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          R&S簡(jiǎn)化LTE輻射雜散發(fā)射測(cè)量

          • 慕尼黑 - 為了確保不干擾其他的業(yè)務(wù),無(wú)線(xiàn)設(shè)備制造商必須測(cè)試無(wú)線(xiàn)設(shè)備的輻射雜散發(fā)射(RSE)。傳統(tǒng)的測(cè)試RSE的方法都是要過(guò)濾掉高功率的無(wú)線(xiàn)通信信號(hào),然而LTE標(biāo)準(zhǔn)定義了258個(gè)頻帶組合,因此,使用傳統(tǒng)的方法測(cè)試RSE
          • 關(guān)鍵字: 發(fā)射  測(cè)量  輻射  LTE  簡(jiǎn)化  R&S  

          迎接連接時(shí)代復(fù)雜的測(cè)試新挑戰(zhàn)

          • 2012年第八屆中國(guó)國(guó)際國(guó)防電子展期間,由《電子產(chǎn)品世界》雜志社主辦的第五屆國(guó)際測(cè)試與儀器應(yīng)用論壇(ITMAF 2012)于5月10日在中國(guó)展覽館報(bào)告廳召開(kāi),本屆論壇的主題是面向連接時(shí)代的高性能測(cè)試技術(shù)應(yīng)用。來(lái)自測(cè)試行業(yè)的專(zhuān)家和廠商共聚一堂,共同探討測(cè)試行業(yè)的當(dāng)今形勢(shì)和未來(lái)發(fā)展之路。
          • 關(guān)鍵字: Agilent  R&S  測(cè)試  

          基于C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

          • 電路的功能近來(lái)出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì),而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代,因?yàn)門(mén)TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng),容易停振或
          • 關(guān)鍵字: C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路    

          μC/OSII下的ARM7中斷過(guò)程分析及優(yōu)化方法

          • 引言目前,在嵌入式處理器芯片中,以ARM7為核心的處理器是應(yīng)用較多的一種。它具有多種工作模式,并且支持兩種不同的指令集(標(biāo)準(zhǔn)32位ARM指令集和16位Thumb指令集)。mu;C/OSII是專(zhuān)為嵌入式應(yīng)用設(shè)計(jì)的搶占式、多任務(wù)
          • 關(guān)鍵字: 優(yōu)化  方法  分析  過(guò)程  ARM7  中斷  C/OSII  

          基于S3C44BOX用中斷方式在μC/OS-Ⅱ上實(shí)現(xiàn)多任務(wù)通信

          • 引言當(dāng)今,各種嵌入式的電子產(chǎn)品已經(jīng)深入到我們生活的方方面面,嵌入式操作系統(tǒng)也已成為最熱門(mén)的話(huà)題之一,其中免費(fèi)型的實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)mu;C/OS-Ⅱ因其可移植、可固化、可裁剪、可確定性等特點(diǎn),已經(jīng)成功的應(yīng)用在很多商
          • 關(guān)鍵字: 實(shí)現(xiàn)  任務(wù)  通信  C/OS-  方式  S3C44BOX  中斷  基于  

          創(chuàng)新和引領(lǐng)EMC技術(shù)發(fā)展

          • 在2012年4月17日至19日北京國(guó)際會(huì)議中心舉辦的第十七屆國(guó)際電磁兼容技術(shù)交流展覽會(huì)上,R&S公司將全面展示其領(lǐng)先的射頻微波與電磁兼容的測(cè)試設(shè)備及解決方案。
          • 關(guān)鍵字: R&S  測(cè)試儀器  EMC  

          羅德與施瓦茨駕馭超越500GHz之微波毫米波測(cè)量

          • R&S公司基于近80年的行業(yè)測(cè)試經(jīng)驗(yàn),不斷針對(duì)射頻微波,移動(dòng)無(wú)線(xiàn)及通用電子提供新的解決方案,引導(dǎo)著行業(yè)技術(shù)方向。在2012年5月6日至8日在深圳舉辦的2012年全國(guó)微波毫米波會(huì)議暨2012年微波毫米波科技成果及產(chǎn)品展上,R&S公司將全面展示領(lǐng)先的高達(dá)500 GHz的微波毫米波測(cè)試儀表和解決方案,其中包括:R&S公司新推出的在射頻性能和帶寬方面勝過(guò)市場(chǎng)上同類(lèi)的高端儀表的高端頻譜分析儀R&S FSW;最新的實(shí)時(shí)數(shù)字示波器R&S?RTO;R&S公司的高端矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀R&S?ZVA系列;創(chuàng)新的實(shí)時(shí)頻譜分析儀R&
          • 關(guān)鍵字: R&S  分析儀  

          R&S公司推出最新緊湊型電視分析儀

          • 最新的R&S ETC緊湊型電視分析儀為ISDB-T, DVB-T和DVB-T2數(shù)字電視發(fā)射機(jī)的質(zhì)量測(cè)試提供了全面的測(cè)試功能。網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商將得益于它的高精度、結(jié)構(gòu)緊湊、簡(jiǎn)便易用以及在同類(lèi)產(chǎn)品中具有極佳的性?xún)r(jià)比。
          • 關(guān)鍵字: R&S  分析儀  

          基于μC/OS-Ⅱ的實(shí)時(shí)分層調(diào)度算法研究

          • 0引言嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)由于自身CPU計(jì)算能力較弱和內(nèi)存容量較低的原因,希望采用復(fù)雜度低、系統(tǒng)開(kāi)銷(xiāo)小的調(diào)度算法。目前的實(shí)時(shí)系統(tǒng)通常采用單優(yōu)先級(jí)驅(qū)動(dòng)的搶占式調(diào)度算法,根據(jù)任務(wù)的某一時(shí)間特性參數(shù)如任務(wù)周期或最后截
          • 關(guān)鍵字: 算法  研究  調(diào)度  分層  C/OS-  實(shí)時(shí)  基于  

          實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)µC/OS-II在ARM7上的移植

          • 1 引言目前,嵌入式系統(tǒng)在家電、移動(dòng)電話(huà)、PDA等各種領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛,程序設(shè)計(jì)也越來(lái)越復(fù)雜,這就需要采用一個(gè)通用的嵌入式操作系統(tǒng)來(lái)對(duì)其進(jìn)行管理和控制。移植了操作系統(tǒng)的嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā),可大大減輕程序員的負(fù)
          • 關(guān)鍵字: ARM7  移植  C/OS-II  µ  操作系統(tǒng)  實(shí)時(shí)  

          C/S和B/S性能介紹及優(yōu)缺點(diǎn)分析

          • 為了區(qū)別于傳統(tǒng)的C/S模式,才特意將其稱(chēng)為B/S模式。認(rèn)識(shí)到這些結(jié)構(gòu)的特征,對(duì)于系統(tǒng)的選型而言是很關(guān)鍵的。   系統(tǒng)的性能  在系統(tǒng)的性能方面,B/S占有優(yōu)勢(shì)的是其異地瀏覽和信息采集的靈活性。任何時(shí)間、任何地點(diǎn)
          • 關(guān)鍵字: 缺點(diǎn)  分析  介紹  性能  B/S  C/S  

          Cortex-M3內(nèi)核的μC/OSII性能研究

          • Cortex-M3內(nèi)核的μC/OSII性能研究,引言mu;C/OSII是基于優(yōu)先級(jí)的可剝奪型內(nèi)核,系統(tǒng)中的所有任務(wù)都有一個(gè)唯一的優(yōu)先級(jí)別,它適合應(yīng)用在實(shí)時(shí)性要求較強(qiáng)的場(chǎng)合;但是它不區(qū)分用戶(hù)空間和系統(tǒng)空間,使系統(tǒng)的安全性變差。而移植到CortexM3內(nèi)核上的mu;C/OSI
          • 關(guān)鍵字: 研究  性能  C/OSII  內(nèi)核  Cortex-M3  

          Spansion開(kāi)始批量生產(chǎn)最高密度單芯片512 Mb串行閃存

          • 行業(yè)領(lǐng)先的并行和串行NOR閃存芯片供應(yīng)商Spansion公司(紐約證交所代碼:CODE),日前宣布已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)512 Mb Spansion? FL-S串行(SPI) NOR閃存,該芯片是業(yè)界單顆裸片最高容量的串行閃存方案。Spansion FL-S系列產(chǎn)品容量涵蓋128Mb至1Gb,具有比同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品快三倍的業(yè)界領(lǐng)先編程速度和快20%的雙倍數(shù)據(jù)讀取速率(DDR)。速度的提升在諸多的嵌入式應(yīng)用中極大地提高了用戶(hù)體驗(yàn),例如汽車(chē)組合儀表盤(pán)和信息娛樂(lè)系統(tǒng)、工業(yè)和醫(yī)療圖形顯示以及家用網(wǎng)關(guān)和機(jī)頂盒。
          • 關(guān)鍵字: Spansion  閃存芯片  FL-S  

          基于S-58LM20A傳感器的LED背光補(bǔ)償應(yīng)用設(shè)計(jì)

          • 隨著LED的RGB背光的市場(chǎng)逐步擴(kuò)大,人們對(duì)顯示屏現(xiàn)實(shí)的圖像要求不僅是看全彩色的圖像,并希望能夠獲得逼真的圖像效果,但目前由于高功率LED輸入功率僅有20%~30%轉(zhuǎn)換成光,其余60%~70%均轉(zhuǎn)換成熱,存在環(huán)境溫度偏離常
          • 關(guān)鍵字: 補(bǔ)償  應(yīng)用  設(shè)計(jì)  背光  LED  S-58LM20A  傳感器  基于  

          μC/OS-II在C8051F上的移植

          • μC/OS-II在C8051F上的移植,在嵌入式應(yīng)用中,使用RTOS的最主要原因是提高系統(tǒng)的可靠性,其次是提高開(kāi)發(fā)效率、縮短開(kāi)發(fā)周期。mu;C/OS-II 是一個(gè)基于優(yōu)先級(jí)的搶占式實(shí)時(shí)內(nèi)核,支持56 個(gè)用戶(hù)任務(wù),90%的代碼使用標(biāo)準(zhǔn)的ANSI C語(yǔ)言書(shū)寫(xiě),程序可讀性
          • 關(guān)鍵字: 移植  C8051F  C/OS-II  
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