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cmos digital image sensor 文章 進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)
智能化STM32 F7微控制器如何滿(mǎn)足嵌入式系統(tǒng)更高處理性能需求
- 意法半導(dǎo)體（ST）日前宣布推出業(yè)界首款基于A(yíng)RM最新Cortex-M7內(nèi)核的STM32 F7系列微控制器，其性能遠(yuǎn)超ST之前的32位STM32F4微控制器，通過(guò)無(wú)縫升級(jí)路徑可將處理性能和DSP性能提高一倍。
- 關(guān)鍵字： 微處理器 DSP CMOS MCU 意法半導(dǎo)體
一種易于集成的200萬(wàn)像素手機(jī)相機(jī)完整解決方案
- 本文采用了新型的美光MT9D111 200萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器作為實(shí)例，詳細(xì)介紹了其技術(shù)特性、電路配置，并分析了在手機(jī)上集成數(shù)碼相機(jī)的技術(shù)挑戰(zhàn)和應(yīng)對(duì)方法，以及未來(lái)手機(jī)相機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)。
- 關(guān)鍵字： 手機(jī)相機(jī) CMOS
北大碳基集成電路成果被《2017中國(guó)自然指數(shù)》專(zhuān)題報(bào)道
- 2017年5月25日，英國(guó)《自然》期刊增刊《2017中國(guó)自然指數(shù)》(第5545卷，7655期)出版。最新的自然指數(shù)(nature index)表明，在過(guò)去15年中，材料科學(xué)(尤其是納米材料等)領(lǐng)域已成為各國(guó)政策制定者的關(guān)注重點(diǎn)，大力投資材料科學(xué)也成為中國(guó)整體科技戰(zhàn)略的重要組成部分。近年來(lái)，中國(guó)始終是在材料科學(xué)領(lǐng)域發(fā)表論文最多的國(guó)家，其背后是政府的大規(guī)模資金投入和大力引進(jìn)人才。然而，材料科學(xué)家認(rèn)為，需要將更多的資源投入到基礎(chǔ)研究的轉(zhuǎn)化中;應(yīng)用科學(xué)家表示，如果沒(méi)有足夠的扶持，中國(guó)在材料研究商業(yè)化方面的努力
- 關(guān)鍵字： 集成電路 CMOS
后CMOS時(shí)代 Intel稱(chēng)有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗
- 自從14nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，Intel在傳統(tǒng)CMOS半導(dǎo)體工藝升級(jí)上的步伐就慢下來(lái)了，Tick-Tock戰(zhàn)略名存實(shí)亡，還被TSMC、三星兩家趕超、奚落，甚至連市值都被TSMC超越了，以致于Intel為了挽回面子都想法推動(dòng)新的半導(dǎo)體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié)，對(duì)此Intel也不是沒(méi)有準(zhǔn)備，最近他們公布了后CMOS時(shí)代的一些技術(shù)思路，Intel的目標(biāo)是在保持現(xiàn)有晶圓工廠(chǎng)的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品，電壓可以低至0.5V，這在目前的晶體管下是不可能的。 根據(jù)EE
- 關(guān)鍵字： Intel CMOS
索尼再現(xiàn)黑科技:將DRAM集成到CMOS傳感器
- 索尼這幾年的手機(jī)之路走得并不平坦，不過(guò)沒(méi)有隨波逐流，漸漸變得默默無(wú)聞。作為黑科技的代名詞，索尼在半導(dǎo)體上的造詣可不是一般的強(qiáng)大。可能很多人會(huì)覺(jué)得索尼沒(méi)聽(tīng)說(shuō)在半導(dǎo)體上有哪些重大貢獻(xiàn)，但是如果索尼的半導(dǎo)體工廠(chǎng)停工，因?yàn)槿虻氖謾C(jī)CMOS大部分來(lái)自索尼。 索尼XZ Prumium 索尼鏡頭 索尼展示技術(shù) 在今年的MWC上，索尼除了帶來(lái)全新的智能手機(jī)之外，他們還帶來(lái)了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)索尼官方介紹，三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號(hào)處理電路之間加入一層
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
索尼革命性拍照黑科技：把內(nèi)存塞進(jìn)CMOS
- 盡管近段時(shí)間索尼忙于月底的MWC 2017，但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日，索尼推出了一款劃時(shí)代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解，索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進(jìn)行改進(jìn)，在像素層和信號(hào)處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理 技術(shù)介紹稱(chēng)，大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力，從而拍攝快速移動(dòng)物體時(shí)能夠更加從容，有效減少拍攝時(shí)所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象，使得抓拍、慢動(dòng)作都會(huì)更加
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析
- 1 CMOS集成電路的性能及特點(diǎn) 1.1 功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門(mén)電路的功耗典型值僅為20mW，動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。 1.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡(jiǎn)單，供電電源體積小，基本上不需穩(wěn)壓。國(guó)產(chǎn)CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作?！ ?.3
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
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