cmos+dps 文章 進(jìn)入cmos+dps技術(shù)社區(qū)
CMOS數(shù)字隔離器為智能電表中的應(yīng)用
- 未來幾年由于消費(fèi)者對傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場預(yù)計將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測量并報告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
- 關(guān)鍵字： CMOS 數(shù)字隔離器 智能電表 中的應(yīng)用
一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計
- 摘要：設(shè)計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實現(xiàn)一個可用于12～14bit精度，100MS／s采樣頻率的高速流
- 關(guān)鍵字： CMOS 增益提高 運(yùn)算 放大器設(shè)計
AMD明年啟用28nm CMOS工藝
- AMD公司高級副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經(jīng)采用臺積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝，海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段，在2012年年底開始生批量生產(chǎn)，在2013年第一季度正式發(fā)布。 在評論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟，是否用來應(yīng)對英特爾和NVIDI
- 關(guān)鍵字： ARM CMOS
一種新型高速CMOS全差分運(yùn)算放大器設(shè)計
- 摘要：設(shè)計了一種基于流水線模／數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用的低壓高速CMOS全差分運(yùn)算放大器。該運(yùn)放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時間共模反饋電路相結(jié)合以達(dá)到高速度及較好的穩(wěn)定性。設(shè)計基于SMIC 0．25mu;m CM
- 關(guān)鍵字： CMOS 全差分 放大器設(shè)計 運(yùn)算
聯(lián)電與星國微電子開發(fā)TSV技術(shù)
- 聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進(jìn)行應(yīng)用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術(shù)開發(fā)，透過這項技術(shù)，包括智慧手機(jī)、數(shù)位相機(jī)與個人平板電腦等行動電子產(chǎn)品，里面所采用的數(shù)百萬像素影像感測器，都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。 聯(lián)電指出，市場上對于持續(xù)縮小像素，又能兼顧效能的需求，日益增強(qiáng)，帶動CMOS影像感測技術(shù)興起，而背面照度式技術(shù)則普遍被視為能夠讓微縮到微米級大小的像素，仍保有優(yōu)異效能的解決方案。 聯(lián)電指出，這次專案目標(biāo)，希望提影像感測器靈敏度，支援更
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)華 CMOS 微電子
IMEC探討10nm以下制程變異
- 在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點(diǎn)后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Forum上表示。 明天的智慧系統(tǒng)將會需要更多的運(yùn)算能力和儲存容量，這些都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動了我們對晶片微縮技術(shù)的需求。 在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動晶片微縮。在10nm之后，或許還
- 關(guān)鍵字： IMEC CMOS 10nm
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