cloud tpu v5e 芯片文章進(jìn)入cloud tpu v5e 芯片技術(shù)社區(qū)

國內(nèi)首批8英寸芯片下線首片贈送給中國科技館

　　2014年6月20日是我國首條8英寸IGBT芯片線批量化生產(chǎn)的重要日子。這標(biāo)志著中國現(xiàn)代變流工業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破。IGBT的中文全稱為絕緣柵雙極晶體管，是自動控制和功率變換的關(guān)鍵部件，也是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品。(以下大屏幕現(xiàn)場直播首批8英寸芯片下線過程，首片0001號，從生產(chǎn)現(xiàn)場到大會場，將贈送給中國科技館，作為歷史紀(jì)念，供教學(xué)科普)
關(guān)鍵字： 8英寸芯片

首款20nm芯片竟然是挖礦用的：1440核心

　　今年TSMC會從28nm工藝升級到20nm，高通、蘋果都在爭搶20nm產(chǎn)能，誰能最先推出20nm工藝的芯片呢?首先我們可以排除AMD和NVIDIA的GPU了，甚至今年都沒戲。本周首款20nm工藝芯片就會問世，只不過大家都不會想到它竟然是用來挖礦的，KnCMiner公司推出的名為“海王星”的礦機(jī)芯片擁有1440個核心，封裝面積3025mm2。　　KNCminer公司之前推出了Titan礦機(jī) 　　目前主流的移動處理器及GPU都還在使用28nm工藝，它們對良率、產(chǎn)能鎦銖
關(guān)鍵字： 20nm 芯片

淺談埋嵌元件PCB的技術(shù)（二）

　　5 嵌入用元件　　焊盤連接方式時，嵌入可以采用再流焊或者粘結(jié)劑等表面安裝技術(shù)的大多數(shù)元件。為了避免板厚的極端增大而要使用元件厚度小的元件。裸芯片或者WLP情況下，它們的大多數(shù)研磨了硅(Si)的背面，包括凹塊等在內(nèi)的安裝以后的高度為(300~150)mm以下。無源元件中采用0603型，0402型或者1005的低背型。導(dǎo)通孔連接方式時，上面介紹的鍍層連接和導(dǎo)電膠連接的各種事例都是采用Cu電極的元件。用作嵌入元件時銅(Cu)電極的無源元件厚度150 mm成為目標(biāo)之一，還有更薄元件的開發(fā)例。　　6EP
關(guān)鍵字：埋嵌元件 PCB 芯片

物聯(lián)網(wǎng)核心技術(shù)受制于人工信部緊抓芯片研發(fā)

　　物聯(lián)網(wǎng)對各國經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展都具有非常重要的戰(zhàn)略作用。物聯(lián)網(wǎng)的深度應(yīng)用，將催生各個行業(yè)領(lǐng)域的創(chuàng)新，帶來深刻的發(fā)展變革。但在ICT產(chǎn)業(yè)整體快速發(fā)展的時代，與技術(shù)、應(yīng)用、模式創(chuàng)新層出不窮、產(chǎn)業(yè)格局風(fēng)云變幻的移動互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)相比，我國物聯(lián)網(wǎng)當(dāng)前的發(fā)展則顯得較為緩慢，尤其是物聯(lián)網(wǎng)核心技術(shù)方面有待突破。為此，工信部于近日發(fā)文，重點(diǎn)推進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)傳感器及芯片、傳輸、信息處理技術(shù)研發(fā)。　　我國物聯(lián)網(wǎng)部分領(lǐng)域取得局部突破　　根據(jù)工信部電信研究院發(fā)布的2014年《物聯(lián)網(wǎng)白皮書》顯示，我國物聯(lián)網(wǎng)近幾年保持較高的
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) 芯片

國內(nèi)芯片商發(fā)力多核多模多頻戰(zhàn)高通

雖然多模多頻并不是大多數(shù)消費(fèi)者真正的需求，不過從成本考慮，手機(jī)芯片廠商未來推出的芯片一定會支持。目前，高通雖一枝獨(dú)秀，但是國內(nèi)廠商華為海思、聯(lián)發(fā)科、展訊、重郵信科的積極加入，也會逐漸打破其壟斷，而且，多核技術(shù)由于是芯片最有效最直接的發(fā)力點(diǎn)，必然受到重視......
關(guān)鍵字：芯片多核

國家“02專項(xiàng)”獲重大突破 8寸IGBT征名

　　(飛馳于大江南北的和諧號機(jī)樣同樣需要IGBT核心器件。) 　　(一個8英寸IGBT芯片的“誕生”，至少需要2個月以上、歷經(jīng)200多道工藝、由數(shù)6萬個“細(xì)胞”完成。) 　　(中國南車株洲所功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)區(qū)域。) 　　(“中國智造”的南車株洲所辦公樓。) 　　紅網(wǎng)長沙6月11日訊(記者喻向陽)6月下旬，一個長期被發(fā)達(dá)國家玩轉(zhuǎn)的“魔方”——8英寸IGBT芯片將在
關(guān)鍵字： IGBT 芯片

行業(yè)巨變：Intel又被罰89億 AMD重組

　　2009年5月份，歐盟反壟斷委員會向芯片業(yè)巨頭Intel開出一紙10.6億歐元的巨額罰單，甚至超過了2004年對微軟的8.89億歐元反壟斷罰款，創(chuàng)下了歐盟歷史新紀(jì)錄。　　整整五年來，Intel一直在尋求上訴駁回，但最終還是失敗了：歐洲第二最高法院今天判定，歐盟反壟斷委員會的罰款很恰當(dāng)。　　10.6億歐元，按照如今的匯率相當(dāng)于89.25億元人民幣。　　歐盟之所以要如此重罰Intel，主要是因?yàn)镮ntel通過向戴爾、惠普、NEC、聯(lián)想等眾多PC合作伙伴提供優(yōu)惠折扣，讓他們購買自己的
關(guān)鍵字： Intel 芯片

華為海思芯片揭秘：麒麟能“撐起”中國半導(dǎo)體？

但凡本土企業(yè)出了點(diǎn)正面的新聞，評論氛圍總?cè)菀装堰@些新聞上升到國家、民族的高度。海思的產(chǎn)品到目前為止還主要是用在自家產(chǎn)品上，還未經(jīng)過自由市場的檢驗(yàn)，不好評判其技術(shù)高下。就算麒麟920在市場上獲得了巨大成功，那也只是海思一家的成功，并不代表中國半導(dǎo)體行業(yè)整體水平。
關(guān)鍵字：華為芯片

無視出售芯片業(yè)務(wù)傳言 IBM升級RF芯片制程

　　在市場再度傳言IBM將10億美元出售其芯片部門給GlobalFoundries的同時，該公司正在加速量產(chǎn)新一代絕緣上覆硅(silicon-on-insulator，SOI)與硅鍺(silicongermanium，SiGe)制程，以擴(kuò)大在射頻(RF)芯片代工市場的占有率;該類芯片傳統(tǒng)上大多是采用更稀有的砷化鎵(galliumarsenide，GaAs)制程。　　IBM的兩種新制程都在該公司只提供晶圓代工的美國佛州Burlington晶圓廠運(yùn)作，該座8吋晶圓廠以往曾生產(chǎn)IBM高階服務(wù)器處理器以及
關(guān)鍵字： RF 芯片

國際半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈三大發(fā)展趨勢

全球半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)正呈現(xiàn)出分工合作、資金密集、結(jié)盟研發(fā)等新趨勢，且國際巨頭壟斷加劇，我國面臨的挑戰(zhàn)日趨嚴(yán)峻......
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體芯片

多家臺企5月營收上揚(yáng) LED第2季旺季效應(yīng)持續(xù)

　　LED產(chǎn)業(yè)第2季旺季效應(yīng)持續(xù)，無論是上游芯片廠和下游封裝廠，都出現(xiàn)產(chǎn)能供不應(yīng)求的現(xiàn)象。根據(jù)訂單增長情況，臺灣多家企業(yè)的5月營收表現(xiàn)預(yù)期將呈現(xiàn)上揚(yáng)，包括億光、宏齊與雷笛克的業(yè)績都有望再創(chuàng)單月歷史新高。　　4月LED燈泡價(jià)格小幅下跌　　最新LED燈泡零售價(jià)調(diào)查顯示，2014年4月全球取代40W的LED燈泡零售均價(jià)呈現(xiàn)1.5%小幅下跌，達(dá)到14.7美元，其中中國地區(qū)價(jià)格下跌最為明顯。取代60WLED燈泡均價(jià)下滑2.5%，達(dá)到20.2美元。　　旺季效應(yīng)持續(xù)，LED企業(yè)5月營收有望創(chuàng)新高　　LE
關(guān)鍵字： LED 芯片

4G芯片：行業(yè)重洗牌/聯(lián)發(fā)科展訊組團(tuán)戰(zhàn)高通

聯(lián)發(fā)科在從低端領(lǐng)域逐漸發(fā)展到中高端市場，對高通帶來了很大的競爭威脅，博通的退場又為聯(lián)發(fā)科等公司讓出了一片市場空間，4G芯片競爭激烈程度將超過3G時代。
關(guān)鍵字： 4G 芯片

電源管理芯片朝多相式與大電流方向發(fā)展

　　就許多3C電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)而言，各項(xiàng)電子組件，包括中央處理器(CPU)、芯片組、圖像芯片及內(nèi)存等，所使用的電壓范圍都各有不同，且基于省電的目的，這些組件必須根據(jù)不同的情境提供不同的效率，也就是說這些組件可能會分別處于休眠、低速運(yùn)轉(zhuǎn)及高速運(yùn)轉(zhuǎn)等不同狀態(tài)?？上攵?，這對于電源控制而言是極大的挑戰(zhàn)，必須提供復(fù)雜的功能滿足各項(xiàng)需求，而所有參與控制這些功能的IC集合而成，即被稱為電源管理單元(PMU)。　　不過，正所謂“分久必合，合久必分”，聯(lián)發(fā)科技、高通等提供公板平臺的應(yīng)用處理器
關(guān)鍵字：電源管理芯片

擔(dān)心歐美芯片入侵是杞人憂天

　　近日，有媒體稱中國每年從歐美等國進(jìn)口價(jià)值2000多億美元的芯片，進(jìn)口額超過了石油和大宗商品，嚴(yán)重影響了中國的信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展，給基礎(chǔ)設(shè)施和國防安全帶來了隱患，要求政府在政策和法律上給予國產(chǎn)芯片和軟件支持。這種觀點(diǎn)在國內(nèi)一直頗有市場，但歐美芯片對中國安全的威脅其實(shí)是被夸大了的，擔(dān)心歐美芯片入侵實(shí)屬杞人憂天。　　中國芯片市場被歐美壟斷?中國進(jìn)口芯片最主要的三個來源地分別是臺灣、韓國和馬來西亞，共占進(jìn)口芯片總價(jià)值的63% 　　有媒體稱中國芯片市場被歐美企業(yè)壟斷，信息安全存在巨大隱患。但根據(jù)中國海關(guān)
關(guān)鍵字：芯片電子

分析LED照明材料與芯片應(yīng)用現(xiàn)狀

　　上世紀(jì)末，半導(dǎo)體照明開始出現(xiàn)并快速發(fā)展，其中一個核心前提是藍(lán)光GaN基發(fā)光材料的生長和器件結(jié)構(gòu)的制備，而未來材料和器件結(jié)構(gòu)技術(shù)的水平也終將決定半導(dǎo)體照明技術(shù)的高度。本文將重點(diǎn)圍繞GaN基材料及器件而衍生出設(shè)備、源材料、器件設(shè)計(jì)、芯片技術(shù)、芯片應(yīng)用等環(huán)節(jié)展開分析。　　設(shè)備　　在當(dāng)前無法制備大塊GaN單晶材料的情況下，MOCVD即金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備仍是GaN材料異質(zhì)外延最關(guān)鍵設(shè)備。當(dāng)前商用MOCVD設(shè)備市場主要由國際兩大巨頭掌握，在此局面我國MOCVD仍取得較大發(fā)展，并且出現(xiàn)48片
關(guān)鍵字： LED照明芯片