闡述未來(lái)兩年內(nèi)挑戰(zhàn)行業(yè)領(lǐng)頭羊英偉達(dá)的人工智能芯片開(kāi)發(fā)計(jì)劃。AMD首席執(zhí)行官蘇姿豐在臺(tái)北電腦展上推出了MI325X加速器,預(yù)計(jì)將于2024年第四季度上市。當(dāng)前,競(jìng)爭(zhēng)開(kāi)發(fā)生成式人工智能程序的企業(yè),大幅推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心對(duì)支持復(fù)雜應(yīng)用的高級(jí)AI芯片的需求。AMD一直在努力挑戰(zhàn)英偉達(dá),努力分割人工智能芯片這一利潤(rùn)豐厚的市場(chǎng)。目前,英偉達(dá)約占80%的市場(chǎng)份額。去年以來(lái),英偉達(dá)已向投資者明確表示,將其產(chǎn)品更新周期設(shè)定為每年一次,AMD現(xiàn)也采取相同策略。蘇
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全球最強(qiáng)大的芯片!黃仁勛重磅官宣:Blackwell芯片已投產(chǎn)
- 6月3日消息,英偉達(dá)創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在臺(tái)北國(guó)際電腦展上宣布,英偉達(dá)Blackwell芯片正式投產(chǎn)。Blackwell芯片,作為英偉達(dá)的新一代產(chǎn)品,宣稱(chēng)是“全球最強(qiáng)大的芯片”。第一款Blackwell芯片名為GB200,它擁有2080億個(gè)晶體管,采用臺(tái)積電4NP工藝制造,這一工藝是專(zhuān)為Blackwell GPU定制的雙倍光刻極限尺寸工藝。GB200的架構(gòu)旨在滿(mǎn)足未來(lái)AI工作負(fù)載的需求,為全球機(jī)構(gòu)構(gòu)建和運(yùn)行實(shí)時(shí)生成式AI提供了可能,同時(shí)其成本和能耗比上一代Hopper GPU架構(gòu)降低了25倍。黃仁勛還透露
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國(guó)產(chǎn)28納米FPGA流片
- 珠海鏨芯半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“珠海鏨芯”)近日成功實(shí)現(xiàn)28納米流片。鏨芯CERES-1FPGA芯片對(duì)標(biāo)28納米FPGA國(guó)際主流架構(gòu),實(shí)現(xiàn)管腳兼容,比特流兼容。配合鏨芯KUIPER-1開(kāi)發(fā)板,用戶(hù)可以無(wú)縫銜接國(guó)際主流開(kāi)發(fā)平臺(tái)和生態(tài),實(shí)現(xiàn)芯片和開(kāi)發(fā)板國(guó)產(chǎn)化替代。據(jù)珠海鏨芯介紹,CERES-1 FPGA包含60萬(wàn)個(gè)邏輯門(mén),3750個(gè)6輸入邏輯查找表,100個(gè)用戶(hù)IO,180KB片上存儲(chǔ),10片DSP單元。MPW流片成功驗(yàn)證珠海鏨芯28納米FPGA技術(shù)成熟度和可靠性。公司下一個(gè)里程碑事件是28納米FPGA芯片
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國(guó)產(chǎn)芯片絕地反擊,那些年被美國(guó)“拉黑”的中國(guó)企業(yè)
- 過(guò)去,美、歐的操作辦法歷來(lái)都有些相似,在自己開(kāi)始有劣勢(shì)的時(shí)候,就要通過(guò)施壓來(lái)阻礙別人的發(fā)展。比如說(shuō)在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域中,歐盟就不顧反對(duì)的推出了反補(bǔ)貼調(diào)查法案。再比如說(shuō)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域,美國(guó)就通過(guò)拉黑中國(guó)的企業(yè)等手段來(lái)阻礙發(fā)展,其中不乏人工智能、EDA、存儲(chǔ)及傳感器等領(lǐng)域。美國(guó)在貿(mào)易戰(zhàn)中一次又一次挑釁,這些做法不僅沒(méi)有事實(shí)依據(jù),而且有違國(guó)際公平競(jìng)爭(zhēng)原則,暴露了其對(duì)中國(guó)科技崛起的恐懼和嫉妒。?????? 最開(kāi)始,特朗普拿起芯片作為武器時(shí),只是想從中國(guó)獲取
- 關(guān)鍵字: 芯片 MCU 芯片法案
一個(gè)BUCK電源電路設(shè)計(jì)測(cè)試過(guò)程(下)
- 3 輸入電壓測(cè)試本次測(cè)試使用的設(shè)備有:0~30V/0~2A可調(diào)數(shù)字電源、鼎陽(yáng)牌SDS1000X-C數(shù)字示波器以及萬(wàn)用表。如圖14所示為可調(diào)的數(shù)字電源,圖15為SDS1000X-C數(shù)字示波器,圖16為MP4420H的電源模塊。圖14 可調(diào)電源圖15 SDS1000X-C數(shù)字示波器圖16 MP4420H電源模塊如圖17所示為12V輸入電壓的測(cè)試波形,從示波器上可以看出,輸出電壓為12V直流電壓。圖17 輸入電壓測(cè)試圖圖18為輸入電壓的紋波測(cè)試圖,是通過(guò)把示波器的耦合方式選擇交流耦
- 關(guān)鍵字: buck 電路設(shè)計(jì)
一個(gè)BUCK電源電路設(shè)計(jì)測(cè)試過(guò)程(上)
- 1 芯片選型如下圖1所示為本模塊的電路原理圖,具體可以簡(jiǎn)化為輸入部分、控制部分、輸出部分以及反饋部分。輸入部分:電容C1、C2、C3以及R1;控制部分:MP4420H芯片以及自舉電路C5、R5;輸出部分:電感L1、電容C6、C7以及C8。反饋部分:電阻R3、R4以及R2。圖1 電源模塊原理圖本模塊需要實(shí)現(xiàn)一個(gè)DC-DC的電源轉(zhuǎn)換功能,其輸入為12V,輸出為3.3V/2A。選擇MP4420H這款芯片,MP4420H的輸入范圍為4V-36V之間,輸出電壓范圍為0.8V-32.4V,最大輸出
- 關(guān)鍵字: buck 電路設(shè)計(jì)
全球芯片競(jìng)賽白熱化,美歐日韓掀起補(bǔ)貼狂潮
- 據(jù)彭博社統(tǒng)計(jì),以美國(guó)與歐盟為代表的大型經(jīng)濟(jì)體已投入數(shù)百億美元,用于研發(fā)與量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體,這還只是首批到位的資金。與此同時(shí),韓國(guó)與日本也加入芯片“補(bǔ)貼競(jìng)賽”。隨著大量資金不斷涌入半導(dǎo)體,全球芯片之爭(zhēng)將愈演愈烈。韓國(guó):投入190億美元支持芯片產(chǎn)業(yè)5月23日,韓國(guó)公布高達(dá)26萬(wàn)億韓元(約190億美元)規(guī)模的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)綜合支持計(jì)劃,包括提供大規(guī)模融資支持,以及擴(kuò)大建設(shè)半導(dǎo)體園區(qū)及各種基礎(chǔ)建設(shè)、研發(fā)人員培育的投資規(guī)模,涉及企業(yè)包括芯片制造商、原料供應(yīng)商和芯片設(shè)計(jì)企業(yè)等。該計(jì)劃的核心內(nèi)容是韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行設(shè)立總值17萬(wàn)
- 關(guān)鍵字: 芯片 歐洲 芯片競(jìng)賽
從2.79萬(wàn)億→2.46萬(wàn)億,中國(guó)芯片進(jìn)口額下降趨勢(shì)顯現(xiàn)
- 5月23日,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路分會(huì)理事長(zhǎng)、中國(guó)集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟副理事長(zhǎng)兼秘書(shū)長(zhǎng)葉甜春介紹了中國(guó)電子信息制造業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)。葉甜春表示,近年來(lái),中國(guó)電子信息制造業(yè)持續(xù)增長(zhǎng),2023年實(shí)現(xiàn)21.48萬(wàn)億元規(guī)模;另一方面,中國(guó)本土集成電路產(chǎn)品快速增長(zhǎng),芯片進(jìn)口額下降趨勢(shì)開(kāi)始顯現(xiàn)。據(jù)其介紹,中國(guó)芯片進(jìn)口額已從2021年的2.79萬(wàn)億元下降到2023年的2.46萬(wàn)億元。具體來(lái)看,集成電路設(shè)計(jì)業(yè)方面,2023年在全球半導(dǎo)體仍處下行周期的情況下,我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)銷(xiāo)售收入仍達(dá)5774億元,雖然不復(fù)過(guò)往兩位數(shù)的增速,
- 關(guān)鍵字: 芯片 進(jìn)口 MCU
帶你看懂芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
- 在我們闡明半導(dǎo)體芯片之前,我們先應(yīng)該了解兩點(diǎn)。其一半導(dǎo)體是什么,其二芯片是什么。半導(dǎo)體半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體(insulator)與導(dǎo)體(conductor)之間的材料。人們通常把導(dǎo)電性差的材料,如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱(chēng)為絕緣體。而把導(dǎo)電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱(chēng)為導(dǎo)體。與導(dǎo)體和絕緣體相比,半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的,直到20世紀(jì)30年代,當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后,半導(dǎo)體才得到工業(yè)界的重視。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅則是各種半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: 芯片 內(nèi)部結(jié)構(gòu)
boost(buck)芯片介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條boost(buck)芯片!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)boost(buck)芯片的理解,并與今后在此搜索boost(buck)芯片的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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