cmos digital image sensor 文章進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言

對(duì)于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口，雙端口
關(guān)鍵字： RAM 重構(gòu) 模塊設(shè)計(jì) 方法 FPGA 平臺(tái) 0.13 微米 CMOS 工藝

基于PLD的CCD Sensor驅(qū)動(dòng)邏輯設(shè)計(jì)

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視覺信息是客觀世界中非常豐富，非常重要的部分。隨著多媒體系統(tǒng)的發(fā)展，圖像傳感器應(yīng)用越來越廣泛。不僅用于攝錄像機(jī)，安保產(chǎn)品、數(shù)碼相機(jī)及計(jì)算機(jī)鏡頭等，而且開始用于傳統(tǒng)上的非視像產(chǎn)品，如移動(dòng)電
關(guān)鍵字：邏輯設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) Sensor PLD CCD 基于

一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護(hù)電路

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隨著集成電路技術(shù)的廣泛應(yīng)用及集成度的不斷增加，超大規(guī)模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內(nèi)部的溫度不斷提高，溫度保護(hù)電路已經(jīng)成為了眾多芯片設(shè)計(jì)中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工藝下，
關(guān)鍵字：電路保護(hù) 溫度 CMOS 功能

IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

　　IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。　　在IEDM會(huì)議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(zhǎng)，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場(chǎng)效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。　　該ETSOI技術(shù)包含了幾項(xiàng)工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。　　該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
關(guān)鍵字： IBM CMOS 22nm SOC

兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設(shè)計(jì)與研究

鎖相環(huán)在通訊技術(shù)中具有重要的地位，在調(diào)制、解調(diào)、時(shí)鐘恢復(fù)、頻率合成中都扮演著不可替代的角色?？煽卣袷幤魇擎i相環(huán)的核心部分。最近，鑒于對(duì)集成電路低功耗和高集成度的追求，越來越多的研究人員投人到基于CMOS工
關(guān)鍵字： CMOS 高頻壓控振蕩器

10~37 GHz CMOS四分頻器的設(shè)計(jì)

1 引言
隨著通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，人們對(duì)通信系統(tǒng)中單元電路的研究也越來越多。而分頻器廣泛應(yīng)用于光纖通信和射頻通信系統(tǒng)中，因此，高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實(shí)現(xiàn)方式可分為模擬和數(shù)字兩種。模
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 四分 CMOS GHz 光纖通信系統(tǒng) CMOS工藝動(dòng)態(tài)負(fù)載鎖存器分頻器

東芝20nm級(jí)體硅CMOS工藝獲突破

　　東芝公司今天在美國(guó)馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議上宣布，其20nm級(jí)CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門，成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級(jí)CMOS工藝。東芝表示，他們通過對(duì)晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善，實(shí)現(xiàn)了這次突破。　　在傳統(tǒng)工藝中，由于電子活動(dòng)性降低，通常認(rèn)為體硅(Bulk)CMOS在20nm級(jí)制程下已經(jīng)很難實(shí)現(xiàn)。但東芝在溝道構(gòu)造中使用了三層材料，解決了這一問題，成功實(shí)現(xiàn)了20nm級(jí)的體硅CMOS。這三層材料
關(guān)鍵字：東芝 CMOS 20nm

高性能片內(nèi)集成CMOS線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

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電源管理技術(shù)近幾年已大量應(yīng)用于便攜式和手提電源中。電源管理系統(tǒng)包括線性穩(wěn)壓器、開關(guān)穩(wěn)壓器和控制邏輯等子系統(tǒng)。本文主要針對(duì)低壓差線性穩(wěn)壓器進(jìn)行研究。低壓差線性穩(wěn)壓器是電源管理系統(tǒng)中的一個(gè)基
關(guān)鍵字：穩(wěn)壓器設(shè)計(jì) 線性 CMOS 集成高性能

0．6μm CMOS工藝全差分運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字：運(yùn)算放大器偏置電路 CMOS

0．6μm CMOS工藝全差分運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

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運(yùn)算放大器是數(shù)據(jù)采樣電路中的關(guān)鍵部分，如流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在此類設(shè)計(jì)中，速度和精度是兩個(gè)重要因素，而這兩方面的因素都是由運(yùn)放的各種性能來決定的。
本文設(shè)計(jì)的帶共模反饋的兩級(jí)高增益運(yùn)
關(guān)鍵字： CMOS 工藝放大器全差分

賽普拉斯高精度CMOS圖像傳感器助歐洲航天局Proba-2衛(wèi)星順利升空

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：賽普拉斯 CMOS Proba-2衛(wèi)星 STAR-250

美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)副總裁解讀國(guó)際技術(shù)路線圖

　　創(chuàng)新與變革是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主旋律。集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天，不斷表現(xiàn)出新的趨勢(shì)和特征：一方面繼續(xù)專注于CMOS技術(shù)，沿著摩爾定律前進(jìn)(moreMoore’s);另一方面，產(chǎn)品多功能化(morethanMoore’s)趨勢(shì)日益明顯。國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)是被業(yè)界廣泛認(rèn)同的對(duì)未來15年內(nèi)半導(dǎo)體研發(fā)需求的最佳預(yù)測(cè)。在國(guó)際金融危機(jī)沖擊半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體技術(shù)變化更加迅速、產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)更加激烈的狀況下，ITRS會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來做出怎樣的指導(dǎo)和預(yù)測(cè)?在日前舉辦的ICCHINA20
關(guān)鍵字：摩爾定律 CMOS 半導(dǎo)體

Cypress CMOS圖像傳感器助Proba-2衛(wèi)星順利升空

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其專為航天應(yīng)用而開發(fā)的三款重量級(jí)CMOS圖像傳感器由歐洲航天局(EAS)的Proba-2衛(wèi)星搭載于十一月二日成功發(fā)射升空。賽普拉斯的新型HAS2圖像傳感器專為高精度行星跟蹤而設(shè)計(jì)，被意大利的SELEX Galileo公司設(shè)計(jì)的新型行星跟蹤器所選用。HAS2圖像傳感器還被用于一個(gè)超紫外望遠(yuǎn)鏡科學(xué)設(shè)備，以便觀測(cè)日冕。此外，賽普拉斯的STAR-250圖像傳感器還被荷蘭TNO公司用于其新型數(shù)字太陽(yáng)傳感器。HAS2 和 STAR-250器件均由位于比利時(shí)的賽普拉斯圖像傳感器事業(yè)部為E
關(guān)鍵字： Cypress CMOS 圖像傳感器

一種基于電荷泵的CMOS圖像傳感器

提出一種基于電荷泵的CMOS圖像傳感器。使用一個(gè)基本的電荷泵電路提高重置脈沖信號(hào)的幅值至5．8 V，使像素單元中的充電節(jié)點(diǎn)電壓在充電周期可以達(dá)到電源電壓；同時(shí)調(diào)整像素單元中的源極跟隨器的參數(shù)，降低充電節(jié)點(diǎn)電壓在積分周期的擺動(dòng)范圍下界，充電節(jié)點(diǎn)電壓的擺幅提高了53．8％，傳感器的動(dòng)態(tài)范圍提高了3．74 dB。這種方案也減小了充電時(shí)間常數(shù)，使充電周期減小到10 ns，有效地提高了傳感器的圖像采集幀率。
關(guān)鍵字： CMOS 電荷泵圖像傳感器

Cypress推出通用CMOS圖像傳感器

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出一款面向機(jī)器視覺市場(chǎng)的高靈敏度高速CMOS圖像傳感器。該款全新的130萬(wàn)像素VITA 1300傳感器結(jié)合了管線式和觸發(fā)式全局快門，具有150幀/秒(fps)的無圖像畸變高幀頻，而且讀出速度很快。管線式全局快門功能能夠在讀出期間進(jìn)行曝光，從而減少運(yùn)動(dòng)圖像的模糊程度。該傳感器還可工作于具有中央動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(CDS)的滾動(dòng)快門狀態(tài)，以降低噪聲，增加動(dòng)態(tài)范圍。新型VITA 1300系列源于賽普拉斯在機(jī)器視覺市場(chǎng)上頗為成功的IBIS5系列圖像傳感器，還可以用于條碼掃描、運(yùn)動(dòng)檢測(cè)和安防領(lǐng)域
關(guān)鍵字： Cypress 傳感器 CMOS

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cmos digital image sensor介紹

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